一种叠层钙钛矿太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:CN115548215A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211297323.2

    申请日:2022-10-21

    发明人: 毕恩兵 金童

    IPC分类号: H01L51/44 H01L27/30

    摘要: 本发明提供一种叠层钙钛矿太阳能电池制备方法,包括以下步骤:提供第一电池作为底电池;在第一电池上形成第二电池;其中第二电池为钙钛矿太阳能电池,第二电池中包括远离第一电池的透明电极;透明电极通过多步磁控溅射步骤,分步将透明电极材料沉积形成;多步磁控溅射步骤中,每一步磁控溅射过程的溅射功率逐步提高,每一步磁控溅射步骤沉积的透明电极材料的沉积厚度逐渐增加。本发明提供的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法,可以兼顾透明电极的生产效率和电池功能层薄膜的完好程度。

    一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115513377A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110629285.5

    申请日:2021-06-07

    IPC分类号: H01L51/42 H01L27/30 H01L51/48

    摘要: 本发明公开一种透明有机异质结阵列,包括透明基底,以及分布在其上的有机异质结阵列;其中,单个有机异质结上表面的面积为900‑10000μm2,单个有机异质结的厚度为300‑1000nm。该阵列中的单个有机异质结的尺寸小于人眼分辨率,且结构中存在大量孔隙,在可见光范围内可保持70%以上的光透过率,呈透明状态。基于该透明有机异质结阵列的光电探测器,具有透明、柔性、微型化、阵列化、集成化和可大面积制备的优势,且光电探测器中电荷传输距离短、开关比大、暗电流小。同时本发明还提供了基于液桥现象的上述有机异质结的制备方法,该方法简单,易操作。

    三维限制大面积钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列及方法

    公开(公告)号:CN115483351A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211027647.4

    申请日:2022-08-25

    摘要: 本发明涉及一种三维限制大面积钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列的制备方法,包括:在衬底层上制备金属阵列电极;在金属阵列电极上制备第一图形层;刻蚀金属阵列电极上的PMMA层和第一光刻胶,形成隔离槽;在隔离槽上滴加MAPbI3过饱和溶液;在第一光刻胶和MAPbI3过饱和溶液上覆盖软板;在加热的条件下,同时移除软板,以在金属阵列电极上形成MAPbI3单晶薄膜阵列;去除剩余的PMMA层和第一光刻胶,以完成钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列的制备。本发明的方法制备的晶体阵列具有与块体钙钛矿型单晶相当的高晶体质量,其厚度、面积可控。

    一种X射线探测复合材料结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN115472753A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202210893517.2

    申请日:2022-07-27

    申请人: 中山大学

    IPC分类号: H01L51/46 H01L51/48 H01L27/30

    摘要: 本发明公开了一种X射线探测复合材料结构及其制备方法。该复合材料结构由导电衬底(ITO玻璃)、氧化镍(NiOx)纳米结构、溴化铅甲脒(MAPbBr3)单晶和上电极组成。制备方法包括配料、液相反应法和溶液法单晶生长。本发明制备的复合材料结构,能够实现自驱动X射线探测,即在不加外偏压的情况下,将入射的X射线转换为电流信号。本发明具有低检测限、检测能量范围宽、分辨率高、响应快速和线性好和制造成本低等优点,可于X射线探测、X射线成像、光传感器等诸多领域。

    一种黑磷薄膜铌酸锂探测器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115394873A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211018947.6

    申请日:2022-08-24

    申请人: 东南大学

    摘要: 本发明公开了一种黑磷薄膜铌酸锂探测器,该探测器结构自下而上依次为:第一层是本征硅衬底(1)、第二层是掩埋氧化物层(2)、第三层是薄膜铌酸锂波导(3)、第四层是黑磷(4)、第五层是金属电极;其中,掩埋氧化物层直接在本征硅衬底上氧化生成;薄膜铌酸锂键合在掩埋氧化物层上通过刻蚀定义出纵向脊形的薄膜铌酸锂波导;黑磷横向覆盖在薄膜铌酸锂波导脊形的中段部分,通过范德华力与薄膜铌酸锂波导紧密连接;第一金属电极(5‑1)、第二金属电极(5‑2)分别覆盖在黑磷和薄膜铌酸锂波导脊的两边。本发明探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点,为片上光子集成电路的发展提供了解决方案。

    摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置

    公开(公告)号:CN109983579B

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN201780070841.1

    申请日:2017-11-14

    申请人: 索尼公司

    摘要: 提供了一种包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元的摄像元件。所述光电转换单元还包括电荷存储电极,所述电荷存储电极被设置成与所述第一电极间隔开并且被设置成经由绝缘层面对所述光电转换层。所述光电转换单元由N个光电转换单元段形成,并且这同样适用于所述光电转换层、所述绝缘层和所述电荷存储电极。第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、第n个绝缘层段和第n个光电转换层段形成。随着n增大,所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远。所述绝缘层段的厚度从第一个光电转换单元段到第N个光电转换单元段逐渐变化。

    电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备

    公开(公告)号:CN114981987A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202080093712.6

    申请日:2020-12-25

    摘要: 一种电子装置,其包括:载体;包含电荷传输材料的电荷传输层或包含增感染料的增感染料电极层,其中该电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方;含硅层,其被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方;以及金属氧化物膜,其被设置在含硅层上或上方,其中比率[Q(ACL)/Q(CTL)]为10%或更大,其中Q(ACL)是通过飞行时间法测量的电子装置(ACL)的瞬态光电流波形的时间积分,和Q(CTL)是通过飞行时间法测量的电子装置(CTL)的瞬态光电流波形的时间积分。