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公开(公告)号：CN118604405A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410806849.1
申请日：2024-06-21
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R1/04 , G01R31/26 , H01L29/744
摘要： 本发明公开了一种大功率IGCT芯片阻断特性测试用夹具及测试方法，包括绝缘的夹具盘，夹具盘上设置有载片区，载片区由夹具盘的上表面向下凹陷，载片区的底面上设置有突出部和圆形口，圆形口内装配有金属结构件，芯片放置在载片区内后，金属结构件的顶部与芯片的阴极面接触；与现有技术相对比，本发明的有益效果是：将芯片放入测试夹具，通过测试芯片P1N1P2结构阻断电压，进而获取芯片I‑V特性，该测试方式所得特性结果和门阴极施加负偏压或短路处理测试回路相同。但减少门阴极间施加负偏压或短路处理过程，采用该测试方法及测试夹具，减少了测试对准时间及门阴极间施加负偏压或短路处理过程，且可有效减少芯片表面损伤，具有较强的实用价值。
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公开(公告)号：CN118281054A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211722830.6
申请日：2022-12-30
申请人： 力特半导体(无锡)有限公司
IPC分类号： H01L29/744 , H01L29/06
摘要： 公开了一种高抗噪度TRIAC结构。TRIAC半导体包括N‑区、多个N+区和沟槽。N‑区被夹在两个P区之间。第一P区被连接到MT2端子，以及第二P区被连接至两个MT1端子。多个N+区位于第一P区内。沟槽位于两个栅极端子之间。
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公开(公告)号：CN109103242B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811155899.9
申请日：2018-09-30
申请人： 江苏明芯微电子股份有限公司
发明人： 周明
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/744 , H01L21/332
摘要： 一种穿通结构的可控硅芯片及其生产方法，涉及半导体器件的制造技术领域，将硅片经氧化处理、双面光刻穿通隔离窗口、对双面光刻穿通隔离窗口区域进行腐蚀、清洗、穿通隔离区硼掺杂扩散、P1、P2区硼扩散、光刻N+阴极区、N+区磷扩散、光刻环形台面沟槽窗口、腐蚀台面沟槽、钝化台面沟槽等步骤，取得穿通结构的可控硅芯片。在双面光刻穿通隔离窗口时，正面光刻的穿通隔离窗口宽度小于反面光刻的穿通隔离窗口宽度。采用在穿通隔离区的正、反两面不同宽度的腐蚀沟槽的设计方式，正面相对于反面窄的方式，缩短穿通扩散时间，提高硅片的利用率。
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公开(公告)号：CN108550572B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201810174465.7
申请日：2018-03-02
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/744 , H01L23/31 , H01L23/367
摘要： 本发明提出了一种单个器件尺寸相对较小的碳化硅门极可关断晶闸管器件阵列与其制备方法，该器件阵列是按照相应光刻版图进行光刻形成的至少包括两个碳化硅门极可关断晶闸管的阵列结构；GTO器件单元的门极位于器件单元的台面中央，并与位于器件单元的台面两侧的阳极构成叉指结构，阴极位于器件单元的衬底背面；封装时，按布局设计将所有器件单元的门极均向下引出到封装结构，将所有阳极向与门极相反方向引出；本发明采用的器件阵列方案，具有如下优势：可显著提升整个封装芯片的有效工作面积；可避免局部材料缺陷降低整个封装芯片的性能；可降低器件加工的工艺难度、提升工艺稳定性及均匀性，显著提高制备器件的良率。
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公开(公告)号：CN116387358B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310645829.6
申请日：2023-06-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/332
摘要： 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。
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公开(公告)号：CN116387358A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310645829.6
申请日：2023-06-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/332
摘要： 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。
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公开(公告)号：CN111933704B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010575741.8
申请日：2020-06-22
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/744 , H01L21/332 , H01L29/06
摘要： 本公开提供一种门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管，所述元胞结构包括在元胞结构两侧，于所述衬底表面向下设置有侧部沟槽，以在所述衬底表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽和所述凸台下方的第二导电类型短基区；其中，所述短基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述短基区上方的第二导电类型第一基区；位于所述短基区下方的第二导电类型第二基区；其中，所述第二基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述第一基区表面内的第一导电类型发射区；其中，所述短基区的掺杂浓度高于所述第一基区和所述第二基区。可提高驱动控制电压值，从而提高换流速度、增大GCT芯片的关断能力。
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公开(公告)号：CN113594107A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110904751.6
申请日：2021-08-07
申请人： 广东南粤精工精密组件有限公司
发明人： 李嵘峰
IPC分类号： H01L23/32 , H01L23/48 , H01L29/744 , H01L29/745
摘要： 本发明公开了一种晶匝管模块封装专用集成门极组件，包括铜底板和压板，所述铜底板的上端开设有两组螺孔，所述压板的倒角处开设有通孔，所述通孔的内部贯穿有螺杆，螺杆的上端设置有六角孔，便于螺杆进行拆卸，所述螺杆的下端贯穿通孔与螺孔螺纹连接，所述铜底板的上端位于两组螺孔的内侧分别设有底片组件，底片组件由铝片和氮化铝组成，铝片设在氮化铝的下端，铝片和氮化铝重叠设置，所述底片组件的上端设置有铜片组件。通过设置导套、弹簧、压板和孔洞，弹簧设在导套的内部，弹簧的顶端通过孔洞伸出，可以从顶部引线，封装起来更加的便捷，成本更为低下，操作也更加的方便，有利于自动化封装生产线的建立。
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公开(公告)号：CN111969054A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010841224.0
申请日：2020-08-20
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L29/744 , H01L29/745 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本发明提供了一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。该半导体结构包括：第一掺杂类型P+注入层，第二掺杂类型N+注入层，第一掺杂类型P缓冲层，第一掺杂类型P-漂移层，第二掺杂类型N基区，第二掺杂类型隔离N基区201-2，以及第一掺杂类型P+阳极层；将普通GTO正向导通和PiN二极管反向续流的功能集成在一种半导体器件中，与两种器件并联使用相比，封装可靠性高，并且可大幅节省芯片面积，降低连接寄生阻抗，提高器件开关速度，同时避免模块式封装体积大、功率密度低的缺点；其制备方法在普通GTO工艺流程基础上加入少量步骤即可完成。
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公开(公告)号：CN110610858A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810619708.3
申请日：2018-06-15
申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/744
摘要： 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制造方法。所述晶闸管包括P+透明发射阳极、N′缓冲层、N-基区、P基区以及N+发射区，其中，所述N′缓冲层以及所述P基区中分别构造有至少一个少子寿命低于其他区域的低少子寿命区。相较于现有技术，本发明所提出的门极换流晶闸管在提升关断能力，降低关断损耗的同时，对通态压降影响很小。
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