公开(公告)号：CN112968123B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202110152803.9

申请日：2021-02-04

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨成韬 ,  孙星林 ,  茹子雄 ,  肖盼

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/113 ,  H01L41/31 ,  G01D5/48

摘要： 本发明涉及一种柔性薄膜式压电声发射传感器，属于电力工程技术领域。本发明的柔性薄膜式压电声发射传感器，除压电薄膜晶片外，所有组成部分均具有柔性；而压电薄膜晶片虽然不具有柔性，但其尺寸很小，因而可以适应弯曲的表面。实际测试中，本发明的传感器足以适应曲率半径为80mm的球面，克服了传统的声发射传感器厚度大、不易适应弯曲表面的缺点。此外，本发明的传感器中的薄膜式铜导线可以做得很长，因此这种结构的传感器可以伸入一些狭窄逼仄的空间工作。

公开(公告)号：CN114094008B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202111250368.X

申请日：2021-10-26

申请人： 中南大学

发明人： 张斗 ,  肖志达 ,  袁晰 ,  周科朝

IPC分类号： H01L41/23 ,  H01L41/312 ,  H01L41/04 ,  H01L41/053

摘要： 本发明公开了一种柔性压电纤维复合材料的二步封装方法，将待封装的叉指状电极或平面状电极和压电纤维复合层或粘贴在粘性高分子膜上的压电纤维阵列使用无水乙醇擦拭清理，然后与下电极有效区域重叠对齐之间加入聚合物胶液，形成第一步封装件，将导热金属层、缓冲层、第一步封装件、缓冲层、导热金属层按顺序摆放形成第一步封装合件，通过真空、加压、升温后分离，在与上电极重复以上操作，完成二步封装，得到柔性压电纤维复合材料。可实现柔性压电纤维复合材料的一体化成形封装，方法简单短时高效，具有高稳定性、高驱动传感性能，同时可针对柔性压电纤维复合材料使用需求，选择不同尺寸大小的叉指电极或平面电极进行一体化封装。

公开(公告)号：CN115151748A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016683.8

申请日：2021-02-24

申请人： 有限公司机械变压器 ,  株式会社佐竹

发明人： 徐世杰 ,  矢野健 ,  矢野昭雄 ,  伊藤隆文

IPC分类号： F16K31/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H02N2/10

摘要： 本发明提供一种阀装置，其能够简单地控制驱动系统，并且，即使在阀装置主体有温度变化的情况下，流量特性的变化也小。阀装置具备致动器、阀功能模块以及外壳，致动器具备：基部，其为基盘；压电元件，其一端部连接到基部的安装面上，且沿第一长边方向延伸；支承部件，其一端部与压电元件并列安装到安装面上，且沿与第一长边方向交叉的第二长边方向延伸；以及作用部，其与压电元件及支承部件各自的另一端部连接，并随着压电元件的伸缩在位移方向上位移以驱动阀部，该位移方向是与第一长边方向及第二长边方向均不同的方向，外壳具备：供给口，其供给流体；排出口，其排出通过阀部与阀座的分离从供给口供给的流体；以及保持部，其确保阀功能模块与外壳之间的空隙并保持阀功能模块。

公开(公告)号：CN115136332A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180014365.8

申请日：2021-02-15

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 岸本谕卓 ,  池内伸介 ,  大村正志

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/113 ,  H01L41/09

摘要： 从与一个主面正交的方向观察，凹部(113)的外形为多边形或者圆形。若将构成上述多边形的多个边的数量设为n个，将由长度(L1)与上述多个边中的最短边相同的上述n个边构成的假想正多边形的外接圆(C)的半径设为r，将在层叠部中位于凹部(113)上的膜片部的最大厚度设为d，则在3≤n≤7的情况下，满足r≤197.7dn‑0.6698，在8≤n或者凹部(113)的外形为圆形的情况下，满足r≤52.69d。

公开(公告)号：CN115101657A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210398264.1

申请日：2022-04-15

申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司

发明人： 欧欣 ,  柯新建 ,  黄凯

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/22 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64

摘要： 本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：支撑衬底、表面隔离层、载流子陷阱层、绝缘层和压电层；表面隔离层设置于支撑衬底的一侧表面上；载流子陷阱层设置于表面隔离层远离支撑衬底的一侧表面上；绝缘层设置于载流子陷阱层远离支撑衬底的一侧表面上；压电层设置于绝缘层远离支撑衬底的一侧表面上，压电层与绝缘层键合；表面隔离层的厚度小于等于20nm；表面隔离层的材料包括第一预设比例含量的硅和第二预设比例含量的隔离材料。本申请在支撑衬底与载流子陷阱层之间沉积表面隔离层或在支撑衬底表面自然氧化形成表面隔离层，有效防止了载流子陷阱层的重结晶现象，提高了载流子陷阱层的载流子俘获效率，有效降低高频时器件的射频损耗，提高器件性能。

公开(公告)号：CN114784178B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210708090.4

