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公开(公告)号：CN119357652A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411932888.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 山东科技大学
IPC: G06F18/2134 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于多特征高斯混合建模的闭环工业过程异常监测方法，属于工业过程异常监测领域，包括如下步骤：步骤1、通过典型‑核慢特征分析方法，提取静态慢速特征、动态慢速特征、动态独立成分及残差四类特征；步骤2、设计基于高斯混合模型的多特征分布逼近策略，将四类特征的分布近似为高斯分布；步骤3、构建基于马氏距离的评价指标，实现异常监测。本发明解决了实际工业过程中异常信息由于闭环系统调节作用被掩盖导致的监测性能下降问题，实现了异常的实时准确监测，能够为实际工业过程的安全稳定运行奠定基础。
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公开(公告)号：CN116844959B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310826677.X
申请日：2023-07-06
Applicant: 山东科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K10/43 , H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种基于毛细力的水平双层半导体场效应晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管属于自下而上依次包括衬底、介电层、半导体层和金属电极，半导体层为水平双层结构半导体。本发明提出一种多沟道模具，设有若干个第一微通道和第二微通道，第一微通道的左端为开口端，右端为封闭端，第二微通道的左端为封闭端，右端为开口端，第一微通道和第二微通道间隔设置；在毛细力的作用下，可同时制备具有水平结构的双层半导体，无需额外的掩膜板。在保证所制备的水平双层半导体晶体管性能的前提下，简化制备工艺、降低制备成本，提高器件的实际应用性。
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公开(公告)号：CN113799676B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202111186020.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 山东科技大学
Abstract: 本发明涉及防爆设备领域，尤其是一种液氮辅助冷却式水切割防爆车，其包括安装平台、伸缩台、第一水刀及第二水刀，所述伸缩台在水平面内可滑移地设置在安装平台上，第一水刀及第二水刀分别沿伸缩台移动方向设置在其两端；第一水刀可滑移地安装在第一直线滑台上，所述第一直线滑台安装在第一回转台上；所述第二水刀通过依次铰接的活动小臂和活动大臂设置在第二回转台上。本发明采用多自由度的双水刀结构，能够有效满足多种位姿的爆炸物的破坏，适用范围广；在切割同时采用云台调整摄像头的位置和角度，对切割位置和状态进行实时监控，保证切割精度和排爆安全性；通过液氮及水射流降低切割位置处的温度，防止爆炸的产生。
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公开(公告)号：CN113799676A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111186020.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 山东科技大学
Abstract: 本发明涉及防爆设备领域，尤其是一种液氮辅助冷却式水切割防爆车，其包括安装平台、伸缩台、第一水刀及第二水刀，所述伸缩台在水平面内可滑移地设置在安装平台上，第一水刀及第二水刀分别沿伸缩台移动方向设置在其两端；第一水刀可滑移地安装在第一直线滑台上，所述第一直线滑台安装在第一回转台上；所述第二水刀通过依次铰接的活动小臂和活动大臂设置在第二回转台上。本发明采用多自由度的双水刀结构，能够有效满足多种位姿的爆炸物的破坏，适用范围广；在切割同时采用云台调整摄像头的位置和角度，对切割位置和状态进行实时监控，保证切割精度和排爆安全性；通过液氮及水射流降低切割位置处的温度，防止爆炸的产生。
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公开(公告)号：CN119357652B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411932888.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 山东科技大学
IPC: G06F18/2134 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于多特征高斯混合建模的闭环工业过程异常监测方法，属于工业过程异常监测领域，包括如下步骤：步骤1、通过典型‑核慢特征分析方法，提取静态慢速特征、动态慢速特征、动态独立成分及残差四类特征；步骤2、设计基于高斯混合模型的多特征分布逼近策略，将四类特征的分布近似为高斯分布；步骤3、构建基于马氏距离的评价指标，实现异常监测。本发明解决了实际工业过程中异常信息由于闭环系统调节作用被掩盖导致的监测性能下降问题，实现了异常的实时准确监测，能够为实际工业过程的安全稳定运行奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116068283A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211096483.0
