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1.发明公开Procédé de fabrication d'un transistor isolé ã canal contraint 有权Isolierter晶体管mit einem verspannten Kanal和Herstellungsverfahren
公开(公告)号：EP1734568A2
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：EP06115549.5
申请日：2006-06-15
发明人： Barbe, Jean-Charles , Barraud, Sylvain , Fenouillet-Beranger, Claire , Gallon, Claire , Halimaoui, Aomar
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7842 , H01L29/1033 , H01L29/66636 , H01L29/78618
摘要： Dispositif semi-conducteur de type transistor, comportant :
- un substrat (1),
- une couche isolante comportant des parois latérales formées de part et d'autre de la source (100) et du drain (102),
- des zones de drain (100), de canal (2a), et de source (102), la zone de canal étant formée sur la couche isolante et étant contrainte par les zones de drain et de source, comprises entre les parties latérales,
- une grille (4), séparée du canal par un isolant de grille.摘要翻译： 该装置具有衬底（1），并且在漏极（100）和源极（102）的区域的两侧形成有侧壁的绝缘层。 沟道区（2a）形成在绝缘层上并被漏源区限制。 漏区和源区由与网格参数的不同热膨胀系数相同的材料制成，并且直接形成在绝缘层上，并且通过绝缘栅将栅极（4）与沟道分离。 对于在基板上形成绝缘晶体管的方法，还包括独立权利要求。
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公开(公告)号：EP1734568A3
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：EP06115549.5
申请日：2006-06-15
发明人： Barbe, Jean-Charles , Barraud, Sylvain , Fenouillet-Beranger, Claire , Gallon, Claire , Halimaoui, Aomar
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7842 , H01L29/1033 , H01L29/66636 , H01L29/78618
摘要： Dispositif semi-conducteur de type transistor, comportant :
- un substrat (1),
- une couche isolante comportant des parois latérales formées de part et d'autre de la source (100) et du drain (102),
- des zones de drain (100), de canal (2a), et de source (102), la zone de canal étant formée sur la couche isolante et étant contrainte par les zones de drain et de source, comprises entre les parties latérales,
- une grille (4), séparée du canal par un isolant de grille.-
3.发明公开Procédé de réalisation d'un transistor MOS et circuit intégré correspondant 有权Herstellungsverfahren阴极MOS晶体管。
公开(公告)号：EP1746643A1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：EP06291159.9
申请日：2006-07-18
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： Pour réaliser un transistor MOS sur un substrat en silicium (SOI) placé sur une couche d'oxyde enterré (BOX), le transistor étant réalisé dans une zone active du substrat délimitée par une région isolante, on forme la région isolante, on réalise une région de grille et des régions de source et de drain qui délimitent entre elles un canal de sorte que la région de grille s'étende au-dessus du canal.
La région isolante est réalisée en procédant à une formation localisée d'une zone en matériau apte à être gravé sélectivement par rapport au silicium, en gravant sélectivement ledit matériau, et en déposant un matériau diélectrique à l'endroit de la gravure.
En outre, la gravure est réalisée postérieurement à la réalisation de la région de grille.摘要翻译： 该方法包括限定绝缘区域，以及形成栅极区域（G），限定沟道的源极和漏极区域，使得栅极区域在沟道上方延伸。 绝缘区域是通过局部地形成由硅 - 锗合金形成的区域而形成的，相对于硅选择性地蚀刻合金并在蚀刻的位置沉积介电材料。 在沉积在掩埋氧化物层上方的形成绝缘体上半导体衬底上的栅极区域之后进行蚀刻。 对于包括金属氧化物半导体晶体管的集成电路，还包括独立权利要求。
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公开(公告)号：EP1734568B1
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：EP06115549.5
申请日：2006-06-15
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
发明人： Barbe, Jean-Charles , Barraud, Sylvain , Fenouillet-Beranger, Claire , Gallon, Claire , Halimaoui, Aomar
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7842 , H01L29/1033 , H01L29/66636 , H01L29/78618
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公开(公告)号：EP1746643B1
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：EP06291159.9
申请日：2006-07-18
申请人： STMicroelectronics (Crolles 2) SAS , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
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