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公开(公告)号：CN118921031A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411053948.3
申请日：2024-08-01
申请人： 维沃移动通信有限公司
发明人： 张国艺
摘要： 本申请公开了一种滤波器及其封装方法。滤波器包括：基板，其第一侧设有凹槽；滤波器芯片，与所述基板层叠设置并连接，所述滤波器芯片封闭所述凹槽的槽口围合形成空腔，所述滤波器芯片具有功能区，所述功能区朝向所述空腔的内部；封装部，设于所述基板及所述滤波器芯片的周侧，且所述封装部密封所述基板与所述滤波器芯片之间的连接处。本申请提供的滤波器及其封装方法，能有效降低加工难度，从而降低生产成本并提高成品率，同时有利于满足轻薄化需求。
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公开(公告)号：CN113114149B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110568612.0
申请日：2021-05-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供了一种面内拉伸模态射频微机电谐振器，包括：谐振单元，工作于面内拉伸模态下；定义谐振单元由在面内拉伸模态下的谐振振动而产生位移量变化的边缘位置为振动部；支撑单元，包括支撑梁和基座；支撑梁包括形成复合结构的直梁和框型梁；支撑梁用于支撑谐振单元；基座与支撑梁相连，用于维持谐振单元的悬空；电极，设置于谐振单元的振动部处，用于驱动和检测谐振单元进行谐振振动的换能结构。本发明提供的面内拉伸模态射频微机电谐振器基于面内拉伸模态，热弹性损耗和介质损耗低；支撑梁为复合结构，减小了谐振器的支撑损耗，进一步提高Q值，可用于构建多种高性能射频器件。
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公开(公告)号：CN118740099A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310328838.2
申请日：2023-03-30
申请人： 天津大学
摘要： 本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器。该横向电场激励谐振器包括：衬底105；单晶压电薄膜101，其被支撑于所述衬底105表面；电极层102，设置于单晶压电薄膜101的至少一个表面，电极层102包括至少两组指电极102a，在第一方向x上，至少两组指电极102a交叉设置，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接；以及凹陷部103，其设置于单晶压电薄膜的至少一个表面，凹陷部内填充有介质材料D1。本申请通过调节凹陷部内的介质材料的尺寸和/或形状等参数可实现对谐振器的机电耦合系数K2的灵活调节。
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公开(公告)号：CN118074643A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410195566.8
申请日：2024-02-22
申请人： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要： 本申请实施例涉及一种滤波器及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；将半导体衬底的第一表面侧的一部分材料转化为牺牲层材料，并使得牺牲层材料的顶表面与半导体衬底的第一表面共面，以形成内嵌于半导体衬底的牺牲层；在半导体衬底的第一表面上形成压电叠层结构，压电叠层结构包括依次层叠的第一电极层、压电层和第二电极层，压电叠层结构覆盖牺牲层；去除牺牲层，以形成位于压电叠层结构下方的空腔。由此，避免牺牲层出现台阶，使压电层在台阶处发生结晶退化，影响器件性能；并且，无需刻蚀半导体衬底预先形成空腔后再填充牺牲层，节省工艺，避免刻蚀工艺对半导体衬底机械强度的影响。
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公开(公告)号：CN117303305A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311608513.6
申请日：2023-11-29
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本发明提供一种MEMS器件封装结构及其制备方法，封装结构包括：设置于ASIC芯片正面的硅基框架；硅基框架内有垂直孔结构和凹槽，MEMS芯片放置于凹槽内；导电连接层设置于垂直孔结构内引出ASIC芯片的电连接；重布线层覆盖于MEMS芯片和硅基框架的正面，导电引出层设置于重布线层上，引出MEMS芯片和ASIC芯片的电连接。本发明通过在硅基框架内放置MEMS芯片，以设置重布线层实现MEMS芯片和ASIC芯片的电互连和电信号引出，缩短互连线长度，减小寄生参数，利于高频领域应用；同时通过钝化层对MEMS芯片的二次密封，提高器件真空稳定性；另外，通过在ASIC芯片上设置硅基框架并在硅基框架内设置MEMS芯片的堆叠结构，使整体封装面积不大于ASIC芯片面积，使封装小型化。
