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公开(公告)号：CN118801211A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410936813.5
申请日：2024-07-12
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及激光器领域，具体公开了一种基于对称破缺连续域束缚态的(BI C)单向辐射激光器；本发明设计了一种基于面外对称性破缺的BIC结构，利用结构参数对本征频率的影响，实现单波长、单模输出的器件性能；不同于传统的基于对称性破缺的BIC激光器直接将二维光子晶体与有源层结合，该结构将图案化的介质层与有源层分离，将二者和底部的分布式布拉格反射器(DBR)看为一个整体计算本征频率和能带，避免对有源层的加工引入不稳定的缺陷；同时在光子晶体板的另一侧设计分布式布拉格反射器控制单一辐射方向，提高激光器的输出功率。光子晶体板不仅用于调节辐射状态，也与DBR构成高质量因子(Q)值的激光器谐振腔，可以显著降低电阻和电泵浦过程中的热损耗。
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公开(公告)号：CN113424378B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080013809.1
申请日：2020-02-07
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够抑制来自半导体光放大器等正向偏置光元件的漏电流向反射镜的流入，并防止谱线宽度的宽大化的半导体光集成元件。半导体光集成元件是在半导体基板的上表面单片集成有正向偏置光元件和半导体激光器的半导体光集成元件，具备：无源波导部，其配置于所述正向偏置光元件与所述半导体激光器之间；以及接地电极，其配置于所述半导体基板的下表面，所述半导体激光器在所述正向偏置光元件侧具有具有长度的反射镜，所述正向偏置光元件在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有正向偏置光元件电极，所述无源波导部在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有无源波导电极，所述无源波导电极与所述接地电极电连接。
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公开(公告)号：CN118712879A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411005409.2
申请日：2017-03-07
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件。发光元件包含：基板；位于基板上的外延结构，外延结构包含第一部分具有多个第一辐射发射区域以及第二部分具有多个第二辐射发射区域；电极位于外延结构上且具有多个第一开口对应于多个第一辐射发射区域及多个第二开口对应于多个第二辐射发射区域，其中在操作下，多个第一辐射发射区域及多个第二辐射发射区域是同时发光，且流经各该第一辐射发射区域的第一电流小于流经各第二辐射发射区域的第二电流；其中，多个第一辐射发射区域的数量大于多个第二辐射发射区域的数量。
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公开(公告)号：CN118380858A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410506933.1
申请日：2024-04-25
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种增透型垂直腔面发射激光器及芯片，激光器包括：有源区和位于有源区相对两侧的下布拉格反射层和上布拉格反射层；有源区包括至少5个有源层和位于有源层之间的隧道结；其中，下布拉格反射层与有源区之间和上布拉格反射层与有源区之间的至少一处设置有光增透存储腔；光增透存储腔用于将光场强度峰值增大至高于有源区的光场强度峰值，以及存储光场能量；增透型垂直腔面发射激光器在注入电流密度大于10kA/cm2、斜率效率大于4W/A、远场发散角小于等于19°的条件下工作。本发明提供的技术方案，极大地降低发散角，增大亮度和光谱亮度的同时，还可以保持单纵模激射，以及避免出现制造复杂、成本高、功率密度低问题。
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公开(公告)号：CN114068781B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111348623.4
申请日：2021-11-15
申请人： 扬州乾照光电有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光器件，该发光器件的至少一个电极为忆阻器结构，从而可以预先设置忆阻器结构在发光器件的实际供电电压下的阻态，并调整忆阻器结构在该阻态下的电阻值，以便于当发光器件的实际供电电压大于其正常工作电压时，利用预先设置好电阻值的忆阻器结构对发光器件进行分压，防止流经发光器件的电流过大而使发光器件失效或光强不稳定，并且，由于忆阻器结构集成在发光器件内部，因此，无需像现有技术那样在发光器件的支路中额外增加分压器件，从而大大简化了电路结构，减小了器件的体积和成本，也减小了器件的工艺复杂度，当发光器件为LED时，还有助于实现显示屏中像素密度的提高。
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公开(公告)号：CN118213854A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410374980.5
申请日：2024-03-29
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/0625 , H01S5/065 , H01S5/10
摘要： 本发明提供一种用于NG‑PON2突发模式的三段式半导体激光器，由DFB区和两个反射区组成，三者共用一个光栅反馈层；光栅整体采用线性渐变啁啾结构，并在DFB区中间引入π相移。本发明还给出了三段式半导体激光器的制作及应用方法，工作时，DFB区注入正常工作电流，反射区注入小电流，反射区提供反馈以维持DFB的正常激射，反射区中小电流对芯片的热效应贡献较小，但是其提供的反馈可以维持正常的激射；当反射区中不注入电流时，DFB区因缺乏反馈不能实现激射。本发明通过控制反馈区中小电流从而实现大消光比的突发模式，且突发模式实现的过程中，DFB有源区结温几乎无变化，因此没有发生波长漂移。本发明为NG‑PON2中突发模式激光器的实现提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN118117441A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310171417.3
申请日：2023-02-27
申请人： 晶呈科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种激光二极管，其包含一原生基板、一外延结构以及一复合多层金属板。原生基板具有一基板热膨胀系数，外延结构形成于原生基板上。复合多层金属板设置于原生基板下方且至少包含一第一金属层及一第二金属层，第一金属层与第二金属层相互叠设且材质相异，复合多层金属板具有一调变热膨胀系数。其中，原生基板供外延结构生长时具有一初始厚度，将原生基板薄化至一结合厚度后再结合复合多层金属板，且复合多层金属板的调变热膨胀系数与基板热膨胀系数相近。借此，可提升激光二极管的散热能力及出光效率。
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公开(公告)号：CN113661618B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080024013.6
申请日：2020-03-25
申请人： 思科技术公司
发明人： 多米尼克·F·斯里亚尼 , 威普库马·K·帕特尔
摘要： 一种主振荡器功率放大器包括：半导体激光器，其形成在衬底上并被配置为输出光学信号；以及半导体光学放大器(SOA)，其形成在该衬底上。该SOA包括具有光学有源区域的光波导，其中，该光波导被配置为沿至少两个维度来扩展光学信号的模式尺寸。
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公开(公告)号：CN118040466A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310283847.4
申请日：2023-03-22
申请人： 全新光电科技股份有限公司
摘要： 一种具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，包含基板、第一磊晶区、主动区以及电流均匀层。第一磊晶区是位于基板之上，主动区是位于第一磊晶区之上，电流均匀层是设置于第一磊晶区之中并且不与主动区直接接触，电流均匀层更包含N型掺杂元素，N型掺杂元素是选自于Si及Se所组成群组的至少一者。面射型激光磊晶结构中的电流均匀层不与主动区直接接触，如此电流均匀层不会因与主动区太过靠近而吸收主动区放出的光，除了能避免出光功率变低，同时确保主动区放出的光可以被具有高反射率的下分散式布拉格反射器层反射。此外，电流均匀层能对下磊晶区中的多数层提供电流均匀分布效果，降低下磊晶区的电阻。
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