公开(公告)号：EP3198598A4

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：EP14902862

申请日：2014-09-25

申请人： INTEL CORP

发明人： KHAN ASIF ,  MANIPATRUNI SASIKANTH ,  NIKONOV DMITRI E ,  KIM RASEONG ,  GHANI TAHIR ,  YOUNG IAN A

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/20 ,  H01L41/20 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： Described is an apparatus which comprises: a magnetic tunneling junction (MTJ) having a free magnetic layer; a piezoelectric layer; and a conducting strain transfer layer coupled to the free magnetic layer and the piezoelectric layer. Described is a method, which comprises: exciting a piezoelectric layer with a voltage driven capacitive stimulus; and writing to a MTJ coupled to the piezoelectric layer via a strain assist layer. Described is also an apparatus which comprises: a transistor; a conductive strain transfer layer coupled to the transistor; and a MTJ device having a free magnetic layer coupled to the conductive strain transfer layer.

公开(公告)号：EP2156445B1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：EP08761656.1

申请日：2008-05-09

申请人： Aalto University Foundation

发明人： HANNULA, Simo-Pekka ,  HECZKO, Oleg

IPC分类号： H01F1/03 ,  H01L41/12

CPC分类号： H01F1/0308 ,  H01L41/12 ,  H01L41/20

公开(公告)号：EP2466662B1

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：EP10806398.3

申请日：2010-07-30

申请人： Tohoku Techno Arch Co., Ltd.

发明人： INOUE Akihisa ,  MOTOE Yoshitsugu ,  NAKASHIMA Koji ,  ISHIKAWA Tomohito ,  SUGIYAMA Masaharu ,  IGARASHI Takanori ,  WAKIWAKA Hiroyuki ,  MAKINO Akihiro

IPC分类号： H01L41/12 ,  C22C45/02 ,  G01L3/10 ,  H01F10/13 ,  C22C33/00 ,  G01R33/18 ,  H01L41/47 ,  H01L41/20 ,  C23C4/06

CPC分类号： G01L3/102 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  G01L3/103 ,  G01L3/105 ,  G01R33/18 ,  H01F10/131 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  Y10T428/265

摘要： For providing a magnetostrictive film that can exhibit high magnetostrictive properties in the vicinity of zero magnetic field and their manufacturing methods, a magnetostrictive film thermal sprayed on an object under test includes a metallic glass film subjected to thermal processing at a temperature lower than the glass transition temperature and not lower than the Curie point, and shows a linearity between the magnetic field and the magnetostriction in at least a part of the magnetic field from -15 kA/m to +15 kA/m (both inclusive).

公开(公告)号：EP2825275A1

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：EP13761117.4

申请日：2013-01-31

申请人： Etrema Products, Inc.

发明人： SUMMERS, Eric ,  MELOY, Rob

IPC分类号： B01D19/00 ,  G06F19/00

CPC分类号： C30B29/52 ,  B22D7/00 ,  C21D1/26 ,  C21D6/00 ,  C21D9/46 ,  C22C33/04 ,  C22C38/002 ,  C22C38/12 ,  C30B11/02 ,  C30B33/02 ,  H01F1/147 ,  H01F1/16 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  H02N2/186 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/12958 ,  Y10T428/13

摘要： A product, such as one or more thin sheets, each containing a single or near-single crystalline inclusion-containing magnetic microstructure, is provided. In one embodiment, the inclusion-containing magnetic microstructure is a Galfenol-carbide microstructure. Various methods and devices, as well as compositions, are also described.

摘要翻译： 提供了一种产品，例如一个或多个薄片，每个薄片包含单个或几乎单个的含结晶夹杂物的磁性微结构。 在一个实施例中，含夹杂物的磁性微结构是Galfenol-碳化物微结构。 还描述了各种方法和装置以及组合物。

公开(公告)号：EP2466662A1

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：EP10806398.3

申请日：2010-07-30

申请人： Topy Kogyo Kabushiki Kaisha ,  Shinshu University ,  Tohoku University

发明人： INOUE Akihisa ,  MOTOE Yoshitsugu ,  NAKASHIMA Koji ,  ISHIKAWA Tomohito ,  SUGIYAMA Masaharu ,  IGARASHI Takanori ,  WAKIWAKA Hiroyuki ,  MAKINO Akihiro

IPC分类号： H01L41/12 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  C23C4/12 ,  G01L1/12 ,  G01L3/10 ,  G01L9/16 ,  H01F10/13 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01L3/102 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  G01L3/103 ,  G01L3/105 ,  G01R33/18 ,  H01F10/131 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  Y10T428/265

摘要： For providing a magnetostrictive film that can exhibit high magnetostrictive properties in the vicinity of zero magnetic field and their manufacturing methods, a magnetostrictive film thermal sprayed on an object under test includes a metallic glass film subjected to thermal processing at a temperature lower than the glass transition temperature and not lower than the Curie point, and shows a linearity between the magnetic field and the magnetostriction in at least a part of the magnetic field from -15 kA/m to +15 kA/m (both inclusive).

