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公开(公告)号：CN101079597B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710104039.8
申请日：2007-05-18
申请人： 美国博通公司
发明人： 潘蒙安
CPC分类号： H03G3/3047 , H03F3/45188 , H03F2203/45364 , H03F2203/45371 , H03F2203/45638 , H03G1/0029 , H03G3/3042
摘要： 本发明涉及一种双功率模式的发射器，用于在该发射器从正常运行模式切换到低功率运行模式时实现节能。该双功率模式发射器通过控制输入级引起的电流量来节能。可选地，发射器可通过调节输入级的输出节点处的电压来节能。
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公开(公告)号：CN1719722A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510054324.4
申请日：2005-03-08
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金志炫
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F2203/45371 , H03F2203/45454
摘要： 差分放大器具有上/下和左/右对称的结构。差分放大器提高了输出电压摆幅和增益，无需驱动电流源或电压源的附加电路。差分放大器包括第一电流源、第二电流源、第一反相器，第二反相器和自偏置控制电路。第一电流源和第二电流源提供第一偏置电流和第二偏置电流。自偏置控制电路将第一偏置电流和第二偏置电流维持在恒定值。因此，差分放大器提供恒定电流而无需附加电路驱动电流源或电压源，并且与常规差分放大器的配置相比，实现了较宽范围的电压输出摆幅和较高增益。
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公开(公告)号：CN102177583A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140477.7
申请日：2009-07-13
申请人： 吉林克斯公司
发明人： 詹姆士·卡普
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0255 , G06F17/5063 , G06F2217/82 , H01L27/0207 , H03F1/523 , H03F3/45183 , H03F2200/444 , H03F2203/45371
摘要： 一种保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免受静电放电(ESD)的方法可包含将包括第一(245)和第二(250)装置阵列的装置阵列对(104和108)定位在所述IC上，以共享共用质心(130)，其中所述第一和第二装置阵列是匹配的。包括第一(220)和第二(225)ESD二极管阵列的ESD二极管阵列对(110)可邻近于包围所述第一和第二装置阵列的第一周边(115)而定位在所述IC上，其中所述第一和第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的。所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管(220)的阴极端子可耦合到所述第一装置阵列(245)的输入，且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管(225)的阴极端子可耦合到所述第二装置阵列(250)的输入。
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公开(公告)号：CN1061490C
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN94193276.1
申请日：1994-08-25
申请人： 德国汤姆逊-布朗特公司
IPC分类号： H03F1/32
CPC分类号： H03F3/4521 , H03F1/3211 , H03F3/45071 , H03F3/45085 , H03F3/45089 , H03F2203/45241 , H03F2203/45302 , H03F2203/45311 , H03F2203/45371 , H03F2203/45392 , H03G1/0023 , H03G3/3063
摘要： 已知利用乘法器调节放大倍数。相对控制信号线性调节输出信号。本发明目的是设计以dB线性方式控制的乘法放大器。为此，将其数值分布系数导致输出电压dB线性地依赖于控制电压的晶体管连接在乘法器(2)的输入端。本发明尤其适于调整DAB电视机的中频放大器的放大倍数。
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公开(公告)号：CN1130448A
公开(公告)日：1996-09-04
申请号：CN94193276.1
申请日：1994-08-25
申请人： 德国汤姆逊-布朗特公司
CPC分类号： H03F3/4521 , H03F1/3211 , H03F3/45071 , H03F3/45085 , H03F3/45089 , H03F2203/45241 , H03F2203/45302 , H03F2203/45311 , H03F2203/45371 , H03F2203/45392 , H03G1/0023 , H03G3/3063
摘要： 已知利用乘法器调节放大倍数。相对控制信号线性调节输出信号。本发明目的是设计以dB线性方式控制的乘法放大器。为此，将其数值分布系数导致输出电压dB线性地依赖于控制电压的晶体管连接在乘法器(2)的输入端。本发明尤其适于调整DAB电视机的中频放大器的放大倍数。
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公开(公告)号：CN1015588B
公开(公告)日：1992-02-19
申请号：CN89105571.1
申请日：1989-08-05
