公开(公告)号：CN118727137A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410929701.7

申请日：2024-07-11

申请人： 福州大学 ,  清源创新实验室

发明人： 黄兴 ,  王慧 ,  杨顺航 ,  林森

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0392 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

摘要： 本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。

公开(公告)号：CN115692525B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202110846740.7

申请日：2021-07-26

申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司

发明人： 陈亮 ,  王伟明

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

摘要： 本申请提供了一种薄膜太阳电池结构及其制造方法。所述薄膜太阳电池结构包括：太阳电池外延片；和支撑太阳电池外延片的复合结构柔性基板；其中所述的太阳电池外延片包括多结子电池外延结构和位于顶电池外延层上面的栅电极层，所述复合结构柔性基板包括金属栅网结构和镶嵌在金属栅网结构的网格中的柔性有机薄膜层。采用本申请的薄膜太阳电池结构及其制造方法，电池制作工艺简单、良品率高、可靠性高。

公开(公告)号：CN118507577A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410540232.X

申请日：2024-04-30

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王利明 ,  姚悠远 ,  张磊 ,  米青 ,  张宁宁 ,  胡辉勇

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种双机制等离增强的硅基锗红外雪崩光电探测器及制备方法，光电探测器包括：SOI衬底、Ge外延层、金属光栅、第一电极和第二电极，其中，SOI衬底的顶层硅中设置有P区和N区，P区和N区间隔设置且贯穿顶层硅；Ge外延层位于P区和N区之间的顶层硅表面；金属光栅由若干金属纳米线形成，若干金属纳米线沿Ge外延层的长度方向分布在Ge外延层的表面；第一电极位于P区的表面，第二电极位于N区的表面。该光电探测器通过双机制等离增强提高了吸收效率，提高了光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽了光电探测器的探测范围，进一步提高硅基锗红外光电探测器在红外通信波段的探测能力，现了高性能的硅基锗红外光电探测器。

公开(公告)号：CN118507558A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410196072.1

申请日：2024-02-21

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 曹蕾 ,  李建军 ,  何博 ,  刘童 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 本申请提供了一种铜铟镓硫硒薄膜电池，包括依次层叠设置的衬底、第一电极层、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和第二电极层，其中，所述电子传输层为Ga2O3电子传输层或包含Ga2O3的电子传输层。实现了良好的光生载流子传输，有助于获得高效率电池器件。

公开(公告)号：CN118431335A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311214439.X

申请日：2023-09-20

申请人： 群创光电股份有限公司

发明人： 刘侑宗 ,  姚怡安

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0392

摘要： 本公开提供一种感测装置及其制造方法。其中，感测装置的制造方法，包含以下步骤：提供一第一暂时性基板，第一暂时性基板包含：一第一载板；一第一基板，设置于第一载板上；以及多个感测组件，设置于第一基板上；提供一第二暂时性基板，第二暂时性基板包含：一第二载板；一第二基板，设置于第二载板上；将第一暂时性基板与第二暂时性基板对组，使第一基板与第二基板接合；移除第一载板，将第一基板设置于一支撑层上；以及移除第二载板；其中，第一基板与第二基板分别为可挠性基板。

公开(公告)号：CN118398701A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410632916.2

申请日：2024-05-21

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 陈星 ,  刘可为 ,  申德振

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明涉及半导体光电探测器技术领域，尤其涉及一种复合氧化物紫外探测器及其制备方法，从下自上依次包括衬底，生长在衬底上的底部金属铂层，生长在所述底部金属铂层上的镓酸锌/氧化镓复合结构，以及生长在所述镓酸锌/氧化镓复合结构上的顶部金属铂层；制得的器件性能优异，响应度高，暗电流低，响应时间短；制备工艺简单，反应过程容易控制，易于制备底部电极形成垂直型器件，为制备高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。

公开(公告)号：CN117894881B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410280491.3