摘要翻译： 用于提供磁致伸缩电影确实可以在零磁场的附近，并且它们的制造方法中，磁致伸缩膜热喷涂在被测对象表现出高磁致伸缩特性包括金属玻璃膜进行热处理在比玻璃化转变的温度下 温度且不高于居里点以下，示出了在至少一个到15千安/米（包括两端）从-15千安/米的磁场的一部分的磁场和磁致伸缩之间的线性度。

公开(公告)号：EP2042614A4

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：EP07743114

申请日：2007-05-10

申请人： NAT INST FOR MATERIALS SCIENCE

发明人： ISHIDA AKIRA ,  SATO MORIO

IPC分类号： C22C14/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/18

CPC分类号： C22C30/02 ,  C22C1/06 ,  C22C45/10 ,  C22F1/00 ,  C22F1/006 ,  C22F1/18 ,  C22F1/183 ,  H01L41/20

公开(公告)号：EP2339595A1

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：EP09015426.1

申请日：2009-12-14

申请人： ETO MAGNETIC GMBH

发明人： Laufenberg, Markus, Dr. ,  Pagounis, Emmanouel, Dr.

IPC分类号： H01F1/03 ,  H01L41/20 ,  C22C19/00 ,  C22C19/05

CPC分类号： H01F1/0308 ,  C22C19/03 ,  C22C19/058 ,  H01L41/20

摘要： Die Erfindung betrifft ein magnetisches Formgedächtnislegierungsmaterial mit einer Curietemperatur (TC) sowie einer Phasenübergangstemperatur (TA) von einer martensitischen in eine austenitische Phase, aufweisend Ni, Mn, Ga sowie mindestens Co in der Zusammensetzung Ni a Mn b Ga C Co d Fe e Cu f , wobei a, b, c, d, e und f in Atom-% angegeben sind und die Bedingungen

        44 ≤ a ≤ 51;

        19 ≤ b ≤ 30;

        18 ≤ c ≤ 24;

        0.1 ≤ d ≤ 15;

        0 ≤ e ≤ 14,9;

        0 ≤ f ≤ 14,9;

        d+e+f ≤ 15;

        a+b+c+d+e+f = 100;

erfüllen.

摘要翻译： 要求具有居里温度和马氏体相组成中包含镍，锰，镓和钴的奥氏体相的相变温度的磁形记忆合金材料。 一种具有居里温度和包含镍，锰，镓和钴的奥氏体相的马氏体相转变温度的磁形记忆合金材料，其结构式为（Ni a Mn b Ga c Co d Fe e C u f）（I） 其中：af的值以原子％给出; 调节d的值使得居里温度和相变温度大于65℃; 并且在大于700℃的温度下对成型体进行热处理以进行化学均化.a：44-51; b：19-30; c：18-24; d：0.1-15; e，f：0-14.9，优选为0，其中d + e + f = 15，优选为0.5-3，a + b + c + d + e + f为100，e大于0，f 等于0，或e等于0，f大于0，或e + f = 3，其中d + e + f = 6。对于由使用材料制成的形状记忆元件，包括独立权利要求 作为致动器中的致动器元件和/或传感器中的传感器元件。

公开(公告)号：EP1887585A4

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：EP06746757

申请日：2006-05-23

申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD ,  FINE SINTER KK

发明人： HATTORI TAKESHI ,  TAJIMA SHIN ,  SUGIYAMA MASAKI ,  KISHIMOTO HIDEFUMI ,  YAMAGUCHI TOSHIYA ,  KIKKOU TADAYOSHI

IPC分类号： H01F1/26 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  H01F1/147 ,  H01F3/08 ,  H01F41/02

CPC分类号： H01F3/08 ,  C22C38/02 ,  H01F1/14766 ,  H01F1/15375 ,  H01F1/26 ,  H01F41/0246 ,  H01L41/20

公开(公告)号：EP1451834B1

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：EP02760876.9

申请日：2002-09-13

申请人： Korea Advanced Institute of Science and Technology

发明人： PARK, Won Je ,  LEE, Zin Hyoung ,  HONG, Soon Hyung ,  KWON, Oh Yeoul

IPC分类号： H01F1/03

CPC分类号： H01F1/0306 ,  H01L41/20 ,  Y10S428/90 ,  Y10S428/928 ,  Y10T428/249967 ,  Y10T428/24997

公开(公告)号：EP1399932A4

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：EP02734424

申请日：2002-05-15

申请人： ENERGEN INC

发明人： JOSHI CHANDRASHEKHAR H ,  TAI CHIU-YING

IPC分类号： H01F1/03 ,  H01L41/20 ,  H01F1/055

CPC分类号： H01F1/055 ,  H01L41/20

摘要： A Terbium-Dysprosium-Iron magnetostrictive material of the type Tb1-xDyxFe2-y wherein x is less than 0.7, and y is less than or equal to 0.1, and devices using these materials.