申请日：2022-06-22

申请人： 上海隐冠半导体技术有限公司

发明人： 朱凯 ,  王振华 ,  龚威

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/09

摘要： 本发明提供一种压电致动器及移动装置，所述压电致动器包括：外壳组件，其内具有一端开口的容置腔室；压电组件，设于所述容置腔室内，包括若干个压电件，各所述压电件在轴向上依次堆叠设置；至少一个保护组件，设于所述容置腔室内，且至少部分设于所述外壳组件的内壁和所述压电组件的外壁之间；在所述保护组件的数量大于等于2个时，多个所述保护组件上下间隔排列。通过本发明提供的压电致动器，解决了现有压电致动器存在的陶瓷叠堆容易断裂的问题。

公开(公告)号：CN113016196B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201980074863.4

申请日：2019-08-16

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 梅泽青司 ,  池内伸介 ,  黑川文弥 ,  安达永纯 ,  持田洋一

IPC分类号： H04R17/00 ,  B81B3/00 ,  H01L41/053 ,  H01L41/113

摘要： 多个梁部(120)各自的端部(121)被基部靠上侧的位置向远离基部(110)的方向延伸。多个梁部(120)各自包含多个层。多个梁部(120)各自包含压电体层(122)、配置在压电体层(122)的上侧的上部电极层(123)、和配置为夹着压电体层(122)与上部电极层(123)的至少一部分对置的下部电极层(124)。固定部(130)配置在梁部(120)上，使得与基部(110)夹着多个梁部(120)各自的端部(121)。固定部(130)在上下方向上位于与基部(110)的至少一部分重叠的位置，并且在梁部(120)的延伸方向上延伸，使得比基部(110)突出。(110)支承，多个梁部(120)各自在比基部(110)

公开(公告)号：CN114883479A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210496483.3

申请日：2022-05-07

申请人： 广东工业大学

发明人： 郝明明 ,  罗瑜驰 ,  王云才

IPC分类号： H01L41/316 ,  C30B25/18 ,  C30B28/12 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/18

摘要： 本发明公开一种应用于FBAR的高质量单晶压电薄膜及谐振器结构制备方法，该薄膜制备方法包括以下步骤：采用SiC作为衬底，并对SiC衬底进行预处理；通过MOCVD在预处理后的衬底上沉积一层AlN薄层，该AlN薄层作为过渡层；通过低温磁控溅射方法在过渡层上溅射出多晶AlN薄膜；对AlN薄膜进行高温面对面退火处理；在高温作用下，AlN薄膜的晶粒再结晶，使晶粒长大，再通过合并减少晶粒间的界面，形成高质量单晶AlN薄膜。本发明采用SiC作为AlN压电薄膜的衬底，能够减少热膨胀系数和晶格失配造成的影响，从而提高FBAR压电薄膜AlN的性能。

公开(公告)号：CN114823651A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210358285.0

申请日：2022-04-06

申请人： 杭州道铭微电子有限公司

发明人： 杨俊

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L41/053

摘要： 本发明公开了一种带有滤波器的射频系统模块封装结构及方法，其中射频系统模块封装结构包括：表面焊接有金属焊球形成凸点的滤波器芯片，第一侧和第二侧均设有若干焊盘的封装基板，第一侧对应滤波器芯片的焊盘印刷锡膏；滤波器芯片与封装基板的第一侧焊接形成锡包金属焊球结构；安装在封装基板第一侧的被动元件，以及安装在封装基板第二侧的主动元件；包括隔离膜的封装材料，隔离膜覆盖在封装基板第一侧、滤波器和被动器件的表面，从而使滤波器和封装基板第一侧形成滤波器空腔；降低焊接线材和设备支出成本，增加焊点强度和可靠性，解决了选择性覆膜导致的可靠性问题，通过电磁屏蔽层和转接板侧边金属层互联增强封装模块的屏蔽性。

公开(公告)号：CN114784179A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210241375.1

申请日：2022-03-11

申请人： 江苏卓胜微电子股份有限公司

发明人： 潘益军 ,  王鑫 ,  宋驭超 ,  王亮

IPC分类号： H01L41/23 ,  H01L41/25 ,  H01L41/053

摘要： 本发明公开了一种芯片模组封装方法及芯片模组，涉及芯片封装技术领域。该芯片模组封装方法包括：提供一载板；在载板上设置多个元件，元件至少包括一个声表面滤波器芯片，元件与载板之间具有预设距离；在元件上形成一干膜层，干膜层封闭元件与载板之间的空间，形成空腔；去除元件中的除所述声表面滤波器芯片之外的元件对应的干膜部分；对载板具有元件的一侧进行塑封。本发明提供的芯片模组封装方法通过先覆盖干膜，使元件与载板之间形成空腔；再去除声表面滤波器芯片之外元件对应的干膜，暴露该类元件的空腔，最后进行塑封时，能够对该类元件与载板之间的空间进行填充，从而保证了该类元件的填充效果，保证了芯片模组的可靠性。