公开(公告)号：CN108987400A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810536313.7

申请日：2018-05-30

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 刘香根 ,  金重植

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597

CPC分类号： H01L27/11597 ,  H01L27/11504 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11587 ,  H01L29/16 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78391

摘要： 在根据本公开的实施例的半导体器件的制造方法中，在衬底上形成包括交替层叠的层间绝缘层和层间牺牲层的层叠结构。在衬底上形成穿过层叠结构的沟槽。在沟槽的侧壁上形成晶体状衬垫绝缘层。在晶体状衬垫绝缘层上形成铁电绝缘层和沟道层。选择性地去除层间牺牲层和晶体状衬垫绝缘层，以形成选择性地暴露铁电绝缘层的凹部。用导电层填充凹部以形成电极层。

公开(公告)号：CN108987409A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810270320.7

申请日：2018-03-29

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李炯东

IPC分类号： H01L27/11585 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/11597

CPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/04 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/78391

摘要： 提供一种具有突触阵列的神经形态器件。神经形态器件的突触阵列可以包括输入神经元、输出神经元和突触。突触可以包括多个彼此并联地电连接的铁电场效应晶体管。

公开(公告)号：CN109786390A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201711114898.5

申请日：2017-11-13

申请人： 萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司

发明人： 刘福洲

IPC分类号： H01L27/11585 ,  H01L27/11597

CPC分类号： H01L27/11597 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

摘要： 本发明公开一种三维储存元件及其制造方法。三维储存元件包括多条底部源极线、叠层体、多条位线以及多个柱状结构。多条底部源极线沿着第一水平方向延伸。叠层体设置于多条底部源极线，其中，叠层体包括相互隔离且位于不同阶层的复合结构，且每一复合结构包括一栅导电层以及包覆栅导电层的铁电层。多条位线设置于叠层体上，并沿着一第二水平方向延伸。多条位线与多条底部源极线彼此交错。多个柱状结构贯穿叠层体。每一柱状结构连接于相对应的位线与相对应的底部源极线之间，且每一复合结构和相对应的柱状结构形成记忆胞。每一柱状结构包括阻隔层、栅绝缘层以及通道层，且铁电层与栅绝缘层通过阻隔层的阻隔而相互隔离。