公开(公告)号：CN118425208B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410879082.5

申请日：2024-07-02

申请人： 东北大学

发明人： 高建荣 ,  王彦惠 ,  石桐 ,  李树贤

IPC分类号： G01N23/20008 ,  C30B11/00 ,  B22D2/00 ,  B22D27/04 ,  B22D46/00 ,  C30B29/52

摘要： 本发明涉及一种单晶高温合金定向凝固过程的中子原位诊断系统及方法，属于高温合金制造技术领域，包括适合开展飞行时间中子原位衍射的真空环境系统、单晶生长系统和用于控制真空环境系统、单晶生长系统的综合控制系统。本发明可以实现对单晶高温合金定向凝固过程的原位和分钟量级的实时诊断，为分析缺陷的发生条件及持续情况做出连续分析，从而为工业生产中工艺的优化和革新化设计提供技术数据。该方法不仅限于单晶高温合金定向凝固过程，也可适用于高温合金的热处理过程或者其他中高熔点金属或者合金的凝固和热处理过程的诊断。

公开(公告)号：CN114318497B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202210084148.2

申请日：2022-01-25

申请人： 洛阳市自动化研究所有限公司

发明人： 刘朝轩 ,  邵玮 ,  戚振华

IPC分类号： C30B13/16 ,  C30B29/52

摘要： 一种用于制备合金晶棒的区熔炉，涉及人工晶体制备领域，本发明通过在石英管（1）的上端设置顶部固定套（2），顶部固定套在固定石英管的同时还可以通过顶部固定套的位置微调保证石英管与加热器（12）同轴，然后在石英管的下端设置石英管调节杆（10）和底部支撑杆（9），通过旋拧底部支撑杆使石英管调节杆与石英管脱开，避免了因石英管与加热器不同轴导致石英管破裂的风险，进而有效的提高了生产合金晶棒的效率，降低了生产成本等，本发明具有结构简便，使用效果好等优点，适合大范围的推广和应用。

公开(公告)号：CN118422345A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410358968.5

申请日：2024-03-27

申请人： 山东大学

发明人： 王洪超 ,  孙雨晴 ,  李志昊 ,  苏文斌 ,  王春雷

IPC分类号： C30B29/52 ,  C30B1/10

摘要： 本发明公开了一种五元类金刚石热电合金及其制备方法，属于热电合金技术领域。本发明提供的五元类金刚石热电合金的化学式为Cu2+δAg0.5×(1‑δ)In0.5×(1‑δ)SnSe4，其中，0≤δ≤0.1；其由以下步骤合成：进行包含含有Cu、Ag、In、Sn和Se的原料混合物的固相反应；研磨所述固相反应的产物；以及烧结经研磨的产物。本发明提供的五元类金刚石热电合金具有单一稳定的五元合金纯相，样品致密，元素分布均匀，实现了一价银离子和三价铟离子完全取代二价锰离子，相对于Cu2+δMn1‑δSnSe4四元类金刚石化合物而言具有更低的晶格热导率和更为优异的热电特性，可以用于制备性能优异的热电元件，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN118387939A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410482792.4

申请日：2024-04-22

申请人： 北京理工大学

发明人： 陈来 ,  张洪允 ,  苏岳锋 ,  吴锋 ,  董锦洋 ,  石奇 ,  刘如超

IPC分类号： C01G53/00 ,  H01M4/36 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525 ,  C30B29/52

摘要： 本发明涉及一种单晶态高镍三元层状正极材料、制备方法及锂离子电池，属于锂离子电池技术领域。将高镍三元层状正极材料前驱体、锂源与可溶性溴化物混合均匀，得到混合物；将所述混合物置于管式炉中，氧气氛围下，首先在850～950℃下预烧1～4h，随后降温至700～800℃烧结8～14h，烧结结束后，洗涤、过滤、真空干燥，得到粉末材料；将所述粉末材料置于温度为550～850℃的管式炉中，在氧气气氛下热处理4～8h，得到一种单晶态高镍三元层状正极材料。所获得的单晶态高镍三元层状正极材料不仅具有棱柱状单晶形貌，颗粒尺寸均匀且分散良好，而且电化学性能优异，放电容量高，循环稳定性好，特别是倍率性能得到明显优化，热稳定性亦可明显提升。

公开(公告)号：CN117535560B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311326421.9

申请日：2023-10-13

申请人： 哈尔滨理工大学

发明人： 谭昌龙 ,  杨杰 ,  张琨 ,  赵文彬 ,  李健 ,  田晓华

IPC分类号： C22C19/07 ,  C22C1/02 ,  C22F1/10 ,  C22F1/00 ,  C30B28/04 ,  C30B29/52

摘要： 一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法，本发明属于形状记忆合金固态制冷技术领域，具体涉及一种大弹热效应多晶Co‑V‑Ga‑Ti记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Co‑V‑Ga基形状记忆合金弹热制冷材料施加应力大且绝热温变低的问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xTix，0≤x≤3。采用铸态多晶合金电弧熔炼和均匀化热处理技术制备；应力滞后仅21MPa，400MPa驱动应力下就有‑10K的大绝热温变；性能系数COP最大达到31.7，本发明的工艺流程简单、超弹性能优异和大弹热效应等优点，在弹热制冷领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN114369874B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202111538126.0

