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公开(公告)号：EP0642563A1
公开(公告)日：1995-03-15
申请号：EP93910223.0
申请日：1993-05-19
CPC分类号： C09K19/3895
摘要： A novel LCP material based on di-esters of itaconic acid is disclosed having general formula (I), where R1 and R2 may or may not be the same and have general structure (II); (a) = (b), (c), (d); p = 2 to 14; q = 0 or 1; r = 1 or 2; s = 1 or 2; X = O, CO2, O2C, CH2; Y = C2H4, O, CO2, O2C; Z = CN, halogen, R, CO2R, OR, O2CR; wherein R = chiral or achiral; excluding X = O and X = CH2 when A = phenyl, r = s = 1, Y = CO2, O2C, q = 1 and Z = CN, R, CO2R, OR.
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公开(公告)号：EP0617796A1
公开(公告)日：1994-10-05
申请号：EP92924837.0
申请日：1992-12-14
摘要： Réseau conformateur de faisceau numérique utilisé dans des applications de radar, en particulier celles utilisant la technologie de réseau à commande de phase. Le réseau reçoit un signal d'arrivée au niveau d'une multiplicité de modules détecteurs, les convertit en une fréquence intermédiaire, puis convertit les signaux de fréquence intermédiaire en signaux numériques de n bits (de préférence de 1 bit) à un taux de suréchantillonnage, n étant inférieur au nombre de bits requis pour représenter la plage dynamique du signal de fréquence intermédiaire. Les signaux numériques de n bits sont alors conformés sous forme de faisceau par l'altération de leurs phases relatives, lesquelles sont combinées pour former un signal numérique de n bits qui est alors converti en un signal numérique présentant le nombre de bits requis pour représenter la plage dynamique du signal de fréquence intermédiaire. Un avantage de la présente invention réside dans le fait qu'elle réduit la complexité et ainsi le coût du matériel de numérisation nécessaire.
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公开(公告)号：EP0599952A1
公开(公告)日：1994-06-08
申请号：EP92917970.0
申请日：1992-08-21
CPC分类号： A61K9/0014 , A61K47/12 , A61K47/14 , Y10S514/947
摘要： Composition améliorée pour l'administration transdermique comprenant un acide gras de faible masse moléculaire, qui se caractérise par le fait qu'elle comprend également un acide gras à chaîne longue ou un ester d'alkyle inférieur d'acide gras à chaîne longue, la chaîne longue étant une chaîne C13 à C21 et contenant de préférence au moins une liaison cis-oléfinique. Les composants préférés de la chaîne longue sont l'acide oléique et l'oléate d'éthyle, et l'acide gras de faible masse moléculaire préféré est l'acide propionique. Ces compositions sont particulièrement efficaces pour administrer par voie transdermique de la physostigmine et ses analogues, selon une posologie régulée.
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公开(公告)号：EP0599879A1
公开(公告)日：1994-06-08
申请号：EP92916283.0
申请日：1992-07-27
摘要： Réflecteur radar comprenant une paire de lentilles réflectrices diélectriques solides colinéaires (10) ainsi que deux réflecteurs d'angle (11) situés entre celles-ci de façon à obtenir un pouvoir réfléchissant élevé et sensiblement uniforme dans le plan des éléments réfléchissants. L'énergie du radar est incidente sur la surface extérieure convexe d'une première lentille convergente (2) ayant une constante diélectrique relativement élevée et est ensuite transmise à travers une deuxième lentille (17) ayant une constante diélectrique relativement plus faible vers un revêtement (18) réfléchissant métallique situé sur la surface convexe extérieure de la deuxième lentille (17). Les surfaces des deux lentilles (13, 14, 18) sont formées de telle sorte que leurs rayons de courbure respectifs décroissent en fonction de la distance à l'axe de symétrie (15). La première lentille est constituée de préférence par de la farine de silicium dans une résine de polyester avec une constante diélectrique sensiblement égale à 3,4, tandis que la deuxième lentille (17) est une mousse expansée en polystyrène ayant une constante diélectrique sensiblement égale à 2. De préférence, les réflecteurs d'angle (11) sont constitués par des réflecteurs trièdres.
