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公开(公告)号：CN109545954B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201810035098.2
申请日：2018-01-15
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供能够减少磁化反转所需要的反转电流密度的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋流磁化反转元件具有：沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线；和在与上述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向层叠的第一铁磁性层，上述第一铁磁性层具有多个铁磁性结构层和夹在相邻的铁磁性结构层间的至少1层插入层，夹着上述多个铁磁性结构层中的至少1个铁磁性结构层的层的自旋霍尔角的极性不同。
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公开(公告)号：CN114937735A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210550931.3
申请日：2022-05-18
申请人： 北京量子信息科学研究院
摘要： 本发明公开了一种包括多层膜结构的真随机数发生器，所述多层膜结构包括：导电层，配置成通入第一电流；第一磁性层，位于所述导电层之上，易磁化方向垂直于所述导电层与所述第一磁性层的交界面，配置成在所述第一电流的焦耳热作用下，所述第一磁性层的磁矩克服翻转能量势垒向垂直于所述交界面向上或向下的方向随机翻转；自旋流抵消层，位于所述第一磁性层之上，用于抵消所述导电层与所述第一磁性层的交界面上产生的自旋流对所述第一磁性层的磁矩产生的自旋轨道矩。本发明所提供的真随机数发生器，通过增加自旋流抵消层抵消了来自导电层的自旋轨道矩，克服了在自旋轨道耦合效应下的垂直磁化异质结器件的磁矩难以等概率发生向上和向下翻转的问题。
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公开(公告)号：CN109427959B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201811012162.1
申请日：2018-08-31
申请人： 延世大学校产学协力团
发明人： 洪钟一
摘要： 本发明涉及自旋轨道转矩磁性器件。本发明一实施例的磁性器件包括：自旋电流图案，配置于基板上，通过面内电流生成垂直于配置平面的自旋电流；以及自由磁性层，以与上述自旋电流图案相接触的方式配置，具有通过上述自旋电流进行磁化反转的垂直磁各向异性。上述自旋电流图案包括：第一非磁性导电层；第二非磁性导电层，以与上述第一非磁性导电层对齐的方式配置；以及磁性层，介于上述第一非磁性导电层与上述第二非磁性导电层之间，与上述第一非磁性导电层对齐，具有垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN114864809A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210282611.4
申请日：2022-03-22
申请人： 泉州师范学院
摘要： 本发明提供了一种磁性薄膜核心结构、磁敏传感单元及磁场测量方法，磁性薄膜核心结构包括逐层生长在基片之上的缓冲层、第一磁层、绝缘势垒层、第二磁层、自旋轨道耦合层、偏置层和覆盖层；所述第一磁层具有自发平行于基片平面的磁化矢量；所述第二磁层具有自发垂直于基片平面的磁化矢量；所述第二磁层的磁化强度垂直于膜面时的矫顽力大于第一磁层的难轴的饱和场；所述绝缘势垒层、第二磁层和自旋轨道耦合层构成自旋轨道转矩结构。本发明优点：加工简单，能够提高器件集成度，降低成本和功耗，且可以提高器件稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114843394A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110141363.7
申请日：2021-02-02
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及自旋轨道力矩磁器件及其制造方法。根据一实施例，一种磁器件可包括：磁偏置层；位于所述磁偏置层上的自旋霍尔层；位于所述自旋霍尔层上的自由磁层；位于所述自由磁层上的中间层；以及位于所述中间层上的参考磁层，其中，所述自旋霍尔层包括第一自旋霍尔层和第二自旋霍尔层，所述第一自旋霍尔层和第二自旋霍尔层分别由自旋霍尔角符号相反的材料形成。所述磁器件可以是磁随机存储器或者是自旋逻辑器件。
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公开(公告)号：CN114464730B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210386544.0
申请日：2022-04-14
申请人： 广东气派科技有限公司
摘要： 本发明提供一种电流传感器封装工艺，包括以下步骤：将芯片倒装在框架上，并将框架和芯片进行电连接；将芯片和框架进行塑封，同时漏出框架两侧的延伸端，并利用塑封层形成产品外壳；利用切割成型机将框架两端进行切割形成管脚，并获得电流传感器成品。本发明用以实现在对电流传感器进行生产过程中，利用新的生产工艺提高电流传感器的良品率；减少在塑封过程中芯片和引脚的线束出现断开或虚接的情况，提高产品稳定性，以及提高电流传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111682106B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010583854.2
申请日：2020-06-23
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明提供一种基于自旋轨道矩的存储单元及其制造方法。所述基于自旋轨道矩的存储单元包括：磁性隧道结，所述磁性隧道结包括依次堆叠的自由层、势垒层和参考层；水平自旋轨道矩效应层，所述水平自旋轨道矩效应层与所述自由层的底面接触；竖直自旋轨道矩效应层，所述竖直自旋轨道矩效应层覆盖于所述自由层的一个侧壁。本发明提供的基于自旋轨道矩的存储单元在无需外部磁场的情况下能够实现自由层磁化方向的确定性翻转。
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公开(公告)号：CN114497355A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210072108.6
申请日：2022-01-21
申请人： 上海积塔半导体有限公司
发明人： 刘金营
摘要： 本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法，自旋轨道矩磁性随机存储器包括衬底、绝缘层、拓朴结构、磁性隧道结、第一导电结构、第二导电结构及第三导电结构；本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器，将拓朴结构设置于磁性隧道结外，且与自由铁磁层相接触，并在磁性隧道结内设置第一导电结构，且第一导电结构与固定铁磁层相接触，且拓朴结构与磁性隧道结均呈U型或V型，从而可使得自旋轨道矩磁性随机存储器实现“读”与“写”的操作，且可实现自旋轨道矩磁性随机存储器的微缩，提高存储能力，扩大所述自旋轨道矩磁性随机存储器的应用。
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公开(公告)号：CN114361333A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210031621.0
申请日：2022-01-12
申请人： 于孟今
发明人： 于孟今
摘要： 本发明涉及太赫兹波探测领域，具体提供了一种石墨烯太赫兹波探测器，反铁磁层的材料为硬磁反铁磁材料，钉扎层置于反铁磁层上，钉扎层的材料为自旋性极化率高的金属或半金属，石墨烯层置于钉扎层上，自由层置于石墨烯层上，自由层的材料为磁各向异性弱的软磁材料。应用时，应用固定磁场作用于本发明，以产生巨磁阻效应；同时，应用待测太赫兹波照射石墨烯层。通过测量太赫兹波照射时和无太赫兹波照射时，钉扎层和自由层之间电阻的差异，确定待测太赫兹波的强度或波长。本发明具有太赫兹波探测灵敏度高的优点。
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公开(公告)号：CN114335328A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111432783.7
申请日：2021-11-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述巨自旋霍尔角材料为生长于基片之上的金属‑钛氧化物复合薄膜；所述金属‑钛氧化物复合薄膜中，钛氧化物的摩尔百分比为1mol％～20mol％，金属的摩尔百分比为80mol％～99mol％。本发明提供的金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料及制备方法和应用，方法简单易行，制备得到的金属‑钛氧化物复合薄膜相对于纯的金属薄膜，其室温下的自旋霍尔角度显著增加(铂‑氧化钛薄膜的室温自旋霍尔角度可达1.6，比纯铂的自旋霍尔角0.15提高了一个数量级)，室温自旋扩散长度减小。
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