公开(公告)号：EP2870627A1

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：EP13739766.7

申请日：2013-07-01

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BRALEY, Carole ,  MAZEN, Frédéric

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： A method for detaching a self-supporting layer (4) of silicon crystalline orientation , with a view, in particular, to applications in the photovoltaic field, characterised in that the method comprises the steps consisting of: a) Implanting ionic species in a substrate (1) of silicon crystalline orientation so as to create a plane of weakness (2) in the implanted substrate (1), delimiting, on either side, a self-supporting layer (4) and a negative (5) of the substrate (1), and b) Applying a heat treatment to the implanted substrate (1) with a temperature ramp greater than 30°C/sec. so as to detach the self-supporting layer (4) of silicon.

摘要翻译： 一种用于分离晶体取向<100>的自支撑层的方法，特别是为了在光伏领域中的应用，其中该方法包括以下步骤：a）将离子物种植入由硅制成的衬底中， 晶体取向<100>，以便在衬底中产生脆化平面，在两侧限定衬底的自支撑层和负极，以及b）对步骤a）中植入的衬底进行热处理， 温度斜坡大于30℃/秒，以便分离硅的自支撑层。

公开(公告)号：EP3878802A1

公开(公告)日：2021-09-15

申请号：EP21160761.9

申请日：2021-03-04

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BERRE, Guillaume ,  MAZEN, Frédéric ,  SALVETAT, Thierry ,  RIEUTORD, François

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

摘要： L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche semiconductrice d'un substrat donneur vers un substrat receveur présentant une cavité ouverte, comprenant les étapes déformation d'un plan de fragilisation dans le substrat donneur et de réalisation, par mise en contact du substrat donneur et du substrat receveur, d'un assemblage dans lequel ladite cavité est enterrée.
Ce procédé comprend, préalablement à la réalisation de l'assemblage, une étape d'implantation dans le substrat donneur ou dans le substrat receveur d'espèces diffusantes et, postérieurement à la réalisation de l'assemblage, une étape de diffusion desdites espèces dans la cavité.

公开(公告)号：EP3678168A1

公开(公告)日：2020-07-08

申请号：EP19220269.5

申请日：2019-12-31

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： ACOSTA ALBA, Pablo ,  MAZEN, Frédéric ,  KERDILES, Sébastien ,  MAITREJEAN, Sylvain

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02

摘要： L'invention porte sur un procédé de guérison de défauts générés dans une couche semi-conductrice par une implantation d'espèces réalisée dans un substrat (1) pour y former un plan de fragilisation (4) séparant une partie massive du substrat (10) de la couche semi-conductrice (3), la couche semi-conductrice (3) ayant une face avant (Fa) traversée par les espèces implantées. Le procédé comporte un recuit localisé du substrat provoquant un échauffement de la couche semi-conductrice dont l'intensité décroit de la face avant en direction du plan de fragilisation. Le recuit localisé peut comprendre une irradiation laser d'une surface avant du substrat.

公开(公告)号：EP2828635B1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：EP13715306.0

申请日：2013-03-12

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： MAZEN, Frédéric ,  RIEUTORD, François ,  PENOT, Jean-Daniel ,  MONTMAYEUL, Philippe

IPC分类号： G01N3/06 ,  G01B11/14

CPC分类号： G01N21/9505 ,  G01B11/14 ,  G01N21/9501 ,  G01P3/36 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/12

公开(公告)号：EP2975646B1

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：EP15177074.0

申请日：2015-07-16

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BATUDE, Perrine ,  MAZEN, Frédéric ,  REBOH, Shay ,  SKLENARD, Benoit

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：EP3079168A1

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：EP16164185.7

申请日：2016-04-07

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： REBOH, Shay ,  BATUDE, Perrine ,  MAZEN, Frédéric ,  SKLENARD, Benoit

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618

摘要： Procédé comprenant des étapes consistant à :
- former des blocs semi-conducteurs de source et de drain comportant une première couche à base d'un premier matériau semi-conducteur cristallin surmontée d'une deuxième couche (16) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur cristallin différent du premier matériau semi-conducteur,
- rendre amorphe et doper sélectivement la deuxième couche (16) à l'aide d'une ou plusieurs implantation(s),
- effectuer une recristallisation de la deuxième couche et une activation de dopants à l'aide d'au moins un recuit thermique.

公开(公告)号：EP2705529B1

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：EP12723839.2

申请日：2012-04-27

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： TAUZIN, Aurélie ,  MAZEN, Frédéric

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

公开(公告)号：EP2705529A1

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：EP12723839.2

申请日：2012-04-27

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： TAUZIN, Aurélie ,  MAZEN, Frédéric

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： The invention relates to a process for forming a semiconductor layer (26) using a substrate (20), called a donor substrate, made of the same semiconductor material, the process comprising: forming a region (22) with a high lithium concentration in said donor substrate, the lithium concentration in said region being between 5×10
18 atoms/cm
3 and 5×10
20 atoms/cm
3 ; next, implanting hydrogen (24) into the donor substrate, in, or in the vicinity of, the region with a high lithium concentration; applying a carrier (19) to the donor substrate; and applying a thermal budget so as to detach the layer (34) defined by the implantation.