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    Micro-miniature structure fabrication
    3.
    发明公开
    Micro-miniature structure fabrication 失效
    一种用于微型元件的制造过程。

    公开(公告)号：EP0592094A3

    公开(公告)日：1994-10-12

    申请号：EP93306702.7

    申请日：1993-08-24

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Fan, Long-Shen ,  Zappe, Hans Helmut

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/09

    CPC分类号： G03F7/11 ,  B81B2201/035 ,  B81B2201/037 ,  B81C99/0085 ,  G03F7/00 ,  H02N1/008

    摘要： In the fabrication of a free-standing miniaturized structure in a range of about 10 to 20 µm thick, a method based on a sacrificial system includes the steps of selecting a substrate material, depositing on the substrate material a sacrificial layer 58 of material and patterning the sacrificial layer to define a shape. A photoresist layer 62 of material is deposited on the sacrificial layer and patterned by contrast-enhanced photolithography to form a photoresist mould. Upon the mould there is plated a metallic layer 68 of material. The electroplated structure conforms to the resist profile and can have a thickness many times that of conventional polysilicon microstructures. The photoresist mould and the sacrificial layer are thereafter dissolved using etchants to form a free standing metallic structure in a range of about 10 to 20 µm thick, with vertical to lateral aspect ratios of 9:1 to 10:1 or more.

    DISPOSITIF DE TRANSFORMATION D'UN MOUVEMENT HORS PLAN EN UN MOUVEMENT DANS LE PLAN ET/OU INVERSEMENT
    4.
    发明公开
    DISPOSITIF DE TRANSFORMATION D'UN MOUVEMENT HORS PLAN EN UN MOUVEMENT DANS LE PLAN ET/OU INVERSEMENT 审中-公开
    设备用于将运动从级别，此举在平面或 VICE VERSA

    公开(公告)号：EP3037381A1

    公开(公告)日：2016-06-29

    申请号：EP15202061.6

    申请日：2015-12-22

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： HILT, Thierry

    IPC分类号： B81B3/00 ,  H01H1/00

    CPC分类号： G05G11/00 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/037 ,  B81B2203/051 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0078 ,  H01L41/08

    摘要： Actionneur comportant deux dispositifs comprenant chacun un élément déformable (4, 104) hors plan, ledit élément déformable (4, 104) comprenant une première extrémité fixe (4.1, 104.1) ancrée sur un substrat et une deuxième extrémité libre (4.2, 104.2) par rapport au substrat, ledit dispositif comportant également des moyens de guidage en translation de la deuxième extrémité libre (4.2) dans le plan le long d'une première direction (X), le premier élément déformable (4, 104) étant apte à être déformé hors plan par application d'un stimulus de sorte que la deuxième extrémité libre (4.2, 104.2) se rapproche de la premier extrémité fixe (4.1, 104.1) selon un mouvement de translation dans le plan. L'actionneur comportant également un élément mobile en rotation (8) autour d'un axe (Z) orthogonal au plan et relié mécaniquement aux extrémités libres (4.2, 104.2) des éléments déformables (4,104) et un élément mobile en translation (18) relié mécaniquement à l'élément mobile en rotation (8).

    摘要翻译： 的致动器，其包括两个装置各包括外的平面中的可变形元件，所述可变形元件，其包括第一固定端锚定在一个基材和相对于所述基板的第二自由端，所述装置，从而包括装置以引导在第二自由端 面内沿着第一方向平移，所述第一可变形元件能够通过刺激的应用变形外的平面的所以也第二自由端贴近第一固定端继面内平移运动。 所以，致动器在轴线正交的平面中旋转大约元件移动的并包括机械地连接到所述可变形元件的自由端，和一个平移移动元件机械地连接到与旋转移动元件。

    Micro-miniature structure fabrication
    8.
    发明公开
    Micro-miniature structure fabrication 失效
    微型结构制造

    公开(公告)号：EP0592094A2

    公开(公告)日：1994-04-13

    申请号：EP93306702.7

    申请日：1993-08-24

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Fan, Long-Shen ,  Zappe, Hans Helmut

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/09

    CPC分类号： G03F7/11 ,  B81B2201/035 ,  B81B2201/037 ,  B81C99/0085 ,  G03F7/00 ,  H02N1/008

    摘要： In the fabrication of a free-standing miniaturized structure in a range of about 10 to 20 µm thick, a method based on a sacrificial system includes the steps of selecting a substrate material, depositing on the substrate material a sacrificial layer 58 of material and patterning the sacrificial layer to define a shape. A photoresist layer 62 of material is deposited on the sacrificial layer and patterned by contrast-enhanced photolithography to form a photoresist mould. Upon the mould there is plated a metallic layer 68 of material. The electroplated structure conforms to the resist profile and can have a thickness many times that of conventional polysilicon microstructures. The photoresist mould and the sacrificial layer are thereafter dissolved using etchants to form a free standing metallic structure in a range of about 10 to 20 µm thick, with vertical to lateral aspect ratios of 9:1 to 10:1 or more.

    摘要翻译： 在制造约10至20μm厚的自立式小型化结构中，基于牺牲系统的方法包括以下步骤：选择衬底材料，在衬底材料上沉积材料的牺牲层58并图案化 牺牲层来定义一个形状。 将材料的光致抗蚀剂层62沉积在牺牲层上并且通过对比增强的光刻来图案化以形成光刻胶模具。 在模具上镀上一层金属材料层68。 电镀结构符合抗蚀剂轮廓并且可以具有传统多晶硅微结构的多倍。 之后使用蚀刻剂溶解光致抗蚀剂模具和牺牲层以形成约10至20μm厚的独立式金属结构，垂直横向长宽比为9：1至10：1或更大。