公开(公告)号：EP1734568A2

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：EP06115549.5

申请日：2006-06-15

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics ( Crolles 2) SAS

发明人： Barbe, Jean-Charles ,  Barraud, Sylvain ,  Fenouillet-Beranger, Claire ,  Gallon, Claire ,  Halimaoui, Aomar

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618

摘要： Dispositif semi-conducteur de type transistor, comportant :
- un substrat (1),
- une couche isolante comportant des parois latérales formées de part et d'autre de la source (100) et du drain (102),
- des zones de drain (100), de canal (2a), et de source (102), la zone de canal étant formée sur la couche isolante et étant contrainte par les zones de drain et de source, comprises entre les parties latérales,
- une grille (4), séparée du canal par un isolant de grille.

摘要翻译： 该装置具有衬底（1），并且在漏极（100）和源极（102）的区域的两侧形成有侧壁的绝缘层。 沟道区（2a）形成在绝缘层上并被漏源区限制。 漏区和源区由与网格参数的不同热膨胀系数相同的材料制成，并且直接形成在绝缘层上，并且通过绝缘栅将栅极（4）与沟道分离。 对于在基板上形成绝缘晶体管的方法，还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP1734568A3

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：EP06115549.5

申请日：2006-06-15

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Barbe, Jean-Charles ,  Barraud, Sylvain ,  Fenouillet-Beranger, Claire ,  Gallon, Claire ,  Halimaoui, Aomar

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618

摘要： Dispositif semi-conducteur de type transistor, comportant :
- un substrat (1),
- une couche isolante comportant des parois latérales formées de part et d'autre de la source (100) et du drain (102),
- des zones de drain (100), de canal (2a), et de source (102), la zone de canal étant formée sur la couche isolante et étant contrainte par les zones de drain et de source, comprises entre les parties latérales,
- une grille (4), séparée du canal par un isolant de grille.

公开(公告)号：EP1734568B1

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：EP06115549.5

申请日：2006-06-15

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Barbe, Jean-Charles ,  Barraud, Sylvain ,  Fenouillet-Beranger, Claire ,  Gallon, Claire ,  Halimaoui, Aomar

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618

公开(公告)号：EP2800135A1

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：EP14166685.9

申请日：2014-04-30

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

发明人： Barraud, Sylvain ,  Morand, Yves

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/0673 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/413 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/057 ,  H01L51/444 ,  H01L2924/13061 ,  H01L2924/13086

摘要： Réalisation d'un dispositif microélectronique sur un substrat de type semi-conducteur sur isolant, le dispositif étant doté d'un transistor d'un type donné dont la structure de canal est formée de barreau(x) semi-conducteur(s), une zone diélectrique différente de la couche isolante du substrat étant prévue, en remplacement de la couche isolante, en regard de la structure de canal du transistor, spécifiquement pour ce type donné de transistor.