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    Pattern forming method
    11.
    发明公开
    Pattern forming method 审中-公开
    Strukturbildungsverfahren

    公开(公告)号：EP2003509A2

    公开(公告)日：2008-12-17

    申请号：EP08010891.3

    申请日：2008-06-16

    申请人： FUJIFILM Corporation

    发明人： Tarutani, Shinji ,  Wada, Kenji ,  Tsubaki, Hideaki

    IPC分类号： G03F7/40

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2041

    摘要： A pattern forming method, includes: exposing a resist film with actinic rays or radiation a plurality of times; and heating the resist film at a first temperature in at least one interval between the exposures.

    摘要翻译： 一种图案形成方法，包括：用光化射线或辐射多次曝光抗蚀剂膜; 以及在所述曝光之间的至少一个间隔中以第一温度加热所述抗蚀剂膜。

    Pattern forming method
    15.
    发明公开
    Pattern forming method 有权
    图案形成方法

    公开(公告)号：EP2637062A3

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：EP13170833.1

    申请日：2007-12-21

    申请人： Fujifilm Corporation

    发明人： Tsubaki, Hideaki ,  Kanna, Shinichi

    IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24802

    摘要： A pattern forming method, comprising:
    (A) coating a substrate with a positive resist composition of which solubility in a positive developer increases and solubility in a negative developer decreases upon irradiation with actinic rays or radiation, so as to form a resist film;
    (B) exposing the resist film; and
    (D) developing the resist film with a negative developer containing butyl acetate.

    摘要翻译： 1.一种图案形成方法，其特征在于，包括：（A）在基材上涂布正型抗蚀剂组合物，所述正型抗蚀剂组合物的正型显影液中的溶解度增加，并且在利用光化射线或放射线照射时负型显影液中的溶解度降低， （B）暴露抗蚀剂膜; （D）用含有乙酸丁酯的负性显影剂显影抗蚀剂膜。

    Pattern forming method
    17.
    发明公开
    Pattern forming method 有权
    Strukturbildungsverfahren

    公开(公告)号：EP2413195A2

    公开(公告)日：2012-02-01

    申请号：EP11186306.4

    申请日：2007-12-21

    申请人： Fujifilm Corporation

    发明人： Tsubaki, Hideaki ,  Kanna, Shinichi

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24802

    摘要： The present invention is directed to a pattern forming method, comprising: forming a resist film by applying, to a substrate, a resin composition containing a resin of which solubility in a positive developer which is an alkali developer increases and solubility in a negative developer containing an organic solvent decreases under an action of an acid, wherein the resin composition is capable of forming a resist film of which solubility in the positive developer increases and solubility in the negative developer decreases upon irradiation with actinic rays or radiation;
    exposing the resist film with EUV light; and
    developing the resist film after the exposing with the negative developer containing an organic solvent.

    摘要翻译： 本发明涉及一种图案形成方法，其特征在于，包括：通过向基材施加含有在碱性显影剂的正极显影剂中溶解度增加的树脂的树脂组合物和含有 有机溶剂在酸的作用下会降低，其中树脂组合物能够形成抗蚀剂膜，其在阳性显影剂中的溶解度增加，而在负光显影剂中的溶解度随着光化射线或辐射照射而降低; 用EUV光曝光抗蚀膜; 并在用含有机溶剂的负极显影剂曝光后显影抗蚀剂膜。

    Pattern forming method
    18.
    发明公开
    Pattern forming method 有权
    Strukturbildungsverfahren

    公开(公告)号：EP2413194A2

    公开(公告)日：2012-02-01

    申请号：EP11186305.6

    申请日：2007-12-21

    申请人： Fujifilm Corporation

    发明人： Tsubaki, Hideaki ,  Kanna, Shinichi

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24802

    摘要： The present invention relates to a pattern forming method, comprising:
    (A) coating a substrate with a positive resist composition of which solubility in a positive developer increases and solubility in a negative developer decreases upon irradiation with actinic rays or radiation, so as to form a resist film;
    (B) exposing the resist film; and
    (D) developing the resist film with a negative developer,

    wherein (D) developing the resist film with a negative developer is performing development with a developer containing a solvent represented by formula (1) or a developer containing a solvent represented by formula (2):

    wherein R and R' each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, a hydroxy group, a cyano group or a halogen atom, and R and R' may combine with each other to form a ring:

    wherein R" and R"" each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a cyano group or a halogen atom, and R" and R"" may combine with each other to form a ring; and
    R'" represents an alkylene group or a cycloalkylene group.

    摘要翻译： 本发明涉及一种图案形成方法，包括：（A）用正性显影剂中的溶解度增加的正性抗蚀剂组合物涂覆基材，并且在用光化学辐射或辐射照射时，在负极显影剂中的溶解度降低，以形成 抗蚀膜; （B）曝光抗蚀膜; （D）用负极显影剂显影抗蚀剂膜，其中（D）用负极显影剂显影抗蚀剂膜，用含有式（1）表示的溶剂的显影剂或含有式（1）表示的溶剂的显影剂进行显影， 2）：其中R和R'各自独立地表示氢原子，烷基，环烷基，烷氧基，烷氧基羰基，羧基，羟基，氰基或卤素原子，R和 R'可以相互结合形成环：其中R“和R”“各自独立地表示氢原子，烷基，环烷基，烷氧基，烷氧基羰基，羧基，羟基， 氰基或卤素原子，R“和R”“可以相互结合形成环; R'“表示亚烷基或亚环烷基。