公开(公告)号：EP2031446A1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：EP08162306.8

申请日：2008-08-13

申请人： Fujitsu Limited

发明人： Nozaki, Koji ,  Kozawa, Miwa

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0758 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2041

摘要： According to an aspect of an embodiment, a resist composition for immersion exposure includes a matrix resin so that the matrix resin is turned alkali-soluble by an acid. The resist composition further includes a resin having a side chain containing silicon, the resin being capable of being turned alkali-soluble by an acid, the content of the silicon with respect to the total amount of the matrix resin and the resin being 1% by mass or less.

摘要翻译： 。根据对一个实施例的一方面，一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物包括基体树脂所以没有基质树脂转化为碱溶性的酸。 抗蚀剂组合物还包括具有侧链含有硅的树脂，所述树脂能够被转化为碱溶性通过在酸，硅的含量相对于基体树脂的合计量和树脂为1％的 质量或更少。

公开(公告)号：EP1398671B1

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP03017270.4

申请日：2003-07-30

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Kozawa, Miwa ,  Namiki, Takahisa ,  Nozaki, Koji ,  Kon, Junichi

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  G11B5/31

CPC分类号： H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543 ,  Y10S430/11

公开(公告)号：EP1403717A1

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：EP03021393.8

申请日：2003-09-22

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Kozawa, Miwa ,  Nozaki, Koji

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L28/10 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/40 ,  G11B5/855 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541 ,  H01L27/11543

摘要： The present invention provides a resist pattern thickening material and the like which can thicken a resist pattern and form a fine space pattern, exceeding exposure limits of exposure light used during patterning. The resist pattern thickening material contains a resin and a surfactant. In a process for forming a resist pattern of the present invention, after a resist pattern to be thickened is formed, the resist pattern thickening material is coated on a surface thereof. A process for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes: a step of, after forming a resist pattern to be thickened on an underlying layer, coating the thickening material on a surface of the resist pattern to be thickened so as to thicken the resist pattern to be thickened and form a resist pattern; and a step of patterning the underlying layer by etching by using the resist pattern.

摘要翻译： 的抗蚀剂图案增厚材料的树脂和表面活性剂的besteht。 该抗蚀剂图案增厚材料可以是水溶性的和/或碱溶性的。 独立权利要求，因此包括用于：（1）形成通过形成抗蚀剂图案的抗蚀剂图案的至（5）下面的层上被加厚（3），涂覆抗蚀剂图案增厚材料（1），以覆盖抗蚀剂的表面 图案被增厚，并形成抗蚀剂图案（10）; 和（b）由形成抗蚀剂图案，并且通过使用抗蚀剂图案蚀刻图案化该下层半导体器件的制造。

公开(公告)号：EP1693709A1

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：EP06001201.0

申请日：2006-01-20

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Nozaki, Koji ,  Kozawa, Miwa ,  Namiki, Takahisa

IPC分类号： G03F7/40 ,  G11B5/31 ,  H01L27/115 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  G03F7/20

CPC分类号： G11B5/3163 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

摘要： The present invention provides a resist pattern thickening material, which can utilize ArF excimer laser light; which, when applied over a resist pattern to be thickened e.g., in form of lines and spaces pattern, can thicken the resist pattern to be thickened regardless of the size of the resist pattern to be thickened; and which is suited for forming a fine space pattern or the like, exceeding exposure limits.
The present invention also provides a process for forming a resist pattern and a process for manufacturing a semiconductor device, wherein the resist pattern thickening material of the present invention is suitably utilized.

摘要翻译： 本发明提供了一种抗蚀剂图案增厚材料，其可利用ArF准分子激光光; 其中，当施加在待增稠E. G.的抗蚀剂图案，在线和间隔图案的形式，可以增厚该抗蚀剂图案被不管抗蚀剂图案的尺寸的增稠待增稠; 和所有其适合于形成微细的空间图案等，超出曝光极限。 因此，本发明提供了一种形成抗蚀剂图案和用于制造半导体器件的工艺，worin本发明的抗蚀剂图案增厚材料被适当地使用的过程。

公开(公告)号：EP1610184A1

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：EP04025761.0

申请日：2004-10-29

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Nozaki, Koji ,  Namiki, Takahisa ,  Kozawa, Miwa

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： The present invention provides a resist pattern thickening material which can thicken a resist pattern and form a fine space pattern, exceeding exposure limits of exposure light used during patterning. The resist pattern thickening material contains a resin and a polyhydric alcohol. The present invention also provides a process for forming a resist pattern and a process for manufacturing a semiconductor device, wherein the resist pattern thickening material of the present invention is suitably utilized.

