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公开(公告)号：CN117917732A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310990375.6
申请日：2023-08-08
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、导电部、元件部、第1端子、第2端子、第3端子以及第4端子。所述导电部与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘。所述第1端子及所述第2端子与所述导电部电连接。所述元件部设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接，是导电性的。所述第3端子与所述第1磁极电连接。所述第4端子与所述第2磁极电连接。向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
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公开(公告)号：CN114730568B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202080079729.6
申请日：2020-06-01
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 在一个实施例中，一种写头包含主极。晶种层位于所述主极上方。自旋极化层(SPL)位于所述晶种层上方。间隔物层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述间隔物层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述后屏蔽物之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。在另一实施例中，一种写头包含主极。间隔物层位于所述主极上方。SPL位于所述间隔物层上方。罩盖层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述罩盖层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述主极之间形成第一接口且在所述间隔物层与所述SPL之间形成第二接口。所述第一接口具有大于所述第二接口的面积的面积。
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公开(公告)号：CN116194990A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180060890.3
申请日：2021-07-12
申请人： 国立大学法人京都大学
发明人： 小野辉男
IPC分类号： G11B5/39
摘要： 本发明提供一种减小畴壁运动所需的驱动电流并且改善畴壁运动的可控性的磁存储元件的层结构，并且提供一种具有该层结构的磁存储元件。磁存储元件(10)的层结构(9)，包括：多个第一强磁性层(1)，具有可切换的自旋状态；以及边界层(2)，各自位于多个第一强磁性层(1)的每对之间以形成畴壁，边界层(2)使多个第一强磁性层(1)之间生成强磁性相互作用(Aex)。
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公开(公告)号：CN115461882A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180031695.8
申请日：2021-04-28
申请人： 田中贵金属工业株式会社
摘要： 本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的磁性能的面内磁化膜。该面内磁化膜是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下，相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的上述氧化物，该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下。
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公开(公告)号：CN114730571A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202180006699.0
申请日：2021-05-24
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G11B5/39
摘要： 本公开总体涉及自旋轨道扭矩(SOT)差分读取器设计。该SOT差分读取器是多端子设备，该多端子设备包括第一种子层、第一自旋霍尔效应(SHE)层、第一中间层、第一自由层、间隙层、第二种子层、第二SHE层、第二自由层和第二中间层。间隙层设置在第一SHE层与第二SHE层之间。用于第一种子层和第二种子层、第一中间层和第二中间层以及第一SHE层和第二SHE层的材料和尺寸会影响由从第一自由层和第二自由层注入的自旋电流转换所得的自旋霍尔电压，并且会影响调谐第一SHE层和第二SHE层的能力。此外，SOT差分读取器提高了读取器分辨率，而不会减小屏蔽件‑屏蔽件间距(即，读取间隙)。
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公开(公告)号：CN108701721B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780011944.0
申请日：2017-11-14
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L29/82 , G11B5/39 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
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公开(公告)号：CN108292922B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201680069664.0
申请日：2016-11-21
申请人： 诺基亚技术有限公司
发明人： M·阿斯特莱
IPC分类号： H03K17/96 , G01N27/04 , G01J5/20 , G01R33/09 , G01F23/24 , G05D23/24 , G06F3/045 , G11B5/39 , H01L43/08 , H01L27/146 , H04N5/378
摘要： 一种装置，包括：电阻元件(250)的无源阵列(202)；行选择器开关(204)和列选择器开关(206)，其被配置为分别将电阻元件的特定行和特定列连接到地；以及反馈列选择器开关(208)，其被配置为除了通过列选择器开关连接到地的电阻元件的特定列之外，将电阻元件的所有列连接到电压源，该电压源被配置为向电阻元件的列施加电压，该电压与在通过行和列选择器开关连接成电路的电阻元件上下降的电压相匹配；并且还包括：行选择器开关补偿电路(220)、列选择器开关补偿电路(240)和/或反馈列选择器开关补偿电路(260)，其分别被配置为在对应的虚拟元件上施加与对应的选择器开关上下降的电压相等且相反的电压。
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公开(公告)号：CN113302693A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080009541.4
申请日：2020-01-16
申请人： 佳能电子株式会社
摘要： 增大磁识别传感器中的滑动面侧的施加磁场，实现传感器的输出提高和波形的稳定化。提出一种磁识别传感器，在与被输送的介质相接的滑动面的下部组装有磁铁以及磁检测元件，判别介质内的磁体部分的磁图案，其特征在于，将相对于滑动面具有垂直的NS方向的长方体的一对磁铁以成为互相逆极性的方式以预定的间隔平行地在介质输送方向上排列，各个磁铁的单侧的磁极与滑动面下部接近地配置，而且，该滑动面的相对侧的磁极彼此由铁基的轭材料连结，形成大致コ字状(马蹄形)的着磁部分，在其内侧的空间中配置相对于滑动面具有垂直方向的磁场探测方向的磁检测元件，利用所述磁检测元件对通过滑动面上的一对磁铁上而在介质输送方向上被磁化的介质的磁图案进行读取。
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公开(公告)号：CN113284518A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010564599.7
申请日：2020-06-19
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备：第1盘，具有第1面；第2盘，具有与第1面不同的第2面；第1头，具有第1写入头和第1辅助元件，第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据，第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，具有第2写入头和第2辅助元件，第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据，第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量；及控制器，根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。
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公开(公告)号：CN110199352B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
申请人： 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
摘要： 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4的b、图4的c)；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4的d)；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4的e)；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4的f)；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4的g)。
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