公开(公告)号：CN113889531B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202111424557.4

申请日：2021-11-26

申请人： 深圳市晶相技术有限公司

发明人： 林信南 ,  石黎梦

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

公开(公告)号：CN118888576A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410975621.5

申请日：2024-07-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 芦浩 ,  马晓华 ,  陈龙 ,  侯斌 ,  杨凌 ,  张濛 ,  邓龙格 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

摘要： 本发明公开了一种位移场耦合的欧姆接触及其制备方法，包括：衬底层；依次位于衬底层上的底层栅极、栅介质层、异质结构；多个源极、漏极，均位于异质结构的表面，所有源极、所有漏极分别通过空气桥连接，每个漏极被若干源极环绕；若干TSV通孔，每个TSV通孔贯穿异质结构直至底层栅极，且在TSV通孔内壁设置有TSV介质层、在TSV通孔内设置有互联金属；若干TSV引出栅极，每个TSV引出栅极位于一TSV通孔上，且与该TSV通孔内的互联金属接触；其中，每个源极和漏极的有效宽度，以及相邻源极之间、相邻源极和漏极之间的距离通过麦克斯韦电磁理论而确定。本发明实现了位移场运输方式，使得欧姆接触具备更高的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN118866845A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310488328.1

申请日：2023-04-28

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 胡彬 ,  饶进 ,  何涛 ,  陆天皓 ,  段焕涛 ,  李海军 ,  仲正

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本申请实施例提供一种晶体管、半导体器件封装结构以及电子设备。涉及半导体技术领域。提供可以降低热阻的晶体管的工艺结构和实现方式。晶体管包括衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面一侧设置有源层，第二表面一侧设置金属层；还包括贯通衬底和有源层至少一部分的孔，沿衬底至有源层方向，孔包括第一孔段和第二孔段，第一孔段和第二孔段连接处具有连接界面，第一孔段的孔径大于第二孔段的孔径，第一孔段和第二孔段的壁面上均形成有导电层，导电层与金属层电连接；第一孔段和第二孔段内还填充有散热材料，比如，散热材料包括银材料和金刚石材料中的至少一种。通过设置多段孔，并在孔内填充散热材料，以提升对有源层的驱热。

公开(公告)号：CN118367912B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410766330.5

申请日：2024-06-14

申请人： 华润微电子(重庆)有限公司

发明人： 沈竞宇 ,  范文琪

IPC分类号： H03K17/687 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种氮化镓晶体管电路及氮化镓晶体管的制造方法，所述氮化镓晶体管电路包括：氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管的衬底与栅极连接，从而使得衬底电位跟随栅极电位变化；开关管，所述开关管的第一端连接所述氮化镓晶体管的源极，所述开关管的第二端接地；驱动电路，包括自举电容，所述自举电容的第一端连接所述栅极，所述自举电容的第二端连接所述源极；所述驱动电路还包括与所述开关管的受控端连接的第一电压输出端，以及与所述自举电容的第一端连接的第二电压输出端；所述驱动电路通过第一电压输出端控制所述开关管的导通与关断，通过第二电压输出端为所述自举电容提供充电电压。本发明能够保证衬底电位的稳定性。

公开(公告)号：CN118800795A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411288697.7

申请日：2024-09-14

申请人： 北京中科重仪半导体科技有限公司

发明人： 朱虹 ,  管昌雨 ,  陈浩

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

摘要： 本申请公开了一种具有双沟道的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件主要包括：衬底层；缓冲层；P型氮化镓背势垒层，其通过在缓冲层中刻蚀形成第一沟槽，并在所述第一沟槽中淀积氮化镓，以及在氮化镓的淀积后再次淀积缓冲层的材料，使得第一沟槽与所述衬底层表面平齐，从而形成P型氮化镓背势垒，或者通过在缓冲层之上的预定区域上淀积预定厚度的氮化镓形成P型氮化镓背势垒；第一沟道层；第一势垒层；第二沟道层；第二势垒层；钝化层；源极；栅极；漏极。本申请更易得到高耐压的增强型HEMT器件。

公开(公告)号：CN118800792A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410434203.5

