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1.发明公开DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE Á ÉLÉMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开DISPOSITIFOPTOÉLECTRONIQUEÁÉÉÉîÉêSEMESEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS ET SONPROCÉDÉDE FABRICATION
公开(公告)号：EP3224858A1
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：EP15805588.9
申请日：2015-11-17
发明人： DUSSAIGNE, Amélie , BONO, Hubert
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L31/02161 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/1856 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/44
摘要： The invention relates to an optoelectronic device (10) comprising a carrier (14) comprising a face (18) comprising flat butt-jointed facets inclined in relation to each other; seeds (26), mainly consisting of a first compound selected from the group comprising the compounds III-V, the compounds II-VI and the compounds IV, in contact with the carrier in the region of at least some of the joints (22) between the facets; and conical or frustoconical, wire-like three-dimensional semiconductor elements (28) of a nanometric or micrometric size, mainly consisting of said first compound, on the seeds.
摘要翻译： 本发明涉及包括载体（14）的光电子器件（10），载体（14）包括面（18），所述面包括相对于彼此倾斜的平坦对接接合面; 在至少一些接头（22）的区域内与载体接触的种子（26）主要由选自化合物III-V，化合物II-VI和化合物IV的组中的第一化合物组成， 面之间; 以及在种子上的纳米或微米尺寸的主要由所述第一化合物组成的圆锥形或截头圆锥形的线状三维半导体元件（28）。
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2.发明公开DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES COMPORTANT AU MOINS UNE DIODE ZENER 有权带LED的至少一个稳压二极管INCLUDES亚光电子设备
公开(公告)号：EP3171404A1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：EP16199386.0
申请日：2016-11-17
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/2003 , H01L29/66106 , H01L29/866 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant des diodes électroluminescentes réalisées en un matériau comportant majoritairement un même composé semiconducteur et agencées de sorte que :
- une pluralité de N diodes électroluminescentes (40), N>2, sont connectées en série et aptes à être polarisées en direct ;
- au moins une diode électroluminescente (50) est connectée en parallèle à la pluralité des N diodes électroluminescentes (40), et apte à être polarisée en inverse formant ainsi une diode Zener ;
- le nombre N desdites diodes électroluminescentes (40) connectées en série étant adapté de sorte que la somme des N tensions de seuil (Vs) soit inférieure à la tension de claquage (Vc) de la diode Zener.-
公开(公告)号：EP3392918B1
公开(公告)日：2020-05-13
申请号：EP18167095.1
申请日：2018-04-12
IPC分类号： H01L33/08 , H01L25/075 , H01L27/15
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公开(公告)号：EP3392918A1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：EP18167095.1
申请日：2018-04-12
IPC分类号： H01L33/08 , H01L25/075 , H01L27/15
摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif d'affichage (1000), comportant au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes :
- réalisation d'une matrice de LEDs (100) comportant chacune des électrodes accessibles depuis une face arrière de la matrice de LEDs et des surfaces d'émission lumineuse depuis une face avant de la matrice de LEDs ;
- solidarisation, sur la face arrière de la matrice de LEDs, d'un empilement de couches comprenant au moins une couche de semi-conducteur, une couche de diélectrique de grille et une couche de matériau conducteur de grille ;
- réalisation, à partir de l'empilement de couches, d'un circuit électronique de commande couplé électriquement aux électrodes des LEDs, comprenant la réalisation de transistors FET dont des zones actives (216) sont formées dans la couche de semi-conducteur et dont les grilles (224) sont formées dans les couches de diélectrique de grille et de matériau conducteur de grille.-
5.发明授权PROCESS FOR PRODUCING SEPARATED ADJACENT REGIONS COMPRISING LED WIRES AND DEVICE OBTAINED BY THE PROCESS 有权用于生产隔离邻近地区设有LED线电线和用这种方法制造设备
公开(公告)号：EP2936571B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：EP13814952.1
申请日：2013-12-20
发明人： POURQUIER, Eric , BONO, Hubert
IPC分类号： H01L33/08 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/02 , H01L29/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L27/15 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/6609 , H01L29/66469 , H01L33/0008 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
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6.发明授权DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES COMPORTANT AU MOINS UNE DIODE ZENER 有权包含至少一个ZENER二极管的光电子发光二极管器件
公开(公告)号：EP3171404B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：EP16199386.0
申请日：2016-11-17
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/2003 , H01L29/66106 , H01L29/866 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
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公开(公告)号：EP3061137A1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：EP14795976.1
申请日：2014-10-24
CPC分类号： H05B33/0848 , H01L25/167 , H01L31/03048 , H01L31/1848 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/10346 , H05B33/0815 , H05B33/0866 , H05B37/0227 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a light-emitting device comprising a light-emitting diode (100) having a layer of n-doped InGaN (102) and a layer of p-doped GaN (104), and an active zone (110) comprising a number m of InGaN-emitting layers (112), each disposed between two InGaN barrier layers (114), in which the indium compositions of the emitting layers are different and greater on the side of the n-doped InGaN layer than on the side of the p-doped GaN layer, and the indium compositions of the barrier layers are different and greater on the side of the n-doped InGaN layer than on the side of the p-doped GaN layer, as well as comprising: an electric power supply for supplying the diode with a periodic signal; and a device for controlling the power supply, which can alter the peak value of the periodic signal according to a spectrum of the emitted light.
摘要翻译： 本发明涉及一种发光器件，其包括具有n掺杂InGaN（102）层和p掺杂GaN（104）层的发光二极管（100），以及活性区（110），其包括 设置在两个InGaN势垒层（114）之间的InGaN发光层（112）的数量m，其中在n掺杂的InGaN层侧的发射层的铟组成不同且大于 所述p型掺杂的GaN层和所述势垒层的铟组分在所述n型掺杂的InGaN层侧上比在所述p型掺杂的GaN层侧上不同并且更大，以及包括：电源 用于向二极管提供周期性信号; 以及用于控制电源的装置，其可以根据发射光的频谱改变周期性信号的峰值。
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公开(公告)号：EP2912682A1
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：EP13780170.0
申请日：2013-10-24
发明人： VAUFREY, David , BONO, Hubert
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02617 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02463 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02645
摘要： A method for producing at least one semi-conductive structure (130) on the surface (105) of a support (100) of which the surface comprises silicon. The method comprises the steps consisting of providing the support (100), forming, in contact with an area (101) of the surface (105), called the formation area, a layer (120) of a first material, the remainder (102) of the surface (105), called the free area, remaining free of the first material, the dimensions of the formation area (101) and the first material being suitable for forming the structure (130), the first material comprising gallium, the formation of said layer (120) taking place at a temperature lower than 600°C, and of forming the structure (130) in contact with the layer (120).
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公开(公告)号：EP3185294B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：EP16205880.4
申请日：2016-12-21
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L31/173 , H05B33/08 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L31/0352 , H01L31/0232
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公开(公告)号：EP2979307B1
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：EP14712005.9
申请日：2014-03-25
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