公开(公告)号：CN111579569B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202010469270.2

申请日：2020-05-28

申请人： 中国地质大学(武汉) ,  华研环科(北京)科技有限公司

发明人： 孙梦迪 ,  赵翔 ,  张林浩 ,  陈兴 ,  黄伟峰

IPC分类号： G01N23/20 ,  G01N23/202 ,  G01N23/20008

摘要： 本发明属于新兴的非常规油气实验技术领域，尤其涉及一种模拟高温高压样品环境的中子散射实验系统。一种模拟高温高压样品环境的中子散射实验系统，包括气源、中子散射装置和加热增压单元，所述气源的第三出气端与所述加热增压单元的第三进气端连接，所述加热增压单元的第四出气端与所述第一进气端连通，所述气源用于向所述加热增压单元输送气体，所述加热增压单元用于对气体进行加热增压处理后再输送至所述壳体内。本发明所述的中子散射实验系统，其能实现在中子散射实验中模拟地层原位高温高压的样品环境，更使得使中子散射技术在超压、常压等原位气体压力条件下页岩气储层纳米孔隙结构表征上的应用成为可能。

公开(公告)号：CN115047017B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202210764366.0

申请日：2022-06-29

申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所

发明人： 夏元华 ,  张昌盛 ,  李昊 ,  谢超美 ,  谢雷 ,  陈喜平 ,  房雷鸣 ,  孙良卫

IPC分类号： G01N23/20008

摘要： 本发明提出了一种原位中子衍射实验用可充气高温加载装置，包括加热炉、加热模块、高压样品杆组件、样品室、控制箱等。加热炉炉体中部为中子窗口。炉体内部为加热模块，包括采用Ni‑Cr电阻丝绕制成筒状电阻丝加热体，以及加热体外部罩设的铌箔隔热屏。高压样品杆组件插设于加热炉上，包括高压样品杆及其内部同轴铠装热电偶，热电偶直达高压样品杆底部的样品室，实现样品室温度的精准测量。样品室位于筒状电阻丝加热体内，且与中子窗口同高度。控制箱与系统真空、冷却水温及水流、温度控制及监测连接后，同时与计算机相连实现远程控制。本发明解决了现有技术中低温段控温不准、不具备原位气氛条件等问题，实现了不同温度和气氛条件下晶体结构原位表征。

公开(公告)号：CN118549474A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410609799.8

申请日：2024-05-16

申请人： 华能国际电力江苏能源开发有限公司 ,  西安热工研究院有限公司 ,  华能南京燃机发电有限公司

发明人： 肖俊峰 ,  翟春华 ,  陈志锋 ,  王开柱 ,  黄庆 ,  焦道顺 ,  周建 ,  章恂 ,  潘赫男 ,  孙正标 ,  桂洪波 ,  谷睿轩 ,  于佳滨 ,  苏通 ,  李军 ,  王乾远 ,  奚新国 ,  袁源 ,  史华仁 ,  王文一 ,  阴海强 ,  刘家澍 ,  曹殿尧 ,  章文茜 ,  徐小卜

IPC分类号： G01N23/203 ,  G01N23/20008 ,  G06F30/27 ,  G06F30/17 ,  G06F119/04

摘要： 本发明公开了一种燃气轮机用定向高温合金寿命评估方法及系统，涉及材料评估技术领域，包括将定向高温合金试棒进行粗切，得到圆形试样；确定试样的二次晶向，并进行压痕试验；对压痕后的圆形试样进行热处理后立即从炉中取出并进行空冷；在距压痕中心位置对热处理后的圆形试样进行切割，将一端切割面镶嵌，对镶嵌样品高温合金部分的非再结晶区域进行压痕标记；对镶嵌样品进行研磨和抛光，并进行电解抛光；对处理后的镶嵌样品进行EBSD分析，并基于深度学习的晶粒分析算法对EBSD分析得到的数据进行处理和分析；将得到的二维图像导入Mimics软件，转化为三维图像，进行再结晶体积的计算。本发明更准确地预测再结晶含量对定向高温合金高温蠕变寿命的影响。

公开(公告)号：CN118533874A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202310913340.2

申请日：2023-07-24

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 李在洪 ,  朴柾垣 ,  姜暋镐 ,  李旼映 ,  张炯硕 ,  郑元淙 ,  金镇夏 ,  南宫桷 ,  尹亨埈

IPC分类号： G01N23/04 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N23/20008 ,  G01N21/64 ,  G01N21/65 ,  G01N21/552 ,  G01N21/84

摘要： 提供生物材料检测传感器和制造生物材料检测传感器的方法。在一些实施例中，生物材料检测传感器包括包含多个阱的膜。所述多个阱中的每个阱被配置为装包含在样品溶液中的生物材料。膜的表面选择性地被改性为亲水性表面和疏水性表面中的至少一种。在一些实施例中，制造生物材料检测传感器的方法包括：在晶片的相应的表面上沉积第一膜和第二膜，通过对第一膜和晶片的第一表面进行蚀刻来形成窗口，在第二膜上形成多个阱，将第二膜的表面改性为亲水表面和疏水表面中的至少一种；以及将二维氧化石墨烯材料转移到所述多个阱中的每个阱的底部上。

公开(公告)号：CN114324427B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202111658118.X

申请日：2021-12-30

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根

IPC分类号： G01N23/20091 ,  G01N23/20008 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2206 ,  G01N23/2251 ,  H01L21/66

摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种功率半导体器件封装烧结评估方法，其中，包括：准备待评估样品，其中所述待评估样品包括金属层和依次设置在所述金属层上的焊料层和芯片；对所述待评估样品进行烧结，得到烧结后样品；根据形貌分析工具对所述烧结后样品进行形貌分析；根据成分分析工具对所述形貌分析后的烧结样品进行成分分析，得到成分分析结果；根据所述成分分析结果得到所述待评估样品的评估结果。本发明提供的功率半导体器件封装烧结评估方法实现了从微观和宏观两方面对烧结工艺的可靠性进行评估，能够确保最终的烧结结果的可靠性。

公开(公告)号：CN118501193A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410632596.0

申请日：2024-05-21

申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司

发明人： 姚力军 ,  潘杰 ,  石春红 ,  王学泽

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N23/203

摘要： 本发明提供了一种钴靶材EBSD检测的制样方法，所述制样方法包括将钴靶材切割成钴靶块；对所述的钴靶块依次进行第一研磨、第二研磨、第三研磨和抛光处理，得到抛光靶材；对所述的抛光靶材依次进行腐蚀处理、冲洗处理和吹干处理，完成钴靶材EBSD检测的制样。在本发明中，制样方法操作简单，能够实现对钴靶材的制样，样品表面光滑平坦，无明显划痕和过度腐蚀，保证所制样品用于EBSD检测时所得图像的清晰度，EBSD检测时标定率较高，可达90％，结果准确，适合推广。

公开(公告)号：CN118501192A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410600686.1

申请日：2024-05-11

申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司

发明人： 刘振 ,  顾斌

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N23/207

摘要： 一种X射线衍射装置和控制方法，涉及成像装置技术领域，X射线衍射装置包括X射线源、试样台、X射线探测器和一维弯晶，X射线源用于产生第一X射线，试样台用于放置待测材料，X射线探测器用于探测待测材料产生的待测衍射X射线，一维弯晶具有衍射面，衍射面为曲面，曲面在X射线源至X射线探测器的方向上弯曲，衍射面用于发生衍射并会聚第二X射线至试样台，以在试样台上形成光斑，一维弯晶用于使第二X射线在多个角度同时入射到待测材料。本申请通过使X射线衍射装置满足上述结构，有利于使得在单位测量时间内，待测材料的多个衍射面同时发生衍射，节省了X射线衍射装置对单个待测材料进行测试的测量时间，提升了X射线衍射装置的测试速度。

公开(公告)号：CN118501191A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410452719.2

申请日：2024-04-16

申请人： 散裂中子源科学中心 ,  中国科学院高能物理研究所

发明人： 谢武 ,  缪平 ,  康乐 ,  马静静 ,  季文海 ,  谭振宏 ,  曹秀霞 ,  吴延岩 ,  柯志勇 ,  李波 ,  王铜 ,  申旭东 ,  袁宝 ,  高德祥

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N23/20025 ,  G01N23/207

摘要： 本发明公开了一种用于中子衍射实验的常温自动换样装置，包括基座、样品盘旋转机构与送样机构，基座上开设有安装口，样品盘旋转机构设置于安装口内，样品盘旋转机构包括样品盘与用于驱动样品盘转动的样品驱动组件，样品盘的外周沿其周向竖立有多个样品杆，样品杆的下端设有样品盒，样品盘内设有多个与样品杆相对应的复位组件，在复位组件的作用下，样品杆始终具有上升的趋势，送样机构设置于基座上且位于样品盘旋转机构的一侧，送样机构用于推动其中一个样品管下降并带动其转动，本发明通过样品盘旋转机构与送样机构的设置，换样过程不存在样品盒与样品杆的分离与抓取过程，更加安全可靠。

公开(公告)号：CN118500844A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410496387.8

申请日：2024-04-24

申请人： 上海季丰电子股份有限公司

发明人： 王静 ,  马旭文 ,  高强

IPC分类号： G01N1/28 ,  G01N23/04 ,  G01N23/20008

摘要： 本发明提供了一种具有3D NAND深孔结构的TEM样品的制备方法及TEM样品。所述制备方法包括以下步骤：在半导体3D NAND的表面定位具有深孔结构的目标区域，并标记；将离子减薄树脂涂敷于目标区域的表面，并固化，形成保护层；采用聚焦离子束将目标区域与半导体3DNAND的本体分离，得到待减薄的样品；用静电吸附针待减薄的样品转移至FIB载网的顶端，并固定；采用聚焦离子束对待减薄的样品进行细修，得到所述具有3D NAND深孔结构的TEM样品。所述TEM样品的制备方法有效地避免了“窗帘效应”，制备的时效快、成功率高。

公开(公告)号：CN115494095B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202210785269.X

申请日：2022-07-05

申请人： 港珠澳大桥管理局 ,  中国航发北京航空材料研究院

发明人： 李书亮 ,  杨振波 ,  薛磊 ,  李国红 ,  戴圣龙 ,  陆峰 ,  王鹏 ,  冯淋畅 ,  魏绍斌

IPC分类号： G01N23/2055 ,  G01N23/20008 ,  G01N23/207

摘要： 本发明涉及一种无损检测装置及其检测方法、无损检测设备，无损检测装置包括机架、主机及控制器，主机包括X光管、准直器、两个线阵探测器、两个激光对焦器，X光管安装于机架，与控制器通信连接；准直器安装于X光管且二者光口正对；两个线阵探测器安装于机架并位于X射线的两侧，且与X光管满足公式2dsin(90°‑θ/2)＝λ，与控制器通信连接，用于采集并传输X射线的衍射信号；两个激光对焦器安装于机架并位于X射线的两侧，与控制器通信连接，用于采集准直器光口与涂层裂缝下焊缝表面的间距；控制器用于根据准直器光口与涂层裂缝下焊缝表面的间距控制X光管对焦，及用于根据衍射信号确定涂层裂缝下焊缝的表面信息，检测简便快捷，能远程控制。