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公开(公告)号：CN110940907B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910729373.5
申请日：2019-08-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在一些实施例中，提供一种半导体晶片测试系统及用于测试安置在半导体晶片上的集成芯片的方法。半导体晶片测试系统包含具有一个或多个导电探针的半导体晶片探测器，其中半导体晶片探测器被配置成将一个或多个导电探针定位在安置于半导体晶片上的集成芯片上。半导体晶片测试系统还包含铁磁性晶片卡盘，其中铁磁性晶片卡盘被配置成在晶片探测器将一或多个导电探针定位在集成芯片上时固持半导体晶片。上部磁铁安置在铁磁性晶片卡盘上方，其中上部磁铁被配置成在上部磁铁与铁磁性晶片卡盘之间产生外部磁场，且其中铁磁性晶片卡盘放大外部磁场，以使得外部磁场以放大的磁场强度穿过集成芯片。
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公开(公告)号：CN118625089A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411054456.6
申请日：2024-08-02
摘要： 本发明提供了一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，在单独判断开关器件内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率的变化趋势，确认为氧化层缺陷密度增加或界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化。而开关器件还会出现封装退化，封装出现退化时，会导致开关器件的串联电阻增加，电流变化率增大，进而在判断开关器件封装和内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率减小确认为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；电流变化增大时，通过导通电阻和低频噪声检测二次检测，确认出准确封装和/或界面缺陷密度增加引起开关器件出现退化。
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公开(公告)号：CN118209839A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410302104.1
申请日：2024-03-14
申请人： 睢宁摩尔科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体集成电路加工缺陷检测方法和系统，涉及半导体集成电路检测技术领域。所述方法包括：控制半导体集成电路使用最大功率运行第一预设时间段；在第一预设时间段结束时，通过双目摄像头拍摄半导体集成电路的第一待测图像和第一红外图像；确定第一红外图像的第一异常发热区域，以及待测半导体器件的位置信息；控制半导体集成电路使用最大功率继续运行第二预设时间段；在第二预设时间段结束时，通过红外摄像头拍摄半导体集成电路的第二红外图像；确定第二红外图像的第二异常发热区域；确定待测半导体器件的加工缺陷评分；确定存在加工缺陷的目标半导体器件。根据本发明，可对存在加工缺陷目标半导体器件准确定位，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN117890741A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310841960.X
申请日：2023-07-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 实施例提供了一种测试元件组(TEG)电路，包括：第一焊盘，被配置为接收要供应的测试电压；放大器，包括连接到第一焊盘的第一输入端子、连接到测试晶体管的第一端子的第二输入端子、以及电连接到第二输入端子的输出端子；可变电阻器，包括连接到放大器的输出端子的一个端子和连接到测试晶体管的第一端子的另一端子；以及栅极驱动电路，向测试晶体管的栅极供应栅极电压。
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公开(公告)号：CN112310071B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011192438.6
申请日：2020-10-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 邹立
摘要： 本发明提供一种测试结构、测试结构版图及其形成方法和测试方法，通过设计测试结构版图，在形成测试结构时，可以将第一金属层、第一接触结构、第二金属层、第二接触结构和第三金属层之间连接，并形成多个通路，从而可以通过形成的通路对各所述第一接触结构进行测试。在测试方法中，通过测量第一金属层与第三金属层之间的电流值，可以有效的确定第一接触结构是否存在缺陷，从而能够根据测量的结果有效的反映实际的SRAM器件中接触孔工艺的情况。
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公开(公告)号：CN110082663B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910465044.4
申请日：2019-05-30
发明人： 胡道平
摘要： 本发明公开了一种直流双电源隔离二极管击穿报警装置，包括壳体和安装在壳体内的电路板，壳体的下侧设置有四组接线柱，分别为第一输入接线柱、第二输入接线柱、输出接线柱和报警输出端子，第一输入接线柱和第二输入接线柱的正极各通过正极导线串联两个二极管后与输出接线柱的正极连通，负极各通过负极导线直接与输出接线柱的负极连通，电路板上安装有三极管Ⅰ、三极管Ⅱ、光耦Ⅰ、光耦Ⅱ和报警电路元件。本发明外观美观，安全性能高，在其中一只二极管发生击穿后还能保持隔离状态，并且能够及时报警，具有显著的经济价值和社会价值。
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公开(公告)号：CN117459042A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311774632.9
申请日：2023-12-22
申请人： 瓴芯电子科技(无锡)有限公司
IPC分类号： H03K17/082 , G01R31/27 , G01R31/52 , G01R31/54
摘要： 本申请公开了一种功率开关芯片、对其输出端状态检测的方法及电子设备，所述芯片包括功率晶体管，比较单元，控制单元，上拉支路；其中，所述控制单元的第一控制端配置为接收使能信号，当使能信号失效时，所述功率晶体管断开；所述控制单元的第二控制端配置为接收监测信号，在所述使能信号失效后，其中，所述控制单元的第一控制端配置为接收使能信号，当使能信号失效时，所述功率晶体管断开；所述控制单元的第二控制端配置为接收监测信号，在所述使能信号失效后，所述控制单元在所述监测信号的控制下配置为产生控制信号，并控制所述上拉支路的状态以决定是否向芯片的输出端提供上拉电流。
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公开(公告)号：CN116701111A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310633140.1
申请日：2023-05-31
申请人： 深蓝汽车科技有限公司
发明人： 陈宇
摘要： 本发明提出一种监控驱动芯片寄存器状态的方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：对驱动芯片运行时的关键寄存器进行监控，即通过获取驱动芯片寄存器的写入值和读取值，在写入值和读取值不一致的时候，对驱动芯片进行复位，以保证驱动芯片寄存器读写的值一致，保证在驱动芯片上电一定时间内，能够对寄存器的工作状态进行实时监控，并且还能够对寄存器的异常状态进行处理，以确保输出脉宽调制信号。
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公开(公告)号：CN110927551B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201911218123.1
申请日：2019-12-03
申请人： 西安西电电力系统有限公司 , 中国西电电气股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种晶闸管换流阀组件短路电流试验回路，该晶闸管换流阀组件短路电流试验回路包括：分别连接至晶闸管换流阀组件的电压施加模块、合成回路试验模块和短路电流试验模块；所述合成回路试验模块用于控制所述晶闸管换流阀组件处于预设的正常运行预热工况；所述合成回路试验模块还用于在所述电压施加模块向该晶闸管换流阀组件施加电压以及所述短路电流试验模块向该晶闸管换流阀组件施加短路电流时，获取该晶闸管换流阀组件的电压及电流波形信息。本申请能够降低晶闸管换流阀组件短路电流试验回路的结构复杂度，并能够提高晶闸管换流阀组件试验的灵活度和准确度。
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公开(公告)号：CN115372779A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210995242.3
申请日：2022-08-18
申请人： 无锡芯光互连技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种热光开关阵列工作状态测试方法及装置，包括：待测试的光交换网络、激光发射器及光检测探测器、控制板，所述激光发射器及光检测探测器集成在HOST装置中，四个HOST装置与光交换网络的八个光纤接口连接，所述控制板与四个HOST装置及光交换网络电性连接；检测步骤为：根据热光开关衰减特性曲线选取曲线段，选定对多阶光交换网络的热光开关工作状态进行检测时驱动电流的初始电流起始点；设置光交换网络只有一个输入端口接收设定光强的光信号，依次检测多阶光交换网络中每个热光开关平行状态和交叉状态的最佳驱动电流。本方法与传统技术相比，能够检测一个N*N热光开关阵列集成芯片中各个热光开关工作状态的电气特性，实现自动化检测。
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