-
公开(公告)号：CN112978684B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110163967.1
申请日：2021-02-05
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01B19/00 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明公开了一种晶内多孔高性能方钴矿热电材料，其为方钴矿，化学式为AxCo4SbyBz，其中：x的取值范围为0.1≤x≤0.6，y的取值范围为10.8≤y≤11.6；z的取值范围为0.6≤z≤1.0；A为S、Se两种元素中至少一种，B为Se、Te两种元素中至少一种。该晶内多孔高性能方钴矿热电材料的制备方法为：按照化学组成AxCo4SbyBz中各元素的化学计量比称取单质粉末作为反应原料，球磨混合后利用真空热压炉热压合成同时烧结成块体，得到所述晶内多孔高性能方钴矿热电材料。该晶内多孔高性能方钴矿热电材料的晶内孔隙大幅增强了声子的散射，方钴矿热电材料的热导率明显降低，在577℃下的晶格热导率达到最低0.65Wm‑1K‑1，热电优值ZT最高达到1.67。
-
公开(公告)号：CN114408876A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210012220.0
申请日：2022-01-07
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明公开了一种高强度高塑性碲化银的制备方法，将室温相碲化银材料在200‑600℃下进行热变形处理，得到高强度高塑性碲化银；其中，热变形处理时，压缩变形量在20‑60％范围内。该方法所制备的碲化银块体在室温下保留了部分高温相，晶粒变得细长且沿特定方向分布，形成了明显织构，力学强度和塑性显著提高且性能稳定。
-
公开(公告)号：CN113736195B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111030341.X
申请日：2021-09-03
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明提出了一种耐高温铁电聚合物基介电储能复合薄膜及其制备方法和应用，针对SiC晶须的易渗流效应，本发明通过水解水热法制备了SiC@BaTiO3核壳复合填料，将SiC纳米颗粒完整包覆，抑制了渗流通路的形成；SiC的高热导率(114W/m.K)增强了复合膜的热传导特性，提高了复合膜的热稳定性；高介电常数BaTiO3外壳以及核壳粒子的界面极化效应增强了复合薄膜的介电常数；同时，绝缘特性的核壳填料，以及核壳填料的表面改性促进了填料与基材有机无机界面的兼容性，保持了较低的介电损耗；最终促使复合薄膜在120℃测试条件下均有较高的储能密度和击穿强度，提高了铁电聚合物工作温度范围。
-
公开(公告)号：CN110183240A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910273992.8
申请日：2019-04-04
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/645
摘要： 本发明涉及一种高力学强度的方钴矿的制备方法，其包括以下步骤：按照化学计量比称量高纯钴粉和锑粉，并称量1vol％的六钛酸钾晶须；向六钛酸钾晶须中加入分散剂，超声使六钛酸钾晶须初步分散得到钛酸钾混合液，超声完毕后将原料钴粉和锑粉与钛酸钾混合液进行球磨，球磨结束后干燥；将干燥后得到的粉末利用真空热压炉热压合成同时烧结成块，保温结束后随炉冷却，即可得到上述高强度的方钴矿。本发明的有益效果包括：采用该特殊工艺，可以使得方钴矿颗粒粒径小、分布均匀、致密，钛酸钾晶须分布均匀，方钴矿强度明显提高。该反应条件易于实现，工艺操作简单，高效可靠；通过上述得到的方钴矿强度较传统工艺提高了约100％。
-
公开(公告)号：CN117071069A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311081596.8
申请日：2023-08-25
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明提出了一种晶内富含非晶纳米氧化物颗粒的热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为AxBySbmDn，元素A包括F、Cl、Br、I、Yb或S，元素B包括Co、Fe、Ni或Bi，元素D包括Te或Sn；x的取值范围为0≤x≤1，y的取值范围为0≤y≤4，m的取值范围为0＜m≤12，n的取值范围为0≤n≤4；所述热电材料的晶体内均匀分布有非晶纳米氧化物颗粒。通过在烧结前对原料进行氧化处理，使原料表面具有一层非晶态的纳米氧化层，促使非晶纳米氧化物颗粒均匀分散在热电材料的晶粒内，实现热电材料的热电性能和机械性能的双重提升。
-
