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1.发明授权
公开(公告)号：EP1602128B1
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：EP04710910.3
申请日：2004-02-13
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C18/1608 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C23C18/2086 , H01L21/7685 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H05K3/422
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2.发明授权PROCEDE DE CREATION D'UNE ZONE CRISTALLINE DE METAL, NOTAMMENT DANS UN CIRCUIT INTEGRE 有权用于生产晶体金属领域，特别是在集成电路
公开(公告)号：EP2449584B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：EP10726545.6
申请日：2010-07-01
发明人： CAYRON, Cyril , MAITREJEAN, Sylvain
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76886 , H01L21/76883
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公开(公告)号：EP3734652A1
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：EP19172269.3
申请日：2019-05-02
发明人： HOFRICHTER, Jens, Dr. , KASCHOWITZ, Manuel , POELZL, Bernhard , ROHRACHER, Karl, Dipl.-Ing. , JOUVE, Amandine , BALAN, Viorel , CROCHEMORE, Romain , FOURNEL, Frank , MAITREJEAN, Sylvain
IPC分类号： H01L23/00 , B81C1/00 , H01L27/146 , H01L21/321 , H01L21/768
摘要： A semiconductor device comprises a substrate body (2) with a surface (3), a conductor (5) comprising a conductor material (5a) covering at least part of the surface (3), and a dielectric (4) that is arranged on a part of the surface (3) that is not covered by the conductor (5). Therein, the conductor (5) is in contact with the substrate body (2), the conductor (5) and the dielectric (4) form a layer (8), and a bonding surface (6) of the layer (8) has surface topographies of less than 10 nm, with the bonding surface (6) facing away from the substrate body (2). Moreover, the semiconductor device (1) is free of a diffusion barrier.
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4.发明授权
公开(公告)号：EP3038160B1
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：EP15199594.1
申请日：2015-12-11
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
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公开(公告)号：EP3651185A1
公开(公告)日：2020-05-13
申请号：EP19207258.5
申请日：2019-11-05
IPC分类号： H01L21/20
摘要： L'invention porte sur un procédé de collage direct d'un premier et d'un deuxième substrat. Le procédé comprend un retrait de couches d'oxyde en surface de faces de collage du premier et du deuxième substrat, et une passivation par des liaisons hydrogène des faces de collage. Puis, sous vide, une désorption d'hydrogène par impact électronique sur les faces de collage suivie d'une mise en contact intime des faces de collage.
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公开(公告)号：EP3678168A1
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：EP19220269.5
申请日：2019-12-31
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
摘要： L'invention porte sur un procédé de guérison de défauts générés dans une couche semi-conductrice par une implantation d'espèces réalisée dans un substrat (1) pour y former un plan de fragilisation (4) séparant une partie massive du substrat (10) de la couche semi-conductrice (3), la couche semi-conductrice (3) ayant une face avant (Fa) traversée par les espèces implantées. Le procédé comporte un recuit localisé du substrat provoquant un échauffement de la couche semi-conductrice dont l'intensité décroit de la face avant en direction du plan de fragilisation. Le recuit localisé peut comprendre une irradiation laser d'une surface avant du substrat.
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公开(公告)号：EP2591506B1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：EP11728903.3
申请日：2011-07-05
IPC分类号： H01L21/76 , H01L23/522 , H01L23/525 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76879 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02425 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02653 , H01L21/40 , H01L21/76 , H01L21/76802 , H01L21/8221 , H01L21/823487 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L27/105 , H01L27/1277 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/78642 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：EP3142152A1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：EP16188202.2
申请日：2016-09-09
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
CPC分类号： H01L21/02694 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02667 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/823412 , H01L21/84 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/66568 , H01L29/66742 , H01L29/66772 , H01L29/7847 , H01L29/78654 , H01L29/78681 , H01L29/78687
摘要： Procédé de réalisation d'une couche de matériau semi-conducteur comprenant des étapes de :
a) formation d'un empilement comprenant une première couche (3) à base d'un premier matériau semi-conducteur revêtu d'une deuxième couche (6) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur de paramètre de maille différent de celui du premier matériau semi-conducteur,
b) réaliser sur la deuxième couche semi-conductrice un masque (10) présentant une symétrie,
c) rendre amorphe la première couche semi-conductrice (3) ainsi que des zones (6') de la deuxième couche semi-conductrice (6) sans rendre amorphe une ou plusieurs régions (6a, 6b, 6c) de la deuxième couche semi-conductrice protégées par le masque et disposées respectivement en regard du ou des blocs de masquage
d) effectuer une recristallisation des régions rendues amorphes (6a, 6b, 6c) et de la première couche semi-conductrice d'où il résulte que cette première couche semi-conductrice est contrainte.-
公开(公告)号：EP3929970A1
公开(公告)日：2021-12-29
申请号：EP21181113.8
申请日：2021-06-23
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/67
摘要： Procédé de transfert de puces
L'invention concerne un procédé de transfert d'au moins d'au moins une puce (2), depuis un premier support (1) vers un deuxième support (4), comprenant :
- alors que la puce (2) est assemblée au premier support (1), une formation d'une couche intercalaire (3) à l'état liquide entre, et au contact de, une face avant (22) de la puce (2) et une surface d'assemblage (411) d'une face (41) du deuxième support (4) et une solidification de la couche intercalaire (3),
- puis, une désolidarisation de la puce (2) relativement au premier support (1) tout en maintenant la couche intercalaire (3) à l'état solide.-
公开(公告)号：EP3142152B1
公开(公告)日：2019-02-20
申请号：EP16188202.2
申请日：2016-09-09
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L29/10 , H01L21/84 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/78
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