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公开(公告)号：CN117220626A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310950590.3
申请日：2023-07-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请涉及微机电系统领域，具体涉及一种谐振器的制作方法及谐振器。包括提供衬底；在衬底的表面上沉积复合层，复合层包括玻璃层和氧化层，玻璃层与氧化层处于衬底的同一平面，且氧化层环绕玻璃层；在复合层背离衬底的表面上沉积可动结构层，可动结构层包括谐振体、梁结构和电连接部，谐振体和电连接部在径向平面上间隔设置，梁结构设于谐振体和电连接部的之间；在所述谐振体和所述电连接部的间隔处为刻蚀起点刻蚀所述玻璃层和部分所述氧化层以释放所述谐振体，这样的释放结构的方法相比于现有技术中释放孔释放结构的方法由于避免了在谐振体上开释放孔，能够保证谐振体的结构整体性，从而保证谐振体表面的有效电压的强度或者更大的驱动面积。
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公开(公告)号：CN117155321A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311433713.2
申请日：2023-11-01
申请人： 山东盈和电子科技有限公司
IPC分类号： H03H3/007 , G06N3/0455 , G06N3/0442 , G06N3/048 , G06N3/084
摘要： 本说明书实施例提供一种谐振器的生产工艺调整方法及调整系统，其中，谐振器的生产工艺调整方法，包括：获取谐振器处于目标环境参数下的当前频率值，判断所述当前频率值与设定频率值是否一致；若不一致，将所述目标环境参数输入至预设的第一神经网络模型，确定所述谐振器的频率补偿值，其中，所述第一神经网络模型基于基准谐振器的历史频率值以及与所述历史频率值相对应的环境参数得到；根据所述谐振器的频率补偿值，调节谐振器的生产工艺，以使谐振器的输出频率值至设定频率值。采用上述技术方案，能够提高谐振器输出频率的稳定性，进而提高应用谐振器的电子设备的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN116667811A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310631806.X
申请日：2023-05-30
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请提供了一种MEMS振荡器芯片，包括四个呈矩形阵列排布的引脚，其中，第一引脚被配置为OE引脚、ST引脚、NC引脚、OUT2引脚中的任一种，第二引脚被配置为GND引脚，第三引脚被配置为VDD引脚，第四引脚被配置为OUT1引脚。当第一引脚被配置为OUT2引脚后，第一引脚和第四引脚中的一者配置为输出频率为32.768kHz的时钟信号，另一者配置为输出频率为MHz的时钟信号。上述MEMS振荡器芯片能够分别输出频率为kHz和MHz的时钟信号，拓展了MEMS振荡器芯片的引脚功能，以通过单一芯片实现多钟频率信号输出的目的，进而不仅提高了单一MEMS振荡器芯片的性能，还能够进一步减少制造成本。
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公开(公告)号：CN116647203A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310154710.9
申请日：2023-02-22
申请人： 精工爱普生株式会社
摘要： 振动器件以及振动器件的制造方法。能够抑制振动特性的劣化。振动器件具有：元件基板，其具有框部和振动元件，框部具有处于正反关系的第1面和第2面，振动元件与框部连接，配置于框部的内侧；第1基板，其配置在第1面侧，具有与第1面相对的第3面；第1接合层，其配置在元件基板与第1基板之间，接合第1面与第3面；第2基板，其配置在第2面侧，具有与第2面相对的第4面；第2接合层，其配置在元件基板与第2基板之间，接合第2面与第4面；收纳部，其由框部、第1基板和第2基板包围，收纳振动元件；吸气层，其配置在第4面，露出于收纳部，具有气体吸附性。
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公开(公告)号：CN116633306A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310141365.5
申请日：2023-02-21
申请人： 精工爱普生株式会社
摘要： 振动器件以及振动器件的制造方法，抑制大型化并且具有优异的气体吸附性。振动器件具有：硅的基座，其具有处于正反关系的第一面和第二面；振动元件，其被配置于所述第一面；硅的盖，其被配置于所述第一面侧，具有与所述第一面面对的第三面和朝所述第三面开口的有底的凹部，所述第三面与所述第一面接合；以及吸气层，其被配置于所述凹部的底面，具有气体吸附性，所述凹部的底面的表面粗糙度Ra大于所述第三面的表面粗糙度Ra。
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