公开(公告)号：CN1013004B

公开(公告)日：1991-06-26

申请号：CN86108453

申请日：1986-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/082

CPC classification number: G03G5/08278

Abstract: 具有所需的光接收层的改进电子摄影光敏元件，此光接收层的制备是在无等离子体的情况下利用一种能对形成淀积膜层有所贡献的物质与一种电子氧化剂完成的。用来制备此电子摄影光敏元件的方法和设备。

公开(公告)号：CN1015008B

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN86107141

申请日：1986-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/452 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及功能性膜的形成方法，特别是对半导体器件，电光摄象的光敏器件诸如光学成像输入装置的入射光感光器件之类电子元件等有用的功能性沉积膜的形成方法。它包括向反应区通入形成沉积膜的原料气和对所述原料有氧化性的气态卤素氧化剂以使它们之间化学接触，以形成含有大量处于激发态初级粒子的多种初级粒子，至少使用这些初级粒子中的一种作为沉积膜组成元素的料源在成膜区中的基体上形成沉积膜。本发明还披露了其它形成沉积膜的方法。

公开(公告)号：CN1047349A

公开(公告)日：1990-11-28

申请号：CN90102669.7

申请日：1990-03-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  半那纯一

IPC: C30B25/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C30B25/10 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06

Abstract: 一种形成晶体薄膜的方法，它包括将为形成晶体薄膜的气态原料和能与原料起化学反应的气态卤氧化剂各自引入到装有基片的薄膜形成空间以形成薄膜，基片由按预定温度分布的非单晶材料的表面组成。

公开(公告)号：CN1006670B

公开(公告)日：1990-01-31

申请号：CN86108452

申请日：1986-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/095 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。

公开(公告)号：CN86108453A

公开(公告)日：1987-07-29

申请号：CN86108453

申请日：1986-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: G03G5/02 ,  G03G5/08

CPC classification number: G03G5/08278

Abstract: 具有所需的光接收层的改进电子摄影光敏元 件，此光接收层的制备是在无等离子体的情况下利 用一种能对形成淀积膜层有所贡献的物质与一种电 子氧化剂完成的。本发明还包括用来制备此电子摄 影光敏元件的方法和设备。

公开(公告)号：CN1018659B

公开(公告)日：1992-10-14

申请号：CN86108685

申请日：1986-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 齐藤惠志 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/00 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  G03G5/08278 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过把形成沉积膜的气态原料和对所说的原料具有氧化作用性质的气态卤素氧化剂分别独立地送入反应空间，由化学反应形成沉积膜的制备沉积膜的方法，包括预先把用于形成价电子控制剂的气态物质(D)在一个激活空间里形成激活产物，并且将所说的激活产物送入反应空间，以便形成掺杂的沉积膜。

公开(公告)号：CN1007564B

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN86108693

申请日：1986-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  大利博和 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/909

Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。

公开(公告)号：CN1007104B

公开(公告)日：1990-03-07

申请号：CN86108412

申请日：1986-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/10 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。

公开(公告)号：CN86108693A

公开(公告)日：1987-08-12

申请号：CN86108693

申请日：1986-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  大利博和 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/909

Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。

公开(公告)号：CN86107084A

公开(公告)日：1987-05-27

申请号：CN86107084

申请日：1986-10-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: C23C16/00

Abstract: 一种形成沉积膜的方法包括：把形成沉积膜的气态原料、对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效的接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。