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公开(公告)号:CN118447897A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410525553.2
申请日:2024-04-29
申请人: 上海交通大学
IPC分类号: G11C13/00 , H10N70/20 , H10K10/50 , H10K85/30 , G11C13/02 , G11C11/56 , G16C20/50 , G16C20/10
摘要: 本发明提供一种基于金属有机配合物的分子存内逻辑器件及其制备方法,该器件包括:底电极;金属有机配合物单分子层,其自组装在底电极表面;金属有机配合物单分子层采用金属有机配合物形成,金属有机配合物具有氧化还原活性金属阳离子和可移动的平衡阴离子,可移动的平衡阴离子用于实现器件的逻辑计算功能,氧化还原活性金属阳离子用于实现器件的记忆功能;顶电极,位于金属有机配合物单分子层上方;底电极和顶电极分别作为器件的输入,该器件通过调节输入值和输入电压,得到多重电导态和逻辑输出值,实现存内计算。本发明提供的器件,其逻辑操作简单,具有稳定的多重记忆电导态,可以广泛应用于今后的大体量数据计算和器件微缩集成。
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公开(公告)号:CN117275550A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311312377.6
申请日:2023-10-11
申请人: 湖南科技大学
摘要: 本发明涉及DNA信息储存技术领域,公开了一种DNA信息写入装置,包括DNA短链溶液储存装置、加样控制装置、加样执行装置和加样检测装置,所述DNA短链溶液储存装置、加样控制装置、加样执行装置和加样检测装置均安装在基台上,所述恒温控制装置的内部阵列排布有多个DNA短链储存罐,所述加样执行装置包括与DNA短链储存罐相连接的微量加样蠕动阀,所述微量加样蠕动阀的一侧连接有定量加样装置,所述定量加样装置上安装有驱动定位装置,所述驱动定位装置包括两个高精度丝杆、与两个高精度丝杆一端相连接的伺服马达、位置传感器和传动平台。本发明有效规避了合成与测序环节,且具有存取速度快,成本低等特点,具有更好的应用前景。
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公开(公告)号:CN110364206B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN201910181593.9
申请日:2019-03-11
申请人: IMEC 非营利协会
摘要: 根据本发明概念的一个方面,提供了一种分子合成设备,包括:合成阵列,该合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列,以及非易失性存储器,该非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线,其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管,其中合成阵列的每个合成位置处的电极被连接到非易失性存储器的位单元中的相应一个的第一源极/漏极端子。
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公开(公告)号:CN111480200A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201880081341.2
申请日:2018-12-21
申请人: 美光科技公司
摘要: 描述了与自动参考存储器单元读取技术有关的方法、系统和装置。在将用户数据存储在存储器单元中之前,自动参考读取可以对用户数据进行编码以包括具有第一逻辑状态的一定数量的位。随后,可以通过向存储器单元施加读取电压,同时通过激活具有第一逻辑状态的存储器单元的子集来监测一系列开关事件,来执行对编码用户数据的读取。自动参考读取可以识别与存储器单元的子集的中值阈值电压值相关的特定开关事件。然后,自动参考读取可以确定参考电压,所述参考电压考虑了存储器单元的子集的阈值电压分布的统计特性。自动参考读取可以基于确定参考电压来识别要保持读取电压的持续时间。
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公开(公告)号:CN110055052A
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201910459619.1
申请日:2019-05-29
申请人: 北京印刷学院
摘要: 本发明涉及一种偶氮苯荧光材料及其制备方法,属于荧光材料应用技术领域,其步骤如下:(1)、取2重量份的偶氮苯,与1重量份的二环己基碳二亚胺(DCC)和0.1重量份的4-二甲胺基吡啶(DMAP)溶解在10重量份的甲苯中;(2)、在室温下,加入反应量的胺基基团修饰的油溶性CdSe/ZnS核壳量子点;(3)、在室温下静置;(4)、在离心机里离心,分离,去上层溶液,加入甲苯,重复步骤,直至上层溶液清澈,得偶氮苯荧光材料。本发明通过酰胺键化学作用将具有顺反转变光化学性质的偶氮苯基元配体修饰到具有核壳结构的量子点上,赋予量子点荧光可调性,有望用于生物成像等发光探针上。
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公开(公告)号:CN104011690B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201180075995.2
申请日:2011-12-29
申请人: 英特尔公司
CPC分类号: G06F3/0644 , G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/023 , G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F12/08 , G06F12/10 , G06F12/1009 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G11C7/1006 , G11C11/56 , G11C16/00 , Y02D10/13
摘要: 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中,该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器(NVRAM)指定为用作可替换于动态随机存取存储器(DRAM)的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后,该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后,该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
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公开(公告)号:CN103999057B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201180076011.2
申请日:2011-12-30
申请人: 英特尔公司
发明人: L.K.普蒂耶达思 , M.T.琼斯 , S.R.特特里克 , R.J.小罗耶 , R.K.拉马努彦 , G.J.欣顿 , B.芬宁 , R.S.吉廷斯 , M.A.施米索伊尔 , F.T.哈迪 , R.W.法伯
CPC分类号: G11C16/3431 , G06F11/1048 , G06F12/0246 , G11C13/0004 , G11C14/0045
摘要: 描述与PCM(具有开关的相变存储器)装置的元数据的管理和/或支持相关的方法和设备。在一个实施例中,PCMS控制器基于元数据来允许对PCMS装置的访问。元数据可用来提供效率、耐久性、纠错等,如本公开中所述。还公开并且要求保护其它实施例。
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