申请日：2022-09-06
Applicant: 山东科技大学
IPC: G01R29/10
Abstract: 本发明属于有源天线OTA测试技术领域，尤其涉及一种远场两探头有源天线OTA测试方法，包括：控制待测有源天线设备发射信号，控制两轴转台根据设定的角度旋转，判断两轴转台各轴旋转到位；控制开关系统打通接收探头的信号链路，控制信号分析仪测试接收探头的信号；存储两个接收探头的角度数据和测试结果数据；转动转台各轴到下一个角度，进行数据采集，直到完成全球面的数据测量。本发明在转台转动一个角度采集不同角度下两个探头的数据，减少了全球面数据采集的时间，提高了测试效率，挖掘了测试系统的潜力；提升了单次测试速度和效率，提高了资源的利用率，节约了企业成本，缩短了新产品的研发和上市周期。
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公开(公告)号：CN118522075A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410651800.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 山东科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于视觉线索融合的人物交互检测方法，属于电数字数据处理领域，本发明提出基于视觉线索融合的人物交互检测方法，首先通过目标检测器和姿态估计器来识别图像中实例的外观特征以及姿态特征，然后由此构建人类实例和物体实例的相对位置特征；即分别从实例类型、行为姿态以及交互性判别三个角度减少交互的不确定性；最后，将多源视觉特征进行融合，得到交互对的混合视觉表示，以开展交互性以及交互类别的推断。本发明方法解决了现有检测算法所存在的视觉线索融合能力差的问题，并且揭示了增强检测算法的有效性和扩展性的新途径。
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公开(公告)号：CN117711919A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410164742.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 山东科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/42 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟薄膜的制备方法及应用，涉及半导体材料的制备技术领域。该方法包括：制备氧化铟前驱体溶液、清洗衬底、制备金属氧化物材料、预烤并采用脉冲紫外线辅助热退火装置在低温200℃条件下进行脉冲紫外线辅助热退火的步骤。对比传统热退火工艺，本发明通过对脉冲紫外线辅助热退火方法的时间及温度的控制，获得高性能金属氧化物材料，将其应用于薄膜晶体管等器件领域，对提高新一代电子器件的电气性能和稳定性有显著优势。
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公开(公告)号：CN116844959A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310826677.X
申请日：2023-07-06
Applicant: 山东科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K10/43 , H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种基于毛细力的水平双层半导体场效应晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管属于自下而上依次包括衬底、介电层、半导体层和金属电极，半导体层为水平双层结构半导体。本发明提出一种多沟道模具，设有若干个第一微通道和第二微通道，第一微通道的左端为开口端，右端为封闭端，第二微通道的左端为封闭端，右端为开口端，第一微通道和第二微通道间隔设置；在毛细力的作用下，可同时制备具有水平结构的双层半导体，无需额外的掩膜板。在保证所制备的水平双层半导体晶体管性能的前提下，简化制备工艺、降低制备成本，提高器件的实际应用性。
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公开(公告)号：CN115954273B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310231083.4
申请日：2023-03-13
Applicant: 山东科技大学
IPC: H01L21/383 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管自下而上依次包括衬底、介电层、有源层和金属电极，有源层中掺杂有碘离子，衬底采用普通玻璃、硅晶片以及导电玻璃中的任意一种，金属电极采用Al、Ag、Au、W、Ta、Pt中的任意一种，有源层为纳米结构的金属氧化物材料。本发明中基于碘的后处理掺杂技术，可以通过控制金属氧化物薄膜及薄膜晶体管在充满碘蒸气中密封装置中的暴露时间可以控制材料的电气性能，并且较现有的在材料组成或薄膜形成过程中所进行的掺杂技术更简单、更易于实现，对新一代薄膜晶体管的研究具有重要意义。
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