公开(公告)号：EP2625710A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：EP11773882.3

申请日：2011-09-27

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  REVIRAND, Pascal

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC分类号： H05K7/2039 ,  F21V29/717 ,  F21V29/87 ,  F21Y2115/10 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/30 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a heat-sink device intended for at least one electronic component (12), including: heat-sink means; a substrate (11) for the at least one electronic component (12), said substrate covering the heat-sink means; and thermal coupling means provided between the substrate and the heat-sink means and made from a material different from that of the heat-sink means. According to the invention, the heat-sink means consist of a set of independent fins (10), and the thermal-coupling means (13) are made from a heat-conductive polymer material and also serve as mechanical coupling means between the substrate (11) and the fins (10).

摘要翻译： 用于至少一个电子部件（12）的散热装置包括：散热器; 用于所述至少一个电子部件（12）的基板（11），所述基板覆盖所述散热器; 以及设置在基板和散热器之间并且由与散热器不同的材料制成的热耦合。 散热器包括一组独立的翅片（10），并且热耦合（13）由导热聚合物材料制成，并且还用作基板（11）和翅片（10）之间的机械耦合， 。

公开(公告)号：EP3529828A1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：EP17792128.5

申请日：2017-10-16

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  HENRY, David ,  CHAMBION, Bertrand

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L21/683

公开(公告)号：EP2467871B1

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：EP10752079.3

申请日：2010-07-22

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  GILET, Philippe

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP3549161A1

公开(公告)日：2019-10-09

申请号：EP17816922.3

申请日：2017-11-23

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  JARJAYES, Sylvie ,  VOLPERT,Marion

IPC分类号： H01L21/762

公开(公告)号：EP2467871A1

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：EP10752079.3

申请日：2010-07-22

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  GILET, Philippe

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to the manufacture of an LED device, including: growing nanowire semiconductors (16) on a first electrode (14) produced on an insulating surface (10, 12), and encapsulating the latter in the planarization layer (18); forming, on the planarization layer (18), a second electrode (20) having contact take-up areas (22); forming LEDs (24) by: releasing a band of the first electrode around each take-up area (22), comprising: forming a mask for defining said bands on the second electrode (20); chemically etching the planarization layer, said etching being abutted so as to preserve the planarization layer; chemically etching the thus-released portion of the nanowires; and chemically etching the remaining planarization layer; and forming a trench (28) along each of said bands up to the insulating surface (10, 12); and placing the LEDs (24) in series by connecting the take-up areas (22) and the bands of the first electrode.

公开(公告)号：EP3893281A1

公开(公告)日：2021-10-13

申请号：EP21166778.7

申请日：2021-04-01

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  DUPRE, Ludovic ,  CONSONNI, Marianne

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L27/146

摘要： Dispositif (100) à matrice de diodes (102) photo-émettrices et/ou photo-réceptrices, comportant :
- un empilement de première (106) et deuxième (108) couches semiconductrices dopés selon des types différents ;
- des premières tranchées (112) traversant l'empilement et entourant une région de l'empilement dans laquelle sont formées plusieurs diodes ;
- des portions diélectriques (114) disposées dans les premières tranchées et recouvrant des flancs latéraux de ladite région sur toute l'épaisseur de la deuxième couche et une première partie de l'épaisseur de la première couche ;
- des premières portions électriquement conductrices (116) disposées dans les premières tranchées et recouvrant les flancs latéraux de ladite région sur une deuxième partie de l'épaisseur de la première couche, et formant des premières électrodes des diodes de ladite région ;
- au moins une deuxième tranchée (118) traversant partiellement la première couche et séparant les portions de la première couche des diodes de ladite région.

公开(公告)号：EP3836235A1

公开(公告)日：2021-06-16

申请号：EP20211084.7

申请日：2020-12-01

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  DUSSAIGNE, Amélie ,  LEVY, François

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

摘要： Procédé de réalisation d'une couche de matériau (100) structurée, comprenant :
- réalisation d'un premier substrat (102) comportant une face structurée (104) ;
- réalisation, contre la face structurée du premier substrat, d'un empilement de couches (110) comprenant une couche intermédiaire (112) et la couche à structurer, la couche intermédiaire étant disposée entre la couche à structurer et le premier substrat, une première face (114) de la couche intermédiaire disposée du côté du premier substrat étant structurée conformément à un motif inverse de celui de la face structurée du premier substrat ;
- retrait du premier substrat ;
- gravure anisotrope de la couche intermédiaire mise en œuvre depuis la première face de la couche intermédiaire, et gravure d'au moins une partie de l'épaisseur de la couche à structurer, structurant une face (119) de la couche à structurer conformément au motif de la première face de la couche intermédiaire.

公开(公告)号：EP3731285A1

公开(公告)日：2020-10-28

申请号：EP20170995.3

申请日：2020-04-23

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： GASSE, Adrien ,  DUPRE, Ludovic ,  VOLPERT, Marion

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58 ,  H01L27/15 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif photo-émetteur et/ou photo-récepteur (100) à grille de séparation optique métallique (140), comprenant au moins :
- réalisation d'au moins un composant photo-émetteur et/ou photo-récepteur (102), dans lequel au moins une première électrode métallique (110) du composant photo-émetteur et/ou photo-récepteur recouvre des flancs latéraux d'au moins un empilement semi-conducteur (104, 106, 108) du composant photo-émetteur et/ou photo-récepteur et s'étend jusqu'à au moins une face émettrice et/ou réceptrice (112) du composant photo-émetteur et/ou photo-récepteur ;
- traitement d'au moins une face de la première électrode métallique localisée au niveau de la face émettrice et/ou réceptrice, rendant mouillable ladite face de la première électrode métallique ;
- réalisation de la grille de séparation optique métallique sur au moins un support (142) ;
- solidarisation de la grille de séparation optique métallique contre ladite face de la première électrode métallique par brasage ;
- retrait du support.