摘要:
Bei Verknüpfungsschaltungen aus einer Anzahl von Strängen mit Reihenschaltungen von Transistoren, die die zu verknüpfenden Signale erhalten, muß ein leitender Strang nicht nur die Ausgangskapazität des Verknüpfungsausgangs entladen, sondern auch andere, nicht vollständig leitende Stränge, und zwar bis zu dem ersten gesperrten Transistor. Dies kann eine sehr hohe kapazitive Belastung darstellen, die die Schaltgeschwindigkeit stark reduziert. Erfindungsgemäß wird zwischen jedem Strang und dem Ausgang der gesamten Verknüpfungsschaltung ein zusätzlicher Transistor eingefügt, der eine Gatespannung erhält, so daß ein Stromfluß von den gesperrten, aufgeladenen Strängen über einen leitenden Strang verhindert oder so lange verzögert wird, bis das Ausgangssignal der Verknüpfungsschaltung einen Wert angenommen hat, der den nachfolgenden Ausgangstransistor eindeutig schaltet. Dadurch muß ein leitender Strang nur die Ausgangskapazität der Verknüpfungsschaltung entladen, so daß eine sehr viel höhere Schaltgeschwindigkeit ermöglicht wird.
摘要:
A circuit for performing a digital logic operation comprising a start/stop oscillator (1) is proposed. The start/stop oscillator (1) starts in response to a system clock signal and is stopped a predetermined period of time after the digital logic operation has been completed. The period during which pulses are supplied by the start/stop oscillator (1) is shorter than the period of the system clock.
摘要:
Bei der Schaltungsanordnung sind zwischen einem Eingangsregister (RG1) und einem Ausgangsregister (RG2) kombinatorische Blöcke (KBL) angeordnet.Der Eingang (E_RG1) und der Ausgang (A_RG1) des vor die kombinatorischen Blöcke (KBL) geschalteten Eingangsregisters (RG1) ist mit einer Vergleichseinheit (COM) verbunden, die den Wert am Eingang und am Ausgang des Eingangsregisters (RG1) vergleicht und bei Auftreten eines Signalwertwechsels am Eingang ein Steuersignal zum Laden des Ausgangswertes der kombinatorischen Blöcke (KBL) in das hinter die kombinatorischen Blöcke geschaltete Ausgangsregister (RG2) abgibt. Auf diese Weise kann die für eine Operation erforderliche Laufzeit bei der Schaltungsanordnung bei bestimmten Wertekombinationen verringert werden.
摘要:
A zero-power wide OR gate (500) for implementing the "sum" of the "sum of product terms" in a programmable logic device (PLD). The wide OR gate (500) includes a single additional input transistor (502) for each added "product term" input from a sense amplifier. The wide OR gate (500) further includes circuitry to decouple the current supply from sense amplifiers turned on during sleep mode to limit power utilized. To increase operation speed, the wide OR gate (500) utilizes a strong current source (504) when sense amplifiers are all turned off to quickly pull up internal circuitry while utilizing a weak current source (506) when sense amplifiers turn on to allow the sense amplifiers to more easily overcome the current supply. To further increase speed, the wide OR gate includes a threshold shifting transistor (514) to shift the pull down threshold of the output inverter (512) for when all sense amplifiers are turned off while shifting the threshold back for when a sense amplifier transitions to on.
摘要:
Un circuit de decodage seriel synchronise a IGFET possede un transistor de precharge (Q1) avec son canal de conduction connecte entre une alimentation VDD et un terminal de sortie, une chaine de transistors (Q2-Q5) avec leurs canaux de conduction connectes en serie entre le terminal de sortie et un noeud de commutation de mise a la masse (104) et un transistor de commutation de mise a la masse (Q6) avec son canal de conduction connecte entre le noeud de commutation de mise a la masse et une alimentation VSS. Les portes des transistors de la chaine recoivent des signaux d'entree provenant des tampons synchronises d'entree (207-210) qui polarisent les portes en VDD pendant l'intervalle de precharge lorsque le transistor de precharge est active et le transistor de commutation de mise a la masse est desactive. Ceci permet aux capacites parasites (C2-C4) aux jonctions des transistors de la chaine de se charger substantiellement pendant l'intervalle de precharge, ce qui empeche un partage rapide de la charge au terminal de sortie lorsque le circuit est mis hors service.
摘要:
A semiconductor circuit used as a buffer circuit having an input stage circuit (Q 1 , Q 2 , Q 7 ) for receiving an input clock signal and an inverted input clock signal, a bootstrap circuit including a transistor (Q s ) for receiving the output of said input stage circuit and for maintaining the gate voltage of said transistor at a high level during a standby period, and an output circuit (Q 11 , Q 12 ) including a transistor which is switched on and off by the output of said bootstrap circuit and said input stage circuit for generating an output clock signal; said semiconductor circuit further comprising a means by which a high level clock signal, having the same phase as said inverted clock signal and a level higher than the level of the sum of a power source upper limit voltage and a transistor threshold voltage, is applied to predetermined transistor gates (Q 3 , Q 13 ), whereby the voltage of a point charged during the standby period corresponds to the voltage of the power source throughout the standby period; thus, delay in the output clock signal, which is the cause of fluctuation of the voltage of the power supply during the standby period, is reduced and high speed access time in the dynamic memory device is accomplished.
摘要:
An embodiment of the present invention relates to a low-power broadband asynchronous BPSK demodulation method and a configuration of a circuit thereof. In connection with a configuration of a BPSK demodulation circuit, there may be provided a low-power wideband asynchronous binary phase shift keying demodulation circuit comprising: a sideband separation and lower sideband signal delay unit for separating a modulated signal into an upper sideband and a lower sideband using a primary high pass filter, which has a carrier frequency as the cutoff frequency thereof, and a primary low pass filter and digitalizing the same into a positive phase and a negative phase such that, in connection with a digital output from a lower sideband comparator and a digital output from an upper sideband comparator, signals with opposite phases are compared at the same ascending edge and at the same descending edge between a symbol edge and another symbol edge, respectively, thereby reducing jitter to the largest extent, improving the yield ratio, and outputting lower sideband digital signals and upper sideband digital signals, the lower sideband digital signals having been delayed by the 1/4 frequency of the carrier frequency; a data demodulation unit for generating a first symbol edge signal detected by aligning the phase difference between a delayed lower sideband positive-phase digital signal and an upper sideband negative-phase digital signal to be 180° and generating a second symbol edge signal detected by aligning the phase difference between a delayed lower sideband negative-phase digital signal and an upper sideband positive-phase digital signal to be 180°, the data demodulation unit overlapping the first symbol edge signal and the second symbol edge signal through an AND gate, thereby reducing the glitch and generating a symbol edge clock, which has no glitch, through a deglitch filter, the data demodulation unit synchronizing the delayed lower sideband positive-phase digital signal with a descending edge of the symbol edge signal, thereby demodulating data; and a data clock restoration unit for generating a data clock using the delayed lower sideband positive-phase digital signal and the demodulated data signal.