摘要:
Die Erfindung betrifft neue Sulfoniumsalze der allgemeinen Formel (I) worin
Ae = nichtnucleophiles Gegenion, x = 1, 2 oder 3, R = Kohlenwasserstoffrest, R = Arylen, substituiertes Arylen, R" = worin R 1 , R 2 und R 3 für Alkyl, für ein- oder mehrfach halogensubstituiertes Alkyl oder R 1 und R 2 für Wasserstoff oder Alkyl stehen, und R 3 für Phenyl, Alkenyl oder Cycloalkenyl steht, oder R 1 für Wasserstoff steht, und R 2 und R 3 zu einem ethylenisch ungesättigten Ring geschlossen sind, oder R 1 und R 2 für Wasserstoff, Alkyl, Cycloalkyl oder Aryl stehen, und R 3 für Alkoxy steht oder R 1 für Wasserstoff oder Alkyl steht, R 2 und R 3 für Alkoxy, Aryloxy oder substituiertes Aryloxy stehen.
Diese Sulfoniumsalze eignen sich als Photoinitiatoren für die kationische Polymerisation und zur Herstellung von Reliefmustern und Reliefbildern.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern. Das strahlungsempfindliche Gemisch enthält (a) ein in Wasser unlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder zumindest dispergierbares polymeres Bindemittel und (b) eine organische Verbindung, deren Löslichkeit in einem wäßrig-alkalischen Entwickler durch Einwirkung von Säure erhöht wird und die mindestens eine durch Säure spaltbare Gruppierung, sowie zusätzlich eine weitere Gruppierung, die unter der Einwirkung von Strahlung eine starke Säure erzeugt, enthält, wobei das polymere Bindemittel (a) aus einem Gemisch aus einem phenolischen Polymerisat und einem Harz vom Novolaktyp besteht. Das erfindungsgemäße Gemisch eignet sich insbesondere zur Herstellung von Photoresisten.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine wäßrige Entwicklerlösung für positiv arbeitende Photoresists sowie ein Verfahren zum Entwickeln. Die Entwicklerlösung enthält als wasserlösliche basische Verbindung eine Verbindung der allgemeinen Formel (I), worin R¹ bis R⁵ untereinander gleich oder verschieden sind und für H, OH, Hydroxyalkyl, Alkoxi oder Alkyl stehen. Sie eignen sich zur Entwicklung positiv arbeitender Photoresists.
摘要:
Die Erfindung betrifft positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Gemische sowie Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern. Diese strahlungsempfindlichen Gemische enthalten ein polymeres Bindemittel und eine organische Verbindung, deren Löslichkeit in einem wäßrig-alkalischen Entwickler durch Einwirkung von Säure erhöht wird und die mindestens eine durch Säure spaltbare Gruppierung enthält, sowie eine zusätzliche Gruppierung, die unter Einwirkung von Strahlung eine starke Säure bildet, wobei als polymere Bindemittel Umsetzungsprodukte aus phenolische Hydroxylgruppen enthaltenden Polymeren mit Dihydropyran oder Alkylvinylethern eingesetzt werden. Diese strahlungsempfindlichen Gemische eignen sich insbesondere zur Herstellung von Reliefmustern.
摘要:
Die Erfindung betrifft Sulfoniumsalze der allgemeinen Formel worin R¹, R² und R³ untereinander gleich oder verschieden sind und für aliphatische und/oder aromatische Reste, die gegebenenfalls Heteroatome enthalten, stehen oder zwei der Reste R¹ bis R³ miteinander zu einem Ring verknüpft sind, mit der Maßgabe, daß mindestens einer der Reste R¹ bis R³ mindestens eine durch Säure spaltbare Gruppierung enthält oder einer der Reste R¹ bis R³ mit einem oder mehreren weiteren Sulfoniumsalzresten, gegebenenfalls über durch Säure spaltbare Gruppierungen, verknüpft ist und X ⊖ ein nichtnukleophiles Gegenion bedeutet. Sie eignen sich als Photoinitiatoren für die Kationische Polymerisation.
摘要:
Niedermolekulare, photoreaktive, aliphatisch ungesättigte Verbindungen der allgemeinen Formel (I) bzw. (II) worin R² einen ungesättigten Rest mit mindestens einer aliphatischen Mehrfachbindung bedeutet und X die Reste R¹ und R³ und m und n die in den Ansprüchen angegebene Bedeutung haben.
摘要:
Strahlungshärtbare Zusammensetzungen auf Basis von strahlungshärtbaren, radikalisch polymerisierbaren Verbindungen, enthaltend α-Olefine mit mehr als 8 C-Atomen.