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公开(公告)号：CN118919622A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411316693.5
申请日：2024-09-20
申请人： 厦门未来显示技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片及其制作方法，利用呈阶梯状的叠层技术，使所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域，可在实现第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构的独立驱动的基础上，可最大限度地节省晶圆面积实现全彩化，降低生产成本；同时结合所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合的设置，如此可避免聚合物粘合剂在键合所述第一发光结构和第二发光结构过程中所出现的因键合厚度不均匀而导致的刻蚀不净现象。
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公开(公告)号：CN118919621A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410996940.4
申请日：2024-07-24
申请人： 西湖烟山科技(杭州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种微显示单元和显示装置，至少两个发光单元在空间上垂直堆叠设置，使得微显示单元占用的平面面积较小，将微显示单元应用于显示装置时，显示装置的分辨率可以得到提高。至少两个相邻的发光单元中，上层发光单元的底面和下层发光单元的顶面的边缘位置处形成台面，相邻发光单元通过键合层键合连接。键合层包括透光部和非透光部，通过设置非透光部至少部分位于台面，可以使得非透光部可以对台面下的发光单元形成部分遮挡，使得台面下发光单元的有效发光面积减小，进而使得不同发光单元的有效发光面积的差异减小，提高不同发光颜色的发光单元的发光均匀性，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN118715621A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022161.8
申请日：2023-02-16
申请人： OTI公司
摘要： 一种具有多个层的光电子器件，该光电子器件包括均在侧向朝向上延伸的第一电极、分层堆叠，以及沉积材料。第一电极具有相关联的发射区域。每个堆叠包括位于半导电层与图案化涂层之间的第二电极；位于第一电极表面上的第一个第一电极；以及位于与该第一电极表面相邻、通过第一间隙隔开的结构表面上的第二个第一电极，该第一间隙具有平行于该侧向朝向的侧向分量和/或横向于该侧向朝向的纵向分量。该材料设置在每个堆叠上，用于电耦接包括第二电极的第一堆叠和第二堆叠的对应层。
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公开(公告)号：CN117894897B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410295127.4
申请日：2024-03-15
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将多量子阱层结构设置为复合结构，其中，量子阱层为InGaN层，量子垒层为AlInGaN/AlGaN/AlN/GaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，AlInGaN子层生长温度为T1，AlGaN子层的生长温度为T2，AlN子层的生长温度为T3，GaN子层的生长温度为T4，其中，T4=T3≥T2≥T1≥T0，具体的，采用这种组合结构的垒层，把传统的方形阱结构改变成刃形阱结构，可以将载流子更好地限制在InGaN层，从而增加电子和空穴的辐射复合概率，提高外延片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN118676275A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410298409.X
申请日：2024-03-15
申请人： 丰田合成株式会社
摘要： 本发明提供一种抑制发光效率的降低的发光元件。由III族氮化物半导体构成，具有：基板；设置在基板上且由n型的III族氮化物半导体构成的n层；设置在n层上且具有规定发光波长的第1活性层；设置在第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成的中间层；设置在中间层上且发光波长与第1活性层不同的第2活性层；设置在第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1电子阻挡层；从第1电子阻挡层侧到达中间层的深度的凹槽；设置在第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1p层；设置在槽底面露出的中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第2p层；第1p层和第2p层包括第2电子阻挡层和设置在第2电子阻挡层上的第1接触层。
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公开(公告)号：CN116632130B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202310414992.1
申请日：2023-04-18
申请人： 深圳市志奋领科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种光斑大小可调的光电传感器及方法，属于光电传感器技术领域，所述光电传感器包括光源，所述光源包括依次层叠的衬底、第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，至少两个独立发光区以及用于隔离相邻两个独立发光区的绝缘槽，所述绝缘槽至少贯穿所述发光层，所述绝缘槽可供容纳绝缘体。本发明达到能够只需通过对传感器功能的切换就能对光斑的大小进行调节，实现满足不同场景检测需求，使用场景广泛，调节简单，有利于提高生产效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN118571999A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410722326.9
申请日：2024-06-05
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和设于所述衬底上的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层；S2、刻蚀所述外延片，形成多个隔离沟槽和多个导电通孔；所述隔离沟槽将所述外延片划分为蓝光发光区、绿光发光区和红光发光区；所述导电通孔位于所述蓝光发光区、绿光发光区和/或红光发光区，导电通孔用于使多个N电极和/或P电极与蓝光外延层、绿光外外延层或红光外延层完成导电连接；S3：在步骤S2得到的外延片上形成绝缘反射层，并将导电通孔底部的绝缘反射层去除；S4：在步骤S3得到的外延片上形成P电极和N电极。实施本发明，可简化Micro‑LED的转移工序，提升其良率。
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公开(公告)号：CN118571998A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410698550.9
申请日：2024-05-31
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种基于同侧电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，其在一个衬底上进行第一发光单元、第二发光单元的显示，并键合堆叠第三发光单元，通过外露台面使三个发光单元的电极同侧引出，并形成各发光单元相应的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，实现一个Micro LED芯片中集成多个单色像素单元，无需通过巨量转移工艺集成多个单色像素，便于应用于显示设备的生产。电极在同侧引出，确保顶层发光单元在实现垂直结构LED电流扩散的同时仍可以采用正装LED的封装方式进行封装。本发明可以根据不同的应用需求在同一芯片上制定出不同发光比例的RGB三色子像素，提升全彩化显示器件的色纯度，便于商业化应用。
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公开(公告)号：CN118556301A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202280089352.1
申请日：2022-11-21
申请人： 株式会社日本显示器
发明人： 西村真澄
IPC分类号： H01L33/08 , G09F9/30 , G09F9/33 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要： 发光装置包含：基板；基板上的隔壁，划分在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上配置为矩阵状的多个像素；覆盖隔壁的反射层；以及覆盖反射层的绝缘层，配置为矩阵状的多个像素分别包含：基板之上的导电性取向层；导电性取向层之上的包含氮化镓的半导体层；半导体层之上的发光层；以及发光层之上的电极层，与隔壁重叠的区域中的从基板的上表面到反射层的上表面的距离大于不与隔壁重叠的区域中的从基板的上表面到发光层的上表面的距离。
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公开(公告)号：CN118507615A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310151995.0
申请日：2023-02-15
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种发光芯片及其制备方法、光模块、显示模组、电子设备，涉及光通信和显示技术领域，用于减小发光芯片的发散角。发光芯片，包括：设置于衬底上的外延层、开设于外延层的多个凹槽以及覆盖多个凹槽的第二发光层，被第二发光层覆盖的多个凹槽形成光栅结构。其中，外延层被划分为第一区域和第二区域，第二区域环绕于第一区域的外围。多个凹槽开设于第二区域，且多个凹槽沿远离第一区域的方向排布。
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