公开(公告)号：CN1007564B

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN86108693

申请日：1986-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  大利博和 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/909

Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。

公开(公告)号：CN86108693A

公开(公告)日：1987-08-12

申请号：CN86108693

申请日：1986-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  大利博和 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/909

Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。