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公开(公告)号：EP0595829A1
公开(公告)日：1994-05-11
申请号：EP92912734.0
申请日：1992-06-18
申请人： THE SECRETARY of STATE for DEFENCE in HER BRITANNIC MAJESTY'S GOVERNMENT of the UNITED KINGDOM of GREAT BRITAIN and , The University of Hull
CPC分类号： H01L41/20 , H01F1/0306 , H01F1/15325
摘要： Des matériaux amorphes contenant des terres rares et du fer possèdent une magnétostriction améliorée et présentent des caractéristiques paramagnétiques, ferromagnétiques, et d'anisotropie aléatoire approximativement à température ambiante; lesdits matériaux répondent à la formule générale Fe-X-RE dans laquelle X est sélectionné parmi B ou Zr et à condition que, quand X représente B, alors RE est sélectionné parmi La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb et Lu, la sélection de Pr ou Nd se faisant selon la formule (Pr, Nd)y(Fe80B20)(100-y) Si y se situe entre 10 et 50, et quand X représente Zr, alors RE est sélectionné parmi La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb et Lu. Les matériaux de l'invention peuvent être utilisés pour des générateurs d'énergie à ultrasons à des fréquences allant de 20 KHz à des valeurs mesurées en MHz, et quand ces matériaux possèdent une magnétostriction élevée et des coefficients de couplage élevés, ils peuvent s'utiliser comme récepteurs et comme générateurs.
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公开(公告)号：EP0594668A1
公开(公告)日：1994-05-04
申请号：EP92914231.0
申请日：1992-06-29
CPC分类号： G01P3/36 , G01C9/00 , G01J3/42 , G01J3/453 , G01N2021/3188
摘要： Un système de détection optique, composé d'un dispositif de transformation modulant le rayonnement reçu de façon à sensibiliser le système à des caractéristiques sélectionnées dépendant du profil de la fonction de cohérence dans le champ optique reçu, comprend un processeur spectral. Le processeur spectral possède un filtre limiteur de bande (BLF) et un filtre modificateur (MF) ayant une bande passante recouvrant au moins partiellement la bande passante du BLF (103). Le BLF et le MF sont sélectionnés de manière à concentrer l'information clé sur le rayonnement cible dans une petite région du profil de la fonction de cohérence. De préférence, le BLF a un profil de transmission rectangulaire et le MF a un profil gaussien, correpondant à celui de la ligne d'absorption du gaz à détecter. Le centre du profil d'absorption du MF est décalé par rapport au centre du profil du BLF. Dans d'autres configurations, le MF peut être tel qu'il produit deux ou plusieurs profils d'absorption (122, 123) dans le profil du BLF. La fonction de transmission d'un des filtres peut être dépendante du temps de manière à améliorer la détection du champ optique transformé. Cette dépendance est obtenue grâce au mouvement périodique du filtre produit par la variation de l'angle d'inclinaison d'un filtre d'interférence pour moduler la fréquence centrale du profil de transmission du filtre par un système faisant en sorte que la surface du filtre périodiquement déplacé, inséré dans le chemin optique du système, varie de manière à moduler périodiquement la profondeur d'absorption du filtre.
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公开(公告)号：EP0592495A1
公开(公告)日：1994-04-20
申请号：EP92913476.0
申请日：1992-07-02
CPC分类号： B21D26/055 , B23K20/2336
摘要： Les faibles résistances au décollement de joints assemblés par diffusion dans des structures en alliage d'aluminium ont constitué un obstacle à leur utilisation dans un façonnage superplastique. L'invention apporte une solution à cet inconvénient par la création d'une pièce d'usinage conçue pour un façonnage superplastique ultérieur, au moyen de l'assemblage par diffusion d'un ensemble de tôle en alliage (30-32) dans des zones d'assemblage selon une configuration prédéterminée ainsi qu'au moyen d'un renforcement (33) placé dans la pièce d'usinage dans la région des zones assemblées par diffusion. Le matériau de renforcement sert à empêcher les contraintes de traction exercées pendant le façonnage superplastique ultérieur, de provoquer une rupture de décollement des zones assemblées par diffusion. Au contraire, les contraintes de tractions servent à provoquer une déformation superplastique dans les régions de la pièce à usiner situées entre les zones assemblées par diffusion.