申请日：2024-03-12

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 李伟民 ,  唐玮 ,  俞深 ,  李松 ,  苑欣业 ,  杨春雷

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

摘要： 一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过电离氩气产生高能Ar等离子体，轰击CIGS靶材，在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜，通过调节CIGS靶材中铜的含量，实现对CIGS中空穴浓度的可控调节。本发明采用磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑，且由于所使用靶材中铜的含量不同，吸收层整体空穴浓度得以调节，进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子，有效地提高了电池的性能参数，更大程度的提升电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN117690985B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311776311.2

申请日：2023-12-21

申请人： 佛山职业技术学院

发明人： 段春艳 ,  陈潇跃 ,  连佳生 ,  唐戎 ,  胡昌吉 ,  胡文勇 ,  许继源 ,  江麒 ,  林均亮 ,  谢梓宜 ,  班群 ,  周旭然 ,  林为

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/048

摘要： 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种薄膜太阳能电池，包括：基板、透光层、第一EVA层、电池片和第二EVA层；电池片包括：正极、负极和光电转换薄膜，光电转换薄膜设置在正极和负极之间；第一EVA层设置在电池片的上方，第二EVA层设置在电池片的下方，基板设置在第二EVA层的下方，透光层设置在第一EVA层的上方；光电转换薄膜的制备原料包括：硝酸锌、硝酸镓、氯化锑、内嵌金属富勒烯、十二烷基磺酸钠、乙醇和乙二醇单乙醚。本发明通过改变电池片中的光电转换薄膜的组分，从而实现构造出新的光电转换薄膜，以提高整个薄膜太阳能电池的整体工作效率。

公开(公告)号：CN113745370B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202110988248.3

申请日：2021-08-26

申请人： 西湖大学

发明人： 李兰 ,  陈泽群 ,  林宏焘

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392

摘要： 本发明公开一种柔性光电子器件的制备方法，该方法采用氧化锗作为牺牲层，通过在氧化锗层上沉积、图案化多种功能材料层，采用水作为腐蚀液剥离衬底，得到柔性光电子器件。该制备方法因氧化锗可承受高温、承受等离子体轰击，所以可以实现高质量光学薄膜在高温条件下，在等离子体轰击诱导条件下的沉积和退火优化，完成高性能柔性光电子器件的制备；且在整个柔性光电子器件制备过程中，氧化锗遇水即溶，水作为腐蚀液最大可能避免了薄膜材料的损伤，保证了器件的完整性；本发明的方法可扩展到多种类光学材料柔性光电子器件，可以广泛应用于集成光学器件、空间光学器件和电子元器件的制备。此外，该方法还可用于实现柔性多层波导集成器件。

公开(公告)号：CN118263343A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211693916.0

申请日：2022-12-28

申请人： 比亚迪股份有限公司

发明人： 李创辉 ,  吕麟兰 ,  杨登权 ,  李可 ,  彭晓聆

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的双缓冲层的制备方法及太阳能电池，包括：在铟蒸汽的氛围下，制备CIGS吸收层；在硫蒸汽的氛围下，在CIGS吸收层的表面沉积KF，以在CIGS吸收层的表面形成一层KIn(S,Se)2化合物；将形成有KIn(S,Se)2化合物的CIGS吸收层，置于镉源和氨水的混合液中反应，以在CIGS吸收层的表面形成第一缓冲层；第一缓冲层为CdIn2(S,Se,OH)4化合物；将形成有第一缓冲层的CIGS吸收层置于硫源溶液中，反应后，在第一缓冲层上形成有第二缓冲层，第二缓冲层为CdS薄膜。本发明的制备方法，具备两层缓冲层在硫化镉和CIGS吸收层形成CdIn2(S,Se,OH)4化合物作为第一缓冲层，保证在第一缓冲层表面形成更加均匀且致密的第二缓冲层，有利于提高太阳能电池的光电转换效率。