-
公开(公告)号：CN117810301A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311844957.X
申请日：2023-12-29
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
摘要： 本发明涉及电池片生产领域，具体涉及一种扩散均匀的topcon电池片生产用扩散炉，包括炉体及其上的炉门，炉体上安装有混合仓，混合仓前端连通安装有总进气管，总进气管上连通安装有至少两组进气支管，且混合仓上设置有搅动机构，炉体的腔室和混合仓之间贯穿安装有连接管，混合仓内设置有封盖，且混合仓上设置有动力件；炉体的腔室内固定有分流仓，分流仓与连接管连通安装，分流仓的底壁开设有分流孔，且分流仓内设置有调节机构。本发明通过加入总进气管、混合仓和搅动机构，各组气体通过相应进气支管进入总进气管进行初步混合，而后进入混合仓经搅动机构的工作进行二次混合，有利于各气体的充分均匀混合，提高了后续的扩散效果。
-
公开(公告)号：CN117431637B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311753075.2
申请日：2023-12-20
申请人： 无锡松煜科技有限公司
摘要： 本发明属于光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种硼扩散装置及其使用方法。本发明包括：封闭框架，用于封闭所述工作台；进气管，安装在所述封闭框架上，且所述进气管的内端与所述封闭框架内部呈气体连通状态；导气板，设置在所述进气管上，且用于将所述进气管流出的气体向侧向引导；筛板，设置在所述进气管的内端上；所述筛板上设有若干分散孔，所述分散孔倾斜设置，且倾斜方向与所述导气板的气体引导方向一致。通过封闭框架将工作台的四周封闭，在封闭框架多点安装与风机连接的进气管，并且在进气管的内端设置导风组件，使吹向工作台的风尽可能弥散，避免了风量集中在一点，产生的风速导致扬尘效应。
-
公开(公告)号：CN113966415B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202080045513.8
申请日：2020-05-28
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明所公开的附着物去除装置去除附着在从制造半导体晶体的腔室排放气体的排气管的附着物。所述附着物去除装置具备排气口开闭机构（51a），其具有：开闭与排气管连通的排气口24a）的阀体（69）；收纳阀体（69），可导入不活泼气体，可将排气口（24a）从外部隔离的密闭套66）；驱动阀体（69）的缸（67）；及驱动密闭套66）的缸（73）。通过缸（67）驱动阀体（69）开闭排气口（24a），通过缸（73）驱动密闭套（66），向驱动密闭套（66）导入大气。
-
公开(公告)号：CN116288731A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211101522.1
申请日：2022-09-09
申请人： 天合光能(宿迁)光电有限公司
发明人： 蒋健君
摘要： 本发明公开了一种气密性好的双气缸炉管设备，涉及炉管技术领域，包括壳体，所述壳体的一端固定连接有底座，所述底座的一端固定连接有支柱，所述底座的内部固定连接有压力板，所述压力板的底部固定连接有弹力板，所述底座的将内部开设有凹槽，所述凹槽的中部固定连接有缓冲弹簧。本发明通过采用隔热层、卡扣、固定块、吸附层、吸附元件、分离层和分离孔的配合，分离层通过中部开设的分离孔，可以将颗粒灰尘吸附至吸附层中的吸附元件上，解决了炉管设备在工作时容易进入颗粒灰尘，使炉管设备堵塞和效率降低，影响炉管设备使用寿命的问题，达到此设备具有可以吸附炉管内部颗粒灰尘的效果。
-
公开(公告)号：CN116145265A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310042255.3
申请日：2023-01-13
申请人： 江苏微导纳米科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种尾气管组件、炉体结构及扩散设备，包括第一管和第二管，第一管包括内层管和外层管，内层管配置于炉体的排气口，外层管套设于内层管外，并与内层管间隔形成第一隔热空间。第二管的一端与第一管相连接，并与内层管相连通，其另一端配置用于与外部结构相连通的配接。本申请的技术方案，第一管的内层管与排气口连通，尾气经过内层管时，由于第一隔热空间的存在，尾气的热量不会或者较少程度的传递至外层管，外层管的温度较低，如此可以有效缓解尾气的高温烫伤设置在外层管的密封连接件等结构，有助于保证尾气管组件的密封效果。
-
