量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法

    公开(公告)号:CN113831908B

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202010591352.4

    申请日:2020-06-24

    Inventor: 张旋宇 刘文勇

    Abstract: 本发明提供了一种量子点薄膜的制备方法,包括以下步骤:在惰性气氛下,提供化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系,在第一加热条件下进行配体交换反应,制备表面结合有化合物A的第二量子点;其中,所述化合物A的结构通式如下,X1为与所述第一量子点结合的第一活性基团;R1为‑(CH2)n‑,R2为直链CmH2m+1,m、n为正整数,且n+m的取值范围为2~12;提供基板,在所述基板上沉积所述第二量子点制备量子点预制膜;在所述量子点预制膜上沉积含有酯水解催化剂的混合溶液,加热使至少处于量子点预制膜表面的化合物A发生酯水解反应生成第一配体,制备量子点薄膜。

    一种瑞戈非尼与庚二酸的共晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN111777552B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202010707892.4

    申请日:2020-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种瑞戈非尼与庚二酸共晶及其制备方法。该共晶中瑞戈非尼与庚二酸的摩尔比为1∶1,该共晶X射线粉末衍射图在2theta值为7.9±0.2°、11.2±0.2°、16.7±0.2°、19.7±0.2°、24.1±0.2°处具有特征峰。本发明提供的共晶制备方法工艺简单,结晶过程易于控制,重现性好,适用于工业化生产。这种共晶较瑞戈非尼一水合物具有较低的吸湿性,较高的表观溶解度,有利于提高瑞戈非尼的稳定性和口服吸收效率。

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