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公开(公告)号：EP1734568B1
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：EP06115549.5
申请日：2006-06-15
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
发明人： Barbe, Jean-Charles , Barraud, Sylvain , Fenouillet-Beranger, Claire , Gallon, Claire , Halimaoui, Aomar
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7842 , H01L29/1033 , H01L29/66636 , H01L29/78618
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2.发明授权
公开(公告)号：EP2521162B1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：EP12166898.2
申请日：2012-05-04
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
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3.发明授权Procédé pour contraindre simultanément en tension et en compression les canaux de transistors NMOS et PMOS respectivement 有权一种用于在张力每个同时位移和压缩NMOS和PMOS晶体管的信道的过程
公开(公告)号：EP2148373B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：EP09165568.8
申请日：2009-07-15
IPC分类号： H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/823807 , H01L21/84
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4.发明公开Procede de realisation de nanocristaux de semi-conducteur 审中-公开Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Nanokristallen
公开(公告)号：EP2521161A1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：EP12166890.9
申请日：2012-05-04
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： Borowik, Lukasz , Barbe, Jean-Charles , Bussmann, Ezra , Cheynis, Fabien , Leroy, Frédéric , Mariolle, Denis , Müller, Pierre
CPC分类号： H01L29/7613 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02601 , H01L21/02667 , H01L29/0665 , H01L29/66075
摘要： Procédé de réalisation de nanocristaux de semi-conducteur (108), comportant au moins les étapes de :
- formation d'espèces chimiques carbonées solides sur une couche mince de semi-conducteur disposée sur au moins une couche diélectrique (104), les dimensions et la densité des espèces chimiques carbonées formées sur la couche mince de semi-conducteur étant fonction des dimensions et de la densité souhaitées des nanocristaux de semi-conducteur,
- recuit de la couche mince de semi-conducteur, réalisant un démouillage du semi-conducteur et formant, sur la couche diélectrique, les nanocristaux de semi-conducteur.摘要翻译： 该方法包括通过化学处理在半导体薄层上形成的碳化学物质的密度相等的半导体薄层在设置在电介质层（104）上的半导体薄层上形成固体碳化学物质 到半导体纳米晶体的所需尺寸和密度（108）。 加强半导体薄层，实现半导体薄层的去湿处理，并在电介质层上形成半导体纳米晶体。 半导体薄层的化学处理步骤通过将包含过氧化氢的溶液施加到半导体薄层来实现。
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5.发明公开Procédé de mesure d'un tenseur anisotrope de diffusion de surface ou des anisotropies de l'énergie de surface 审中-公开测量各向异性Oberflächendiffusionstensors的方法或表面能的各向异性
公开(公告)号：EP2113924A3
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：EP09158265.0
申请日：2009-04-20
摘要： L'invention concerne un procédé de détermination de l'anisotropie du tenseur de diffusion ou de l'anisotropie de l'énergie de surface ne nécessitant pas la réalisation de structures particulières et permettant ce type de détermination dans le cas de perturbations de moyennes amplitudes.
L'invention repose sur la mesure de l'évolution temporelle de rugosités naturelles ou artificielles et de l'analyse des résultats sous forme de densité spectrale de puissance en 2D pour des perturbations dites de moyenne amplitude typiquement caractérisées par des ratio amplitude/longueurs d'onde de perturbation pour une perturbation définie spatialement et présentant deux longueurs d'onde selon deux directions orthogonales, lesdits ratio étant typiquement inférieurs à 0,3.-
公开(公告)号：EP1628332A3
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：EP05291731.7
申请日：2005-08-16
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/26586
摘要： Un procédé de fabrication d'un élément en couches minces, avec une couche (2) d'un premier matériau qui porte un motif (8) d'un second matériau, comprend une étape de dopage par implantation d'une espèce chimique sur une partie au moins de l'ensemble couche-motif de manière à stabiliser le motif sur la couche.
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7.发明授权Procédé de réalisation d'une structure dotée d'au moins une zone d'un ou plusieurs nanocristaux semi-conducteurs localisée avec précision 有权制造具有多个半导体纳米晶体之一的至少一个位置精确区或结构的方法
公开(公告)号：EP1619277B1
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：EP05106613.2
申请日：2005-07-19
CPC分类号： C30B29/60 , B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L29/7613 , Y10S438/962
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8.发明授权
公开(公告)号：EP1786026B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：EP06354035.5
申请日：2006-10-31
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/1203
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9.发明公开Procede pour contraindre simultanement en tension et en compression les canaux de transistors nmos et pmos respectivement 有权一种用于在所述NMOS和PMOS晶体管的拉伸和压缩每个同时位移过程
公开(公告)号：EP2148373A3
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：EP09165568.8
申请日：2009-07-15
IPC分类号： H01L29/10 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/823807 , H01L21/84
摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comportant, sur un même support : au moins une zone semi-conductrice contrainte selon une première contrainte, et au moins une zone semi-conductrice contrainte selon une deuxième contrainte, différente de la première contrainte, comportant : la réalisation de zones semi-conductrices (108 1 , 109 1 ) au dessus d'une couche précontrainte (102 2 ), puis de tranchées (110, 120, 130, 140) traversant l'épaisseur de la couche précontrainte, les dimensions et l'agencement des zones semi-conductrices en fonction de l'agencement et des dimensions des tranchées, étant de manière à obtenir des zones semi-conductrices ayant une contrainte du même type que celui de la couche précontrainte et des zones semi-conductrices ayant une contrainte d'un type différent de celui de la couche précontrainte.
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10.发明公开Procédé de réalisation de nanocristaux de semi-conducteur orientés selon une direction pré-définie 审中-公开一种制备半导体纳米晶体，其根据预定的方向对准过程
公开(公告)号：EP2521162A1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：EP12166898.2
申请日：2012-05-04
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： Borowik, Lukasz , Barbe, Jean-Charles , Bussmann, Ezra , Cheynis, Fabien , Leroy, Frédéric , Mariolle, Denis , Müller, Pierre
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/0259 , H01L21/02667 , H01L29/0665
摘要： Procédé de réalisation de nanocristaux de semi-conducteur (108), comportant au moins les étapes de :
- réalisation d'un empilement d'au moins une couche mince de semi-conducteur contrainte de manière uni-axiale et d'une couche diélectrique (104),
- recuit de la couche mince de semi-conducteur tel qu'un démouillage du semi-conducteur forme, sur la couche diélectrique, des nanocristaux de semi-conducteur de forme allongée orientés perpendiculairement à l'axe de la contrainte.摘要翻译： 该方法包括形成一单轴的堆叠强调半导体薄层和基于二氧化硅的介电层（104）。 该薄层被退火搜索那样的垂直定向的应力轴线伸长形状的半导体纳米晶体（108）的半导体形成去湿，该介电层上。 在薄层和单晶硅层厚（106）之间设置的介电层。 该薄层是通过部分地蚀刻介电层gemäß到图案寻求强调做的应力施加在介电层上是单轴的。 因此独立claimsoft包括用于形成多孔介电层的方法。
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