摘要翻译： 本发明提供了一种抗蚀剂图案增厚材料，其能够增厚的抗蚀剂图案，并形成精细的空间图案，突破图案化过程中使用的曝光光的曝光极限。 抗蚀剂图案增厚材料包含树脂和多元醇。 因此，本发明提供了一种形成抗蚀剂图案和用于制造半导体器件的工艺，worin本发明的抗蚀剂图案增厚材料被适当地使用的过程。

公开(公告)号：EP1184723A3

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：EP01307380.4

申请日：2001-08-30

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Nozaki, Koji ,  Yano, Ei ,  Kozawa, Miwa

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/038 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/106

摘要： A negative resist composition is provided which comprises at least a constituent component which has a vinyl ether structure protected with an acetal in a molecule thereof. In the formation of negative resist patterns, an aqueous basic solution can be used without swelling. A process is also provided for forming a resist pattern, which comprises the steps of: applying a negative resist composition comprising at least a constituent component which has a vinyl ether structure protected with an acetal in a molecule thereof, on a to-be-treated substrate; selectively exposing the formed resist film to imaging radiation capable of provoking decomposition of a photo acid generator of the resist composition, and developing the exposed resist film with an aqueous basic solution. A process is also provided for manufacturing an electronic device, which comprises the step of selectively removing an underlying to-be-treated substrate using a resist pattern, formed from the above-mentioned process, as a masking means to form a predetermined functional element layer.

摘要翻译： 负性抗蚀剂中提供的组合物至少其包含具有在其分子中含有缩醛保护的乙烯基醚结构的构成成分。 在负性光刻胶上wässrige碱性溶液的图案的形成可以在不溶胀使用。 处理因此提供了一种用于形成抗蚀剂图案，该方法包括以下步骤：将负性抗蚀剂组合物，其包含至少其中在分子中具有与在缩醛保护的乙烯基醚结构它们的构成成分，在一个给 -BE-处理的基材; 选择性地暴露该抗蚀剂膜形成于成像能够引起抗蚀剂组合物的光酸产生剂的分解的辐射，并且显影曝光的抗蚀剂膜与wässrige碱性溶液。 因此，一个过程提供了一种用于制造电子器件，其包括选择性地除去使用的抗蚀剂图案，从上述的方法形成底层到被处理衬底的步骤的，作为一个掩蔽装置以形成 预定功能元件层。

公开(公告)号：EP1793274B1

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：EP06003781.9

申请日：2006-02-24

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Kozawa, Miwa ,  Nozaki, Koji

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/76816

公开(公告)号：EP2397901A1

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：EP11178785.9

申请日：2002-08-12

申请人： Fujitsu Limited

发明人： Nozaki, Koji ,  Kozawa, Miwa ,  Namiki, Takahisa ,  Kon, Junichi ,  Yano, Ei

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L27/11526 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

摘要： To provide a method for easily forming microscopic patterns exceeding the limit of exposure in the patterning technique utilizing the photolithography method in the vacuum deep ultraviolet ray region, a resist pattern swelling material is comprised by mixing a water-soluble or alkali-soluble composition comprising a resin and a cross linking agent and any one of a non-ionic interfacial active agent and an organic solvent selected from a group of the alcohol based, chain or cyclic ester based, ketone based, chain or cyclic ether based organic solvents.

摘要翻译： 为了提供一种在真空深紫外线区域中利用光刻法在图案化技术中容易地形成超过曝光极限的微观图案的方法，通过混合水溶性或碱溶性组合物，包含 树脂和交联剂以及选自醇基，链状或环状酯类，酮类，链状或环状醚类有机溶剂的非离子界面活性剂和有机溶剂中的任一种。

公开(公告)号：EP1385059A1

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：EP03016967.6

申请日：2003-07-25

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Nozaki, Koji ,  Kozawa, Miwa

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  G11B5/31

CPC分类号： H01L27/105 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541 ,  H01L27/11543 ,  H01L28/10

摘要： The present invention provides a resist pattern thickening material and the like which can thicken a resist pattern and form a fine space pattern. The resist pattern thickening material contains: a resin; a crosslinking agent; and at least one type selected from cationic surfactants, amphoteric surfactants, and non-ionic surfactants selected from alkoxylate surfactants, fatty acid ester surfactants, amide surfactants, alcohol surfactants, and ethylene diamine surfactants. In a process for forming a resist pattern of the present invention, after a resist pattern is formed, the thickening material is applied onto a surface of the pattern. A process for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes: after forming a resist pattern on an underlying layer, applying the thickening material on a surface of the pattern so as to thicken the pattern; and a step of patterning the underlying layer by etching by using the pattern.

