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公开(公告)号：CN86108452A
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：CN86108452
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/095 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
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公开(公告)号：CN86108874A
公开(公告)日：1987-09-09
申请号：CN86108874
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02425 , C23C16/452 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 沉积膜形成方法，其中通过各自独立地反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态卤素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜。该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体；然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。
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公开(公告)号：CN1006670B
公开(公告)日：1990-01-31
申请号：CN86108452
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/095 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1015009B
公开(公告)日：1991-12-04
申请号：CN86108874
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02425 , C23C16/452 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 沉积膜形成方法，其中通过各自独立地反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态卤素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜。该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体：然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。
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公开(公告)号：CN86108685A
公开(公告)日：1987-07-29
申请号：CN86108685
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02532 , G03G5/08278 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 通过把形成沉积膜的气态原料和对所说的原料具有氧化作用性质的气态卤素氧化剂分别独立地送入反应空间，由化学反应形成沉积膜的制备沉积膜的方法，包括预先把用于形成价电子控制剂的气态物质(D)在一个激活空间里形成激活产物，并且将所说的激活产物送入反应空间，以便形成掺杂的沉积膜。
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公开(公告)号：CN86108412A
公开(公告)日：1987-07-29
申请号：CN86108412
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。
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公开(公告)号：CN1018659B
公开(公告)日：1992-10-14
申请号：CN86108685
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02532 , G03G5/08278 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 通过把形成沉积膜的气态原料和对所说的原料具有氧化作用性质的气态卤素氧化剂分别独立地送入反应空间，由化学反应形成沉积膜的制备沉积膜的方法，包括预先把用于形成价电子控制剂的气态物质(D)在一个激活空间里形成激活产物，并且将所说的激活产物送入反应空间，以便形成掺杂的沉积膜。
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公开(公告)号：CN1007564B
公开(公告)日：1990-04-11
申请号：CN86108693
申请日：1986-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10S148/057 , Y10S148/169 , Y10S438/909
Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
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