Apparatus for producing compound semiconductor thin films
    93.
    发明公开
    Apparatus for producing compound semiconductor thin films 失效
    用于生产化合物半导体薄膜的装置

    公开(公告)号:EP0445533A3

    公开(公告)日:1991-09-18

    申请号:EP91101525.3

    申请日:1991-02-05

    IPC分类号: C23C16/44

    CPC分类号: C23C16/305 C23C16/448

    摘要: An apparatus for producing compound semiconductor thin films on substrates includes a reaction chamber wherein one or more constituents of semiconductor thin film is supplied as a gaseous species in a closed loop system. The apparatus includes hot (12) and cold (14) traps for isolating source materials from the reaction chamber (18) and to provide for controlled delivery of the species. The hot and cold traps communicate with the reaction chamber through hot (20) and cold (22) legs to establish a closed loop recirculating flow. In a preferred embodiment, a thermosiphon provides the flow of gaseous species for formation of copper indium diselenide semiconductor thin films in a closed loop process.

    Apparatus for producing compound semiconductor thin films
    94.
    发明公开
    Apparatus for producing compound semiconductor thin films 失效
    Vorrichtung zum HerstellendünnerSchichten aus Halbleiterverbindungen。

    公开(公告)号:EP0445533A2

    公开(公告)日:1991-09-11

    申请号:EP91101525.3

    申请日:1991-02-05

    IPC分类号: C23C16/44

    CPC分类号: C23C16/305 C23C16/448

    摘要: An apparatus for producing compound semiconductor thin films on substrates includes a reaction chamber wherein one or more constituents of semiconductor thin film is supplied as a gaseous species in a closed loop system. The apparatus includes hot (12) and cold (14) traps for isolating source materials from the reaction chamber (18) and to provide for controlled delivery of the species. The hot and cold traps communicate with the reaction chamber through hot (20) and cold (22) legs to establish a closed loop recirculating flow. In a preferred embodiment, a thermosiphon provides the flow of gaseous species for formation of copper indium diselenide semiconductor thin films in a closed loop process.

    摘要翻译: 用于在基板上制备化合物半导体薄膜的装置包括反应室,其中半导体薄膜的一种或多种组分作为气态物质被供应在闭环系统中。 该设备包括用于将源材料与反应室(18)隔离的热(12)和冷(14)阱,并提供物种的受控输送。 冷热陷阱通过热(20)和冷(22)腿与反应室连通,建立闭环循环流。 在优选实施例中,热虹吸管提供用于在闭环工艺中形成铜铟二硒化物半导体薄膜的气态物质的流。

    RESOLUTION IMPROVEMENT IN AN ION CYCLOTRON RESONANCE MASS SPECTROMETER
    95.
    发明公开
    RESOLUTION IMPROVEMENT IN AN ION CYCLOTRON RESONANCE MASS SPECTROMETER 失效
    提高离子回旋共振质谱仪的分辨率。

    公开(公告)号:EP0419557A1

    公开(公告)日:1991-04-03

    申请号:EP89907530.0

    申请日:1989-06-06

    IPC分类号: H01J49

    CPC分类号: H01J49/38

    摘要: Dans un spectromètre de masse par résonance de cyclotron ionique (10), les signaux de résonance de cyclotron ionique aux harmoniques supérieurs de la gyrofréquence sont utilisés pour accroître la résolution du spectromètre sans augmenter le champ magnétique. Les électrodes de détection consistent en M (où M est un entier) électrodes identiques (A, B, C, D) disposées en M-tuple symétrie autour de l'axe du mouvement de cyclotron cohérent des ions observés. Dans un cyclotron ionique présentant quatre points de tension dans l'espace, les électrodes du cyclotron sont implantées de manière symétrique en sens horaire. Afin de permettre l'augmentation de la résolution de détection du signal résultant du potentiel induit par les ions se déplaçant en orbites dans le spectromètre, les première et troisième tensions sont ajoutées et les deuxième et quatrième tensions sont retranchées de la somme des premières et troisième tensions.