申请日：2024-04-11

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 胡杰

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有上表面和沟道；介电层，其设置在所述上表面上方；以及扩散阻挡层，其设置在所述介电层上方。所述扩散阻挡层被图案化以包括多个区段。栅极电极形成于所述半导体衬底上方并且电耦合到所述沟道。漏极开口与所述栅极电极的第一侧在空间上分离。也电耦合到所述沟道的漏极电极包括形成于所述漏极开口内的第一部分，以及上覆于所述扩散阻挡层的区段的第二部分。所述栅极电极与所述漏极电极之间的导电场板包括场板层和所述扩散阻挡层的另一区段。所述漏极电极和所述场板层可由同一导电层的部分形成。

公开(公告)号：CN118800656A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411259730.3

申请日：2024-09-10

申请人： 珠海镓未来科技有限公司

发明人： 高吴昊 ,  吴毅锋 ,  曾凡明

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778

摘要： 本申请实施例提供了一种半导体器件制作方法及半导体器件；本申请实施例在制作半导体器件时，在制作电介质层之后，可以在该电介质层上通过光刻形成多种宽度的光刻窗口，然后，通过干法刻蚀，在光刻窗口处形成深度不等的凹槽结构，再然后，通过对该电介质层进行湿法刻蚀，使得相邻的凹槽结构连通，进而形成多个深度不同的台阶结构，此后，便可以在这些台阶结构上制作金属场板等结构，以得到半导体器件；该方案可以大大降低工艺成本和时间，提高制作效率和器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118763107A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411245506.9

申请日：2024-09-06

申请人： 江西兆驰半导体有限公司

发明人： 侯合林 ,  谢志文 ,  赵文 ,  陈铭胜 ,  文国昇 ,  金从龙

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该晶体管包括衬底，以及依次层叠于衬底上的缓冲层、至少一第一复合插入层、沟道层、至少一第二复合插入层、势垒层以及帽层；其中，第一复合插入层和第二复合插入层均包括至少两子层，且两子层分别为AlN子层和AlInGaN子层；势垒层为Al组分与In组分比值在4:1‑6:1的AlInN层，沟道层为GaN层。通过该设置，使得势垒层与沟道层晶格失配在0.5%以内，实现势垒层与沟道层晶格基本匹配，从而可显著提高势垒层的晶体质量，并且由于Al组分与In组分比值在4:1‑6:1范围内，使得势垒层与沟道层之间带隙差极大，从而实现制备相对较薄的势垒层，同时还可得到较高的二维电子气浓度。

公开(公告)号：CN118763106A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411242128.9

申请日：2024-09-05

申请人： 深圳平湖实验室

发明人： 支海朝 ,  万玉喜 ,  曾威 ,  胡浩林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子器件，包括：衬底、以及依次叠层设于衬底之上的外延层和电极层；电极层包括：设于外延层之上的源极、栅极结构和漏极；外延层还包括阻断结构，二维空穴气被阻断结构分割为多段；阻断结构包括第一阻断结构和第二阻断结构中的至少一个。如此，通过设置阻断结构，阻碍了二维空穴气中空穴电流的流动，在设置有第一阻断结构时，隔断了栅极结构、二维空穴气和源极之间的漏电通道，在设置有第二阻断结构时，隔断了栅极结构、二维空穴气和漏极之间的漏电通道，从而抑制了晶体管的漏电现象，降低了晶体管的能耗。

公开(公告)号：CN118738116A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411108868.3

申请日：2024-08-13

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 董高峰 ,  刘志宏 ,  唐从威 ,  许美 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上包括依次叠加设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层；III‑N势垒层上设有源电极、漏电极以及自其表面向内部延伸的凹槽，凹槽内覆盖有栅电极；GaN沟道层和III‑N势垒层形成异质结，GaN沟道层和III‑N势垒层形成的异质结界面且靠近GaN沟道层的一侧形成二维电子气沟道；源电极和漏电极均与二维电子气沟道形成欧姆接触，栅电极与二维电子气沟道形成肖特基接触；本发明通过采用槽栅结构，增大栅极与沟道的接触面积，增强栅极对二维电子气沟通的控制能力；通过采用数字刻蚀工艺成功制得表面平整度好的凹槽结构，实现对刻蚀深度的有效调控，避免刻蚀损伤，最终提高器件的稳定性。