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公开(公告)号：CN118919630A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410996110.1
申请日：2024-07-24
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种单片集成波长可调谐量子点芯片及其制备方法。该芯片包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、布拉格反射层、量子点层、盖层和波长调节层；其中，所述波长调节层包括二氧化硅薄膜层和掺锡氧化铟薄膜层，所述二氧化硅薄膜层和所述掺锡氧化铟薄膜层的宽度均小于所述盖层宽度的二分之一，所述二氧化硅薄膜层和所述掺锡氧化铟薄膜层分别设置于所述盖层的两端。基于上述结构，能够拓宽量子点芯片的波长范围，且能够实现量子点发光波长的精准调节，同时芯片结构集成度较高，降低了制备工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN118919618A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410978155.6
申请日：2024-07-22
申请人： 吉林大学
摘要： 一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、氮极性p‑GaN空穴注入层、p型电极层和n型电极层构成。石墨烯与外延薄膜间的相互作用力弱，量子阱有源区受到的应力会降低，同时外延片的翘曲度会降低，能够提升量子阱层中铟的并入效率、缓解相分离并提高发光均匀性。此外，采用氮极性InGaN量子阱结构能够进一步提高铟的并入效率。因此，在石墨烯上基于氮极性材料能够在更高温度下实现量子阱的外延生长，从而提高量子阱的晶体质量。
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公开(公告)号：CN112420886B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010017050.6
申请日：2020-01-08
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 菅原秀人
摘要： 本发明的实施方式提供发光光谱的半值宽度窄并且长时间工作中的可靠性提高的半导体发光器件。实施方式的半导体发光器件具有基板和多量子阱层。上述多量子阱层设置于上述基板上，包含3个以上的InGaAs阱层和夹在2个InGaAs阱层中的多个势垒层。上述多个势垒层包含混晶比不同的至少2个区域或厚度不同的至少2个区域。
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公开(公告)号：CN118825164A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411147778.5
申请日：2024-08-21
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，所述外延片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层为周期性交叠结构层，包括交叠设置的电子阻挡子层与空穴注入子层。本发明旨在解决现有技术中电子与空穴在多量子阱层中复合效率低，使得发光强度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN118825157A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411297496.3
申请日：2024-09-18
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种蓝光Micro‑LED的外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱子层，第二浅蓝光多量子阱子层，第三蓝光多量子阱子层和第四浅蓝光多量子阱子层，其中每层子层均为InGaN多量子阱层与多量子垒层的超晶格结构。实施本发明，可降低生长InGaN量子阱时的应力，显著改善多量子阱发光层的质量，同时提高P型半导体层的空穴注入效率，从而提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro‑LED。
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公开(公告)号：CN118738241A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411223780.6
申请日：2024-09-03
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括至少一组交替层叠的长波量子阱层和长波量子垒层、至少一组交替层叠的中波量子阱层和中波量子垒层和至少一组交替层叠的短波量子阱层和短波量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片提高量子阱层晶体质量，降低量子阱层极化效应，提高载流子在量子阱辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN118738240A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410856413.3
申请日：2024-06-28
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种III族氮化物半导体发光元件。该III族氮化物半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，所述有源层为抑制电子溢流量子阱，所述抑制电子溢流量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述抑制电子溢流量子阱包括第一抑制电子溢流量子阱和第二抑制电子溢流量子阱；该III族氮化物半导体发光元件，通过调控抑制电子溢流量子阱空穴迁移率和电子迁移率的平衡，增强量子阱中电子和空穴波函数的量子限制效应，提升量子阱中电子和空穴的辐射复合效率和速率，减少多余电子溢流效应，提升发光元件在大电流注入下的发光效率，降低大电流注入下的效率衰减和高温条件下的热衰减。
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公开(公告)号：CN114203868B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111517390.6
申请日：2021-12-13
申请人： 苏州紫灿科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法，该深紫外芯片包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN辅助扩展层、n型AlGaN接触层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层、p型GaN接触层和p电极，还包括n电极；沿p型GaN接触层一侧刻蚀至n型AlGaN接触层，n型AlGaN接触层形成阶梯状结构，n电极设置于n型AlGaN接触层的刻蚀区域处；沿n型AlGaN电子注入层到n型AlGaN接触层方向，n型AlGaN辅助扩展层的掺杂浓度线性递增，且Al组分百分数线性递减。本发明通过引入掺杂浓度和Al组分百分数均渐变的n型AlGaN辅助扩展层，使深紫外LED芯片的n极接触电压降低，从而显著提升深紫外LED芯片的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118712298A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410797647.5
申请日：2024-06-20
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出了一种氮化物半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述p型半导体上方设置有p型接触层，所述p型接触层具有饱和电子漂移速率分布特性、轻空穴有效质量分布特性、形变势分布特性和极化光学声子能量分布特性。本发明能够增强p型接触层的空穴输运通车，提升p型接触层的空穴的横向扩展和纵向扩展能力，改善发光二极管的浪涌能力和抗击人体模式静电击穿能力，抗击人体模式静电击穿能力从100～200V通过率90％以上提升至200～500V通过率90％以上。
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公开(公告)号：CN116387421B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310354513.1
申请日：2023-04-04
申请人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED器件外延结构及其制备方法和应用。该制备方法包括：提供第一半导体层，第一半导体层包括至少一个柱体阵列结构，每一柱体阵列结构包括至少两个间隔设置的柱体，且每一柱体阵列结构中任意两个柱体的径向尺寸不同；在每一柱体阵列结构所包含的所有柱体上生长含In的III族氮化物材料，从而在每一柱体上形成一量子阱发光层，同一柱体阵列结构中任意两个柱体上的量子阱发光层的In组分的含量不同；在每一量子阱发光层上形成第二半导体层，从而形成至少两个间隔设置的发光单元。本发明在同一衬底上同时外延形成不同颜色的发光单元阵列，实现了单片集成，避免了传统Micro LED在集成过程中的巨量转移操作，不仅节省了成本，还提高了良率。
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