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H03F1/00
CPC分类号： H03F3/343 , H03F3/45089 , H03F2200/516 , H03F2203/45352 , H03F2203/45371 , H03F2203/45702
摘要： 本发明是关于应用了晶体管三极管的放大电路，在基极上加上输入信号的第一晶体管，与置于负荷侧的第二晶体管串联，由于上述第二晶体管由输入信号驱动，从而可获得超过晶体管的集电极与发射极间击穿电压的输出电压变化。
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公开(公告)号：CN86100161A
公开(公告)日：1986-07-09
申请号：CN86100161
申请日：1986-01-12
申请人： 菲利浦光灯制造公司
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45089 , H03F2203/45302 , H03F2203/45311 , H03F2203/45344 , H03F2203/45352 , H03F2203/45371
摘要： 如果由互导器和电容器组成的集成滤波电路中，采用具有小互导值的互导放大器，则只需集成小容量的电容器。小互导值的互导放大器由接成差分对的第一晶体管和第二晶体管组成，而且其公共发射极和电流源相接。输入电压Vi加于第一晶体管和第二晶体管的基极之间。第一晶体管的集电极电流施加于电流分流电路，它将此电流按照1∶α的比例分成第一电流和第二电流。同样，第二晶体管的集电极电流按照1∶α的比例被分成第三电流和第四电流。第四电流和第一电流构成第一输出电流。第二电流和第三电流构成第二输出电流。
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公开(公告)号：CN102460964B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201080031833.4
申请日：2010-05-28
申请人： 意法爱立信(格勒诺布尔)有限公司 , 意法爱立信有限公司
CPC分类号： H03F1/305 , H03F3/187 , H03F3/45192 , H03F3/45744 , H03F2200/03 , H03F2200/375 , H03F2203/45354 , H03F2203/45371 , H03F2203/45396 , H03F2203/45424 , H03F2203/45438
摘要： 一种音频放大电路，包括具有用于接收输入信号(Vin)的输入端、输出端及用于接收n比特的控制值的数字控制输入端的放大器(10)；具有被连接至放大器的输出端用于接收放大器的输出信号的镜像的第一输入端、用于接收基准电位的第二输入端、以及输出端的比较器(20)；及具有被连接至比较器的输出端的选择输入端、以及传送被提供给所述放大器的控制输入端的n比特数值(COR)的输出端的温度计计数器(30)，放大器包括具有第一及第二差分支路的差分输入级，各支路被偏置电流通过，第一支路的电流可被n个基本电流源修改，分别根据在控制输入端接收到的数字控制值的一比特的二进制值，各基本电流源或传送对所有基本电流源相等的电流，或不传送电流。
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公开(公告)号：CN104919701A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004443.6
申请日：2014-01-10
申请人： 高通股份有限公司
发明人： O·拉加
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F2203/45301 , H03F2203/45311 , H03F2203/45371 , H03F2203/45661
摘要： 示例性实施例涉及用于增强套筒式放大器的系统、设备和方法。放大器可包括输入晶体管差分对，其包括配置成接收第一输入的至少一个晶体管和配置成接收第二输入的至少一个其他晶体管。该放大器可进一步包括共源共栅电路，该共源共栅电路包括第一对晶体管，该第一对晶体管耦合到该差分对中的该至少一个晶体管以形成配置成生成第一输出的第一多个电流路径。该共源共栅电路还可包括第二对晶体管，该第二对晶体管耦合到该差分对的该至少一个其他晶体管以形成配置成生成第二输出的第二多个电流路径。
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公开(公告)号：CN102177583B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980140477.7
申请日：2009-07-13
申请人： 吉林克斯公司
发明人： 詹姆士·卡普
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0255 , G06F17/5063 , G06F2217/82 , H01L27/0207 , H03F1/523 , H03F3/45183 , H03F2200/444 , H03F2203/45371
摘要： 一种保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免受静电放电(ESD)的方法可包含将包括第一(245)和第二(250)装置阵列的装置阵列对(104和108)定位在所述IC上，以共享共用质心(130)，其中所述第一和第二装置阵列是匹配的。包括第一(220)和第二(225)ESD二极管阵列的ESD二极管阵列对(110)可邻近于包围所述第一和第二装置阵列的第一周边(115)而定位在所述IC上，其中所述第一和第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的。所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管(220)的阴极端子可耦合到所述第一装置阵列(245)的输入，且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管(225)的阴极端子可耦合到所述第二装置阵列(250)的输入。
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