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公开(公告)号：EP4391021A1
公开(公告)日：2024-06-26
申请号：EP23215405.4
申请日：2023-12-11
发明人： GASSILLOUD, Rémy , PATOUILLARD, Julien , HYOT, Bérangère , DUSSAIGNE, Amélie , CADOT, Stéphane , CHARLES, Matthew , MARTIN, François , GAUTHIER, Nicolas , RAYNAUD, Christine
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02485 , H01L21/0254 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L21/0262
摘要： La présente description concerne un procédé comprenant les étapes successives suivantes :
a) former, sur une face d'un substrat de support (11), une première couche (13) en un matériau choisi parmi un dichalcogénure lamellaire ou un chalcogénure lamellaire comprenant un empilement de feuillets ;
b) former, par dépôt physique en phase vapeur du côté de ladite face du substrat de support, une deuxième couche (17) en un premier matériau semiconducteur III-N revêtant la première couche (13) ; et
c) effectuer un traitement thermo-chimique de la première couche (13) conduisant, dans la première couche (13), à une conversion de liaisons de van der Waals entre les feuillets de la première couche en liaisons covalentes.-
公开(公告)号：EP4102579A1
公开(公告)日：2022-12-14
申请号：EP22177631.3
申请日：2022-06-07
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
摘要： Procédé pour fabriquer une couche d'InGaN épitaxiée relaxée à partir d'un substrat GaN/InGaN comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un premier empilement (10) comprenant une couche à porosifier en GaN ou InGaN (13) et une couche barrière (14),
b) reporter la couche à porosifier en GaN ou InGaN (13) et la couche barrière (14) sur un support de porosification (21), de manière à former un deuxième empilement (20),
c) former un masque (50) sur la couche à porosifier en GaN ou InGaN (13),
d) porosifier la couche en GaN ou InGaN (13) à travers le masque (50),
e) reporter la couche porosifiée en GaN ou InGaN (13) et la couche barrière (14) sur un support d'intérêt (31),
f) former une couche d'InGaN (41) par épitaxie sur la couche barrière (14), moyennant quoi on obtient une couche d'InGaN épitaxiée relaxée.-
公开(公告)号：EP3840016A1
公开(公告)日：2021-06-23
申请号：EP20214254.3
申请日：2020-12-15
发明人： PERNEL, Carole , DUSSAIGNE, Amélie
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306 , H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Procédé pour fabriquer un substrat comprenant les étapes suivantes :
- fournir un empilement comprenant un substrat initial, une couche de GaN, une couche d'InGaN dopée (13) et une couche d'InGaN non intentionnellement dopée (14),
- reporter la couche d'InGaN dopée (13) et la couche d'InGaN non intentionnellement dopée (14) sur un support d'anodisation (21), de manière à former un deuxième empilement (20),
- plonger le deuxième empilement (20) et la contre-électrode dans une solution électrolytique, et appliquer une tension ou un courant entre la couche d'InGaN dopée (13) et une contre-électrode, pour porosifier la couche d'InGaN dopée (13), et relaxer la couche d'InGaN non intentionnellement dopée (14),
- reporter la couche d'InGaN dopée (13) et la couche d'InGaN non intentionnellement dopée (14) sur un support d'intérêt,
- former une couche d'InGaN par épitaxie sur la couche d'InGaN non intentionnellement dopée, moyennant quoi on obtient une couche d'InGaN épitaxiée relaxée.-
公开(公告)号：EP3036776B1
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：EP14755068.5
申请日：2014-08-21
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32
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15.发明公开DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE Á ÉLÉMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开DISPOSITIFOPTOÉLECTRONIQUEÁÉÉÉîÉêSEMESEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS ET SONPROCÉDÉDE FABRICATION
公开(公告)号：EP3224858A1
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：EP15805588.9
申请日：2015-11-17
发明人： DUSSAIGNE, Amélie , BONO, Hubert
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L31/02161 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/1856 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/44
摘要： The invention relates to an optoelectronic device (10) comprising a carrier (14) comprising a face (18) comprising flat butt-jointed facets inclined in relation to each other; seeds (26), mainly consisting of a first compound selected from the group comprising the compounds III-V, the compounds II-VI and the compounds IV, in contact with the carrier in the region of at least some of the joints (22) between the facets; and conical or frustoconical, wire-like three-dimensional semiconductor elements (28) of a nanometric or micrometric size, mainly consisting of said first compound, on the seeds.
摘要翻译： 本发明涉及包括载体（14）的光电子器件（10），载体（14）包括面（18），所述面包括相对于彼此倾斜的平坦对接接合面; 在至少一些接头（22）的区域内与载体接触的种子（26）主要由选自化合物III-V，化合物II-VI和化合物IV的组中的第一化合物组成， 面之间; 以及在种子上的纳米或微米尺寸的主要由所述第一化合物组成的圆锥形或截头圆锥形的线状三维半导体元件（28）。
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公开(公告)号：EP4105999A1
公开(公告)日：2022-12-21
申请号：EP22178992.8
申请日：2022-06-14
摘要： Procédé pour fabriquer une matrice à émission native comprenant les étapes suivantes :
a) fournir une structure de base (10) comprenant un substrat (11), une couche de GaN (12), une couche d'ln(x)GaN dopée (13) et une couche de reprise d'épitaxie en ln(x)GaN nid (14),
b) structurer des première (S1) et deuxième (S2) mésas dans la structure de base (10),
la première mésa (S1) comprenant une partie de la couche de GaN (12), la couche d'ln(x)GaN dopée (13) et la couche de reprise d'épitaxie en ln(x)GaN non intentionnellement dopée (14),
la deuxième mésa (S2) comprenant une partie de la couche d'ln(x)GaN dopée (13) et la couche de reprise d'épitaxie en ln(x)GaN non intentionnellement dopée (14),
c) porosifier par voie électrochimique la deuxième mésa (S2),
d) réaliser des empilements sur les mésas pour former des structures de LED émettant à différentes longueurs d'onde.-
公开(公告)号：EP3836235A1
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：EP20211084.7
申请日：2020-12-01
发明人： GASSE, Adrien , DUSSAIGNE, Amélie , LEVY, François
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311
摘要： Procédé de réalisation d'une couche de matériau (100) structurée, comprenant :
- réalisation d'un premier substrat (102) comportant une face structurée (104) ;
- réalisation, contre la face structurée du premier substrat, d'un empilement de couches (110) comprenant une couche intermédiaire (112) et la couche à structurer, la couche intermédiaire étant disposée entre la couche à structurer et le premier substrat, une première face (114) de la couche intermédiaire disposée du côté du premier substrat étant structurée conformément à un motif inverse de celui de la face structurée du premier substrat ;
- retrait du premier substrat ;
- gravure anisotrope de la couche intermédiaire mise en œuvre depuis la première face de la couche intermédiaire, et gravure d'au moins une partie de l'épaisseur de la couche à structurer, structurant une face (119) de la couche à structurer conformément au motif de la première face de la couche intermédiaire.-
18.发明公开
公开(公告)号：EP3036776A1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：EP14755068.5
申请日：2014-08-21
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要： A light-emitting diode (100) comprising an n-doped layer of In
Xn Ga(1-Xn)N (102) and a p-doped layer of InXpGa(1-Xp)N (104), and an active area (105) arranged between the layer of InXnGa(1-Xn)N and the layer of InXpGa(1-Xp)N comprising: - a first layer of InN (106) of thickness eInN106; - a second layer of InN (108) of thickness eInN108; - a separating layer (110) disposed between the layers of InN and comprising InXbGa(1-Xb)N and a thickness of
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