公开(公告)号：CN117904579A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410047904.3
申请日：2024-01-12
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明公开了一种具有超纳米孪晶和等轴晶结构的高塑性碲化镉薄膜制备方法。本发明利用磁控溅射沉积碲化镉薄膜，在一定工作温度下通过工作气压调控和间歇溅射方法制备一种具有超纳米孪晶和等轴晶结构的碲化镉薄膜；其中，涉及的工作气压范围为1.5Pa‑3.0Pa，工作温度范围为25℃‑75℃，间歇溅射方法是以溅射20min‑30min，停止溅射15min‑30min为一个周期，重复若干周期使溅射总时长为3h‑5h。该方法所制备的碲化镉薄膜的等轴晶平均晶粒尺寸为5nm‑10nm，平均孪晶片层厚度为1.2nm‑2.0nm，均处于超纳米(
-
公开(公告)号：CN113736195A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111030341.X
申请日：2021-09-03
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明提出了一种耐高温铁电聚合物基介电储能复合薄膜及其制备方法和应用，针对SiC晶须的易渗流效应，本发明通过水解水热法制备了SiC@BaTiO3核壳复合填料，将SiC纳米颗粒完整包覆，抑制了渗流通路的形成；SiC的高热导率(114W/m.K)增强了复合膜的热传导特性，提高了复合膜的热稳定性；高介电常数BaTiO3外壳以及核壳粒子的界面极化效应增强了复合薄膜的介电常数；同时，绝缘特性的核壳填料，以及核壳填料的表面改性促进了填料与基材有机无机界面的兼容性，保持了较低的介电损耗；最终促使复合薄膜在120℃测试条件下均有较高的储能密度和击穿强度，提高了铁电聚合物工作温度范围。
-
公开(公告)号：CN110183240B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910273992.8
申请日：2019-04-04
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/645
摘要： 本发明涉及一种高力学强度的方钴矿的制备方法，其包括以下步骤：按照化学计量比称量高纯钴粉和锑粉，并称量1vol％的六钛酸钾晶须；向六钛酸钾晶须中加入分散剂，超声使六钛酸钾晶须初步分散得到钛酸钾混合液，超声完毕后将原料钴粉和锑粉与钛酸钾混合液进行球磨，球磨结束后干燥；将干燥后得到的粉末利用真空热压炉热压合成同时烧结成块，保温结束后随炉冷却，即可得到上述高强度的方钴矿。本发明的有益效果包括：采用该特殊工艺，可以使得方钴矿颗粒粒径小、分布均匀、致密，钛酸钾晶须分布均匀，方钴矿强度明显提高。该反应条件易于实现，工艺操作简单，高效可靠；通过上述得到的方钴矿强度较传统工艺提高了约100％。
-
公开(公告)号：CN109534385A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811313940.0
申请日：2018-11-06
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种富纳孔硫化银及其快速制备方法，包括以下步骤：1)以高纯的银和硫粉末为原料，按化学计量比2:1称取适量原料，混合研磨均匀后冷压成块；2)组装得到的冷压块，用液压机进行高压合成，反应温度为200-600℃，压强为2-4GPa，保温时间为2-10分钟。本发明的有益效果包括：提供了一种富纳孔硫化银及的制备方法，银、硫粉末在高压条件下反应生成的硫化银颗粒表面出现大量分布均匀的纳米孔洞，样品热导率明显降低，性能稳定。该反应条件简单易于实现，高效可靠。
-
公开(公告)号：CN118984640A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411051942.2
申请日：2024-08-01
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： H10N10/80 , H10N10/851 , H10N10/852 , H10N10/853 , H10N10/17 , H10N10/01
摘要： 本发明提出了一种热电腿及其制备方法，属于热电元件领域，包括热电柱为热电材料制成；两个金属层附着在热电柱的上下两个端面上；热电材料采用Bi‑Te基合金、CoSb3基方钴矿、Pb‑Te基合金、Sn‑Te合金、Cu‑Se合金、Half‑Heusler合金、Zintl相化合物中的一种或几种，金属层为泡沫金属材料制成；本发明相较于物理气相沉积方法减少了工艺流程，使用泡沫金属相较于使用粉体工艺参数选择范围更大，相较采用合金粉末烧结的金属层厚度更加均匀，并大幅降低了金属层的厚度，提高微尺寸热电柱的加工成品率，拓宽了热电器件制备工艺的选择范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.025 秒)
