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公开(公告)号：CN113410110B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110513830.4
申请日：2021-05-07
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成，电极A为功函数较低的金属材质，介电体中间具有一个贯通的真空通道，电极B为重掺杂半导体材质；使用时，电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定，激发电子较多电流较大，对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。
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公开(公告)号：CN114496686A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111633265.1
申请日：2021-12-28
申请人： 中山大学
摘要： 本发明涉及真空微电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法，底部阴极电极条平行排布于衬底顶部，底部栅极电极条平行排布于第一绝缘层顶部，实现底部阴极电极条和底部栅极电极条的分层独立布线，且底部阴极电极条与底部栅极电极条垂直排布，顶部阴极电极通过第一刻蚀通孔与底部阴极电极条相连，顶部栅极电极通过第二刻蚀通孔与底部栅极电极条相连，实现器件可行列寻址的电子发射，本发明的可寻址的纳米冷阴极电子源阵列，实现每一行顶部栅极电极的并联，每一个顶部栅极电极的正常工作不受其他顶部栅极电极的影响，提高器件在高压大电流下的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN112233953A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011096363.1
申请日：2020-10-14
申请人： 南京航空航天大学
发明人： 刘维浩
IPC分类号： H01J19/24
摘要： 本发明公开了一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管，包括彼此平行面对的阳极板和阴极板，设置于阳极板和阴极板之间的介质层环；介质层环的外侧面与阳极板的侧面对齐，介质层环的外侧面与阴极板的侧面对齐，介质层环的其中一个表面与阳极板上与阴极板相对的那一面接触，介质层环的另一个表面与阴极板上与阳极板相对的那一面接触，阳极板、阴极板和介质层环共同形成一个密封腔，阴极板为场发射阵列或者阴极板为平板且平板上与阳极板相对的那一面涂覆有场发射材料，阴极板的宽度大于阳极板与阴极板之间间距的20倍以上。通过调节二极管的偏置电压，即可改变高频场的工作频率，从而得到频率的可调的太赫兹电磁波输出。
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公开(公告)号：CN106653520B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201611124177.8
申请日：2016-12-08
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 一种场发射阴极的制造方法，所述方法包括：提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片，在所述石墨烯纳米片的表面沉积六方氮化硼纳米片，使得六方氮化硼纳米片与石墨烯纳米片之间形成稳定的复合纳米结构，降低了石墨烯的功函数，增加了石墨烯表面的局域电场，从而明显降低阴极的开启电场，提高其发射电流。并且，六方氮化硼纳米片部分阻止了石墨烯受到阳离子的轰击，提高了阴极的发射稳定性。
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公开(公告)号：CN105355521A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510853484.9
申请日：2015-11-28
申请人： 青岛科技大学
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J19/24 , H01J2201/30484
摘要： 本发明公开了一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，该方法是将SiC纳米线置于管式炉中，抽真空至100Pa后，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa；以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min；关闭通气阀门，关闭电源，随炉冷却至室温得到提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线。该方法具有掺氮温度及能耗低，设备要求低，操作简便等优点，以制得的N掺杂SiC纳米线为场发射阴极材料具有比未掺杂的SiC纳米线更低的开启电场(0.8～1.05V/μm)和阈值电场(4～4.7V/μm)，在场发射冷阴极的制造方面，体现出较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN105161389A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510674912.1
申请日：2015-10-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J19/24
摘要： 本发明公开了一种微波调制冷阴极微型辐射源及其实现方法，解决了现有技术的问题。该微波调制冷阴极微型辐射源包括利用微波调制的冷阴极电子枪；互作用谐振腔，与利用微波调制的冷阴极电子枪配合使用；互作用谐振腔包括谐振腔壳体，两个相对并分别设置在谐振腔壳体内部上下两端的电子注漂移管道，两个电子注漂移管道之间具有间隙，且位于上端的电子注漂移管道为收集极；在谐振腔壳体的一侧上还设置有凸出谐振腔壳体的外导体和位于外导体内的内导体，在二者之间还设置有陶瓷输出窗片，外导体、内导体和陶瓷输出窗片同轴；外导体中空并与谐振腔壳体连通；在谐振腔壳体内与内导体同侧还设置有耦合环，耦合环一端与内导体连接、另一端与谐振腔壳体内壁连接。
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公开(公告)号：CN104246960A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280057923.X
申请日：2012-11-26
申请人： 塞莱斯ES股份有限公司
发明人： 贾科莫·乌利塞 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 阿尔多·迪卡洛 , 费迪南多·里奇 , 菲利波·杰玛 , 安娜·玛丽亚·菲奥雷洛 , 马西米利亚诺·迪斯彭扎 , 罗伯塔·布蒂廖内
CPC分类号： H01J19/24 , H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J19/32 , H01J19/38 , H01J19/46 , H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明涉及一种器件(11,21)，其包括：阴极(14)，该阴极位于阴极平面上并且在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的一个或多个阴极直指状端子(14b)；对于每个阴极端子(14b)而言，一个或多个电子发射器(14c)形成在所述阴极端子(14b)上并且与之欧姆接触；以及栅电极(15)，该栅电极(15)位于平行于所述阴极平面并与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，栅电极不与阴极(14)重叠，并且栅电极在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的两个或更多个栅极直指状端子(15b)；其中，栅极端子(15b)与所述阴极端子(14b)交错。
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公开(公告)号：CN1643636A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN02816059.2
申请日：2002-06-14
申请人： 海珀里昂催化国际有限公司
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J29/481 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
摘要： 本发明涉及包括阳极与阴极的场发射器件，其中所述阴极包括经过了能量、等离子体、化学或机械处理的碳纳米管。本发明还涉及包括业已经过这种处理的碳纳米管的场发射阴极。还公开了用来处理此碳纳米管和用于形成场发射阴极的方法。另外也公开了包括经过这种处理的碳纳米管的场发射显示器件。
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公开(公告)号：CN1482646A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03178790.8
申请日：1997-10-13
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
摘要： 本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN1471720A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN01817974.6
申请日：2001-10-26
申请人： 科学应用国际公司
发明人： 爱德华·维克托里·乔治 , 亚当·托马斯·德罗博特 , 罗杰·拉弗内·约翰逊 , 艾伯特·迈伦·格林 , 纽厄尔·孔韦尔·韦思
CPC分类号： G02B6/0033 , G02B6/0036 , G02B6/0065
摘要： 本发明公开了一种在两个基板(10，20)之间夹有许多微组件(40)的发光板。每个微组件(40)都包含一种气体或一种混合气体(45)，当通过至少两个电极(10，20)在该微组件上施加足够大电压时该气体可以被电离。本发明还公开了几种改进的形成微组件(40)的方法。
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