公开(公告)号：CN114883221A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210490587.3
申请日：2022-05-07
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 任攀
摘要： 本申请公开了一种半导体热处理设备，属于半导体工艺设备技术领域。该半导体热处理设备包括：腔室内管，腔室内管具有内周面；排气管，排气管与腔室内管连通；排气结构，排气结构设置于内周面，排气结构与腔室内管之间形成排气腔，排气腔与排气管相连通，排气结构上设置有排气口，排气口的总排气面积大于第一预设面积，以使腔室内管中的气体呈扩散状流入排气腔。上述方案能够解决半导体热处理设备易形成残留物、工艺腔室的压力较难在短时间内降低到目标值以及腔室内管的温度场不均匀的问题。
-
公开(公告)号：CN114709150A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210327901.6
申请日：2022-03-30
申请人： 江苏晟驰微电子有限公司
发明人： 王黎明
摘要： 本发明公开了一种用于高压保护器件制造的镓扩散设备及工艺，包括高温分散炉和闭合门，所述高温分散炉的正面安装有闭合门，所述高温分散炉正面的右侧安装有两组安装盘，所述高温分散炉的右侧安装有控制面板；所述高温分散炉的内侧嵌入安装有防护框，所述防护框的内侧安装有调节晶舟。所述高温分散炉的内部安装有降温风道，所述降温风道的内侧嵌入安装有水冷管，所述防护框的背面安装有反应罐。本发明通过安装有降温风道，通过降温内部的空气即可快速对内部的温度进行降低，并且间接性的降低加热层的温度能够防止出现电加热层出现使用寿命缩短的情况。
-
公开(公告)号：CN114657643A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011549164.1
申请日：2020-12-24
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶片处理设备。本申请的晶片处理设备包括反应室、连通管和挡板，连通管设于反应室的外部，用于连通反应室的内部与真空抽气装置，挡板设于连通管的内部，用于对流经连通管的部分气流进行遮挡，挡板上设有至少一个贯穿挡板的通气口。根据本申请的晶片处理设备，通过在挡板上设置通气口并通过挡板对流经连通管的部分气流进行遮挡，能够有效地减少抽气过程中的气流流量，从而减少反应室内反应气体的充入量，增加反应气体在反应室内的停留时间，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN114628272A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011436090.0
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供的一种用于半导体制造的气体输送管路以及扩散炉，涉及半导体技术领域，包括：相互连接的气体输送段和气体扩散段，所述气体扩散段上开设有多个喷射孔，所述喷射孔为棱形孔，气体自所述气体输送段输送至所述气体扩散段，所述喷射孔以雾态形式向外喷射所述气体。在上述技术方案中，棱形孔能够在喷射气体时调整喷射的角度，使气体从棱形孔内喷射出时，各个角度更为均匀，使喷射角度最佳化。因此，当气体粒子落在晶圆上时，也能够保持各个区域的厚度一致，从而提高晶圆的质量。
-
公开(公告)号：CN114606573A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210053500.6
申请日：2022-01-21
申请人： 济南晶硕电子有限公司
发明人： 郭光辉
摘要： 本发明公开了一种环保硼扩散源配方，包括以下重量份数配比的原料：乙二醇乙醚；三氧化二硼；硝酸铝和氧化铝，取三氧化二硼和乙二醇乙醚制备三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液，硝酸铝和乙二醇乙醚制备硝酸铝/乙二醇乙醚溶液，取三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液和硝酸铝/乙二醇乙醚溶液和氧化铝粉制备硼扩散液态源。该环保硼扩散源配方，通过将硅片依次经过表面腐蚀、表面氧化、干燥和抛光工序，将硅片放入氢氟酸/硝酸/水混合液体系的刻蚀溶液中反应再将硅片放入碱溶液中常温下反应，使得硅片在扩散后的表面浓度较高，解决硼扩散后由于二氧化硅吸硼作用造成的表面浓度低的问题，使得硅片在硼扩散后的均匀性较好，不会出现单一处硼扩散源较低的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
474 条记录 (耗时 0.015 秒)