摘要翻译： 本发明提供了一种抗蚀剂图案增厚材料，并且可以增厚的抗蚀剂图案，并形成精细的空间图案等。 抗蚀剂图案增厚材料包含：树脂; 交联剂; 和至少一种类型的从烷氧基化物表面活性剂，脂肪酸酯表面活性剂，酰胺表面活性剂，醇表面活性剂，和乙二胺表面活性剂中阳离子表面活性剂，两性表面活性剂，和非离子表面活性剂中。 在用于形成本发明的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案被形成之后的工艺中，增厚材料被施加到该图案的表面。 一种半导体装置的制造本发明的过程包括：形成上下层的抗蚀剂图案，将所述图案的表面上的增厚材料以加厚所述图案后; 并且通过使用该图案构图通过蚀刻下层的步骤。

公开(公告)号：EP1343052A3

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：EP03000957.5

申请日：2003-01-16

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： Nozaki, Koji ,  Kozawa, Miwa

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0275 ,  Y02E50/343 ,  Y02W30/47

摘要： The present invention provided an improvement to reduce an edge roughness during forming a small and fine pattern. Such an objective is to accomplish that after patterning a resist film, a coating film is formed on the resist film, so as to intermix the resist film material with the coating film material at the interface therebetween to reduce the edge roughness. There is provided a resist pattern-improving material, comprising: (a) a water-soluble or alkali-soluble composition, comprising: (i) a resin, and (ii) a crosslinking agent. Alternatively, The resist pattern-improving material, comprising: (a) a water-soluble or alkali-soluble composition, comprising: (i) a resin, and (ii) a nonionic surfactant. According to the present invention, a pattern is prepared in the step, comprising: (a) forming a resist pattern; and (b) coating the resist pattern-improving material on the surface of the resist pattern. According to the present invention, the resist pattern-improving material is mixed with the resist pattern at the interface therebetween. The resist pattern may be formed by irradiating a ArF excimar laser light or a laser light having a wavelength shorter than that of the ArF excimar laser light. The pattern of the resist pattern-improving material includes a base resin which does not substantially transmit the ArF excimar laser light.

摘要翻译： 本发明提供了在形成小而细的图案时减少边缘粗糙度的改进。 这样一个目标是在图案化抗蚀剂膜之后，在抗蚀剂膜上形成涂膜，以便将抗蚀剂膜材料与涂膜材料在其界面处混合以降低边缘粗糙度。 提供了抗蚀剂图案改进材料，其包括：（a）水溶性或碱溶性组合物，其包含：（i）树脂和（ii）交联剂。 或者，抗蚀剂图案改善材料包括：（a）水溶性或碱溶性组合物，其包含：（i）树脂和（ii）非离子表面活性剂。 根据本发明，在该步骤中制备图案，包括：（a）形成抗蚀剂图案; 和（b）在抗蚀剂图案的表面上涂覆抗蚀剂图案改善材料。 根据本发明，抗蚀剂图案改善材料在其间的界面处与抗蚀剂图案混合。 可以通过照射具有短于ArF激发激光的波长的ArF截止激光或激光来形成抗蚀剂图案。 抗蚀剂图案改善材料的图案包括不基本上透射ArF分离激光的基础树脂。 本发明提供了在形成小而细的图案时减少边缘粗糙度的改进。 这样一个目标是在图案化抗蚀剂膜之后，在抗蚀剂膜上形成涂膜，以便将抗蚀剂膜材料与涂膜材料在其界面处混合以降低边缘粗糙度。 提供了抗蚀剂图案改进材料，其包括：（a）水溶性或碱溶性组合物，其包含：（i）树脂和（ii）交联剂。 或者，抗蚀剂图案改善材料包括：（a）水溶性或碱溶性组合物，其包含：（i）树脂和（ii）非离子表面活性剂。 根据本发明，在该步骤中制备图案，包括：（a）形成抗蚀剂图案; 和（b）在抗蚀剂图案的表面上涂覆抗蚀剂图案改善材料。 根据本发明，抗蚀剂图案改善材料在其间的界面处与抗蚀剂图案混合。 可以通过照射具有短于ArF激发激光的波长的ArF截止激光或激光来形成抗蚀剂图案。 抗蚀剂图案改善材料的图案包括不基本上透射ArF分离激光的基础树脂。