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公开(公告)号：EP0585237A1
公开(公告)日：1994-03-09
申请号：EP92906383.0
申请日：1992-03-03
发明人： BROOMHEAD, David, Sidney 3 Assarts Road , JONES, Robin 35 Sandpiper Crescent , JOHNSON, Martin 11 Fruitlands
CPC分类号： A61B5/0476 , G05B23/0221 , G06N99/005 , Y10S706/902 , Y10S706/903
摘要： Un analyseur de systèmes dynamiques (10) comprend un ordinateur (22) qui effectue une décomposition de valeurs singulières d'une série temporelle de signaux provenant d'un système dynamique non linéaire (éventuellement chaotique) (14). On introduit dans un filtre à réponses d'impulsions finies (34) des vecteurs singuliers à bruit relativement faible provenant de ladite décomposition. La série temporelle est transformée en vecteurs de Takens, dont chacun est projeté par le filtre (34) sur chacun des vecteurs singuliers. Ainsi, chaque vecteur de Takens donne les coordonnées d'un point correspondant sur une trajectoire du système (14) dans un espace de phase. Un processeur heuristique (44) est utilisé pour transformer les coordonnées temporisées par décomposition QR et par ajustage aux moindres carrés de manière à s'adapter à des coordonnées non temporisées. Le processeur heuristique (44) génère un modèle mathématique pour mettre en oeuvre cette transformation qui prédit les états futurs du système sur la base d'états actuels respectifs. Un système d'essai est utilisé pour générer des coordonnées analogues en vue de leur transformation dans le processeur heuristique (44). On obtient ainsi des estimations des états futurs du système d'essai, tels que prédits par le modèle du système de comparaison. Une autre possibilité consiste à obtenir des divergences entre de telles estimations et le comportement réel. Encore une autre possibilité concerne la comparaison de modèles mathématiques dérivés par l'analyseur (10) et provenant de différents systèmes dynamiques.
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公开(公告)号：EP0566591A1
公开(公告)日：1993-10-27
申请号：EP92901459.0
申请日：1991-12-19
CPC分类号： H01L29/66522 , H01L29/1033 , H01L29/1037 , H01L29/1079 , H01L29/1087 , H01L29/205 , H01L29/7371 , H01L29/861
摘要： Dispositif semi-conducteur se présentant sous la forme d'un transistor à effet de champ à isolateur métallique (MISFET) (200) construit comme une hétérostructure de matériaux semi-conducteurs In1-xAlxSb à largeur de bande étroite. Le MISFET (200) se compose de quatre couches de semi-conducteurs (112 à 118) disposées en série comme suit: une première couche du type p fortement dopée (112), une deuxième couche du type p à largeur de bande relativement plus élevée fortement dopée (114), une troisième couche du type p faiblement dopée (116) et une quatrième couche du type n fortement dopée (118). Dans la quatrième couche (118) sont formés une source (202) et un drain (204), tandis que dans la troisième couche se trouve une grille (116/205). Entre la troisième couche et la quatrième couche est formée une jonction n+p- (124), tandis qu'entre la deuxième couche et la troisième couche est formée une jonction p+p- (122). La deuxième couche (114) constitue une barrière d'énergie potentielle de bande de conduction contre le flux de porteurs minoritaires (électrons) vers la grille (116/205), et est suffisamment large pour empêcher l'effet de tunnel des porteurs minoritaires. La première couche et la deuxième couche (112, 114) ensemble constituent un contact d'exclusion p+p+ vis-à-vis de la troisième couche (116). La jonction n+p- (124) entre la troisième couche et la quatrième couche (116, 118) est un contact d'extraction. Lorsque la polarisation est inversée en cours de fonctionnement, cette jonction (124) extrait les porteurs minoritaires de la zone de la troisième couche (116) adjacente au collecteur (118, 204). En fonctionnement, la troisième couche (116) comprenant la grille (205) s'appauvrit en porteurs de charge et présente alors un courant de fuite fortement réduit. Le MISFET (200) présente ainsi une bonne gamme dynamique en ce qui concerne la commande du courant de drain. L'invention décrit également des transistors bipolaires (300, 400) et des dispositifs associés.
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公开(公告)号：EP0558554A1
公开(公告)日：1993-09-08
申请号：EP91920076.0
申请日：1991-11-18
CPC分类号： H01L21/2022 , H01L21/26506 , H01L21/321 , H01L21/76245 , Y10S118/01 , Y10S118/03 , Y10S438/96
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau de silicium sur silicium poreux, qui consiste à: (i) fabriquer une couche de silicium poreux sur une plaquette appropriée de silicium, de sorte que ladite plaquette de silicium comporte une surface de silicium poreux et une surface de silicium non poreux, (ii) appliquer une dose d'ions implantés sur au moins une partie de la surface de silicium poreux, ladite dose étant suffisante pour rendre amorphe le silicium poreux. Le matériau produit grâce au procédé de l'invention peut ensuite servir pour la production de matériau de silicium sur isolant par oxydation du restant de silicium poreux et recristallisation du silicium rendu amorphe. Un tel matériau peut typiquement être utilisé dans la fabrication, par exemple, de dispositifs de type SOI C-MOS et de transistors bipolaires. Le procédé de l'invention peut également servir dans la fabrication de dispositifs pyroélectriques par exemple.
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