申请日：2021-12-15

申请人： 中国科学院金属研究所

发明人： 盛乃成 ,  曹夕 ,  侯桂臣 ,  王振江 ,  荀淑玲 ,  谢君 ,  桑志茹 ,  周亦胄 ,  孙晓峰

IPC分类号： C30B29/52 ,  C30B15/08 ,  C30B15/10 ,  C30B15/36 ,  B22C7/02 ,  B33Y10/00 ,  C22C19/05 ,  C22C30/00

摘要： 本发明涉及单晶高温合金领域，具体为一种通过3D打印蜡模制备可控二次取向的合金试样的方法。该方法首先切割出轴向具有 、 晶体学取向的立方体籽晶，再采用3D打印技术制备不同形状的起始段蜡模，将籽晶与蜡模的定向组装成具有特定取向的蜡模组，制备陶瓷型壳，最后浇注出可精准控制二次取向的单晶高温合金试样。本发明通过3D打印蜡模与籽晶的定向组装，降低了传统手工组装蜡模带来的人工误差，优化了籽晶对单晶高温合金试样二次取向的把控。制备的高温合金试样一次及二次取向精度更高，可重复性更优，制备过程更简单高效，更加利于单晶高温合金二次取向控制产业化的实现。

公开(公告)号：CN118207629A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410538090.3

申请日：2024-04-30

申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

发明人： 伊冉 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  白玉 ,  史小峰 ,  张民 ,  张昆 ,  赵娜 ,  白园

IPC分类号： C30B29/52 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20

摘要： 本发明提供半导体级专用姆合金制备方法，涉及半导体级姆合金硅制备的技术领域，通过使用使用高纯热场拉制电阻面内分布均匀晶棒，再将晶棒切割成预定厚度的样片，将样片进行倒角、研磨、腐蚀、ML贴附、ML研磨、ＭＬ电阻測定、外观检查，得到姆合金；以在高纯热场下拉制晶棒使得晶棒内的金属含量低，然后控制样片厚度，对样品进行后续处理，降低杂质含量，使得制成的姆合金纯度高，进而姆合金拉制的产品的体金属稳定，电阻分布均匀，不同批次的电阻率均匀，电阻打靶的准确率提高。

公开(公告)号：CN118147519A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410265612.7

申请日：2024-03-08

申请人： 中国科学院赣江创新研究院

发明人： 许志一 ,  胡松林 ,  邸岩 ,  卫星宇 ,  王思佳 ,  张洪平

IPC分类号： C22C38/00 ,  C22C33/04 ,  B22F9/08 ,  B22F9/10 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  C30B13/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64 ,  H01F1/03

摘要： 本发明提供了一种磁致伸缩材料及其制备方法。所述磁致伸缩材料的化学式为(Fe1‑xGax)100‑yRyEz，其中，0.1≤x≤0.3，0

公开(公告)号：CN116855750B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310578617.0

申请日：2023-05-22

申请人： 山东大学

发明人： 陶绪堂 ,  姚倩 ,  李雪松

IPC分类号： C22B9/05 ,  C30B29/52 ,  C30B7/08

摘要： 本发明提供一种高光产额、超快闪烁衰减、低成本Cs3Cu2I5:Mn单晶闪烁体及其制备与应用。本发明单晶闪烁体包括如下摩尔份数的原料组分制得：碘化亚铜14‑18份，碘化铯28‑32份，氧化锰26‑30份，氢碘酸120‑130份，次磷酸10‑20份。本发明闪烁体中Mn2+的掺杂浓度为ppm级；所得单晶闪烁体具有超高光产额、优异能量分辨率和超快闪烁衰减等闪烁性能，且单晶尺寸大，成本较低；在137Csγ射线辐照下，该单晶具有95772photons/MeV的超高光产额和3.79％的出色能量分辨率，以及3.4ns(81.5％)的超快闪烁衰减时间。

公开(公告)号：CN118007227A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410063700.9

申请日：2024-01-16

申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

发明人： 毛俊 ,  赵鹏 ,  马晓静 ,  张倩 ,  曹峰

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/52 ,  H10N10/01 ,  H10N10/852

摘要： 本发明公开了一种单晶热电材料及其制备方法与应用。本发明单晶热电材料的制备方法包括如下步骤：于保护气氛下，制备原料经高温保温处理，降温后，得到所述单晶热电材料；其中所述制备原料包括镁源和铋源；所述降温速率包括0.01‑15℃/h。本发明中制得的单晶热电材料兼具高塑性变形能力以及高热电性能，用于柔性热电器件的前景好。