摘要:
Eine Glasscheibe, die mit einem transparenten, elektrisch leitfähigen Metalloxid (3) beschichtet ist und als Ausgangsmaterial für ein photovoltaisches Modul dient, weist eine Biegefestigkeit von 50 bis 120 N/mm 2 und eine Welligkeit von weniger als 1 mm pro m auf.
摘要翻译:制备用作光伏电池原料的导电金属氧化物涂层(3)的玻璃板(1)包括CVD工艺。 这在玻璃的转变温度以下不超过50℃的温度下进行。 包括以下的独立权利要求:(A)通过该方法生产的具有50-120N / mm 2>弯曲强度的涂层玻璃板; 和(B)用于进行允许在比玻璃的转变温度低不超过50℃的温度下进行涂覆的方法的CVD装置。
摘要:
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbildung einer Oxidschicht auf scheibenförmigen Halbleiterbauelementen auf Siliziumbasis durch flächige Gasphasenbehandlung. Um den Durchsatz zur Ausbildung von Oxidschichten auf aus Silizium bestehenden Halbleiterbauelementen zu erhöhen, ohne dass sich Nachteile in Bezug auf die Oxidschicht ergeben, wird vorgeschlagen, dass die Hableiterbauelemente in einer Vielzahl berührend aufeinander liegend gestapelt und der Gasphasenbehandlung ausgesetzt werden, wobei zur Ausbildung der Oxidschicht die im Stapel angeordneten Halbleiterbauelemente einer Gasatmosphäre ausgesetzt werden, die zumindest ein Gas aus der Gruppe O 2 , Wasserdampf mit einem Anteil von zumindest 50 % enthält.
摘要:
Zur Bestimmung der Kenngrößen einer zu prüfenden photovoltaischen Einrichtung, welche wenigstens eine Mehrfachsolarzelle aufweist, die aus wenigstens zwei übereinander geschichteten, elektrisch und optisch in Serie geschalteten Teilzellen (1, 2) besteht, die jeweils eine p-leitende Schicht (p1, p2), eine intrinsische Schicht (i1, i2) und eine n-leitende Schicht (n1, n2) aufweisen, wird für jede Teilzelle (1, 2) wenigstens eine Referenzzelle (Rb, Rt) hergestellt. Die eine Teilzelle (2, 1) jeder Referenzzelle (Rb, Rt) entspricht einer Teilzelle (2, 1) der wenigstens zwei Teilzellen (1, 2) der Mehrfachsolarzelle. Demgegenüber weist die wenigstens eine weitere Teilzelle (1, 2) jeder Referenzzelle (Rb, Rt) wenigstens eine Schicht (11, 12) auf, welche der intrinsischen Schicht (i1, i2) der wenigstens einen weiteren Teilzelle (1, 2) der Mehrfachsolarzelle entspricht, jedoch durch Dotierung in eine elektrisch leitfähige Schicht (11, 12) umgewandelt ist. Es wird die spektrale Empfindlichkeit der Referenzzellen (Rb, Rt) gemessen. Zur Bestimmung der Kenngrößen der Mehrfachsolarzelle werden die Kenngrößen der Referenzzellen (Rb, Rt) und die Kenngrößen der Mehrfachsolarzelle mit einem auf die Referenzzellen (Rb, Rt) kalibrierten Sonnensimulator unter den gleichen Bedingungen gemessen.
摘要:
Die vorliegende Anmeldung betrifft einen Träger (2) zur Herstellung von Wafern (5,-5x), die aus einem am Träger (2) angeklebten Materialblock (1) geschnitten sind, wobei der Träger (2) zumindest einen Durchlass (3) zum Zuführen von Reinigungsmittel zwischen die am Träger (2) hängenden Wafer (5,-5x) aufweist. Die vorliegende Anmeldung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen von Wafern (5,-5x), welches die folgenden Verfahrensschritte umfasst: - Ankleben eines Materialblocks (1) an einen Träger (2); - Schneiden des Materialblocks (1) in am Träger (2) hängende Wafer (5,-5x); - Reinigen der am Träger (2) hängenden Wafer (5,-5x) mit einem Reinigungsmittel;
wobei das Reinigungsmittel zumindest zeitweise von oben zwischen die hängenden Wafer (5,-5x) geführt wird. Die vorliegende Anmeldung betrifft ferner eine Vorrichtung zum Herstellen von Wafern (5,-5x) mit dem oben genannten Verfahren. Weiterhin betrifft die vorliegende Anmeldung eine Verwendung der mit dem Träger (2) und/oder mit dem oben genannten Verfahren und/oder mit der oben genannten Vorrichtung hergestellten Wafer (5,-5x) als Solarzelle, als Halbleiterwafer oder als Quarzwafer.
摘要:
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Aufbringen von Lot auf eine Solarzelle (10), wobei unter Verwendung eines Lotdrahts dieser im geschmolzenen Zustand auf die Solarzelle unter Einwirkung von von einer Sonotrode (18) applizierten Ultraschallschwingungen aufgebracht wird. Um überaus präzise das Lot auf die Solarzelle aufbringen zu können, ohne dass die Solarzelle unerwünscht hohen Temperaturen ausgesetzt wird, ist vorgesehen, dass der Lotdraht einem zwischen einer Heizeinrichtung (16, 17) und der die Ultraschallschwingungen applizierenden Sonotrode (18) verlaufenden Spalt (24) zugeführt und geschmolzen wird und durch den Spalt auf die Solarzelle (10) fließt.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Solarmodul zum Umwandeln von Strahlungsenergie, insbesondere Sonnenlicht, in elektrische Energie, umfassend eine Solarzelle (12) zum Umwandeln von Strahlungsenergie in elektrische Energie, einen elektrischen Leiter (24) zum Leiten der elektrischen Energie und eine die Solarzelle (12) umgebende Einkapselung (14) zum Schützen der Solarzelle (12), wobei die Einkapselung (14) eine oder mehrere Glasscheiben (16) zum Schützen und Stabilisieren der Solarzelle (12), eine Schicht (22) aus Einbettungsmaterial, in das die Solarzelle (12) einlaminiert oder eingegossen ist, sowie einen in die Glasscheibe (16) eingeschmolzenen Körper (26) zum Leiten der elektrischen Energie oder zum Durchführen des elektrischen Leiters (24) durch die Glasscheibe (16) umfasst. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Einschmelzen des Körpers (26) in eine Glasscheibe (16) eines Solarmoduls.
摘要:
Zur Strukturierung einer auf einem transparenten elektrisch isolierenden Substrat (2) abgeschiedenen Frontelektrodenschicht (3) aus Zinkoxid bei der Herstellung eines photovoltaischen Moduls (1) wird ein gepulster Festkörperlaser (13) mit einer kurzen Pulsbreite verwendet, der eine infrarote Strahlung emittiert.
摘要:
The invention relates to a soldered connection between an outer surface (23) of a semiconductor device (10), connected to a substrate (12) by means of an adhesive layer (14), and a connector (24) in the form of a strip. In order that tensile forces acting on the connector do not cause the semiconductor device to be detached from the substrate or the adhesive layer, it is proposed that from the outer surface (23) of the semiconductor device (10) there extends a supporting location (26, 28), which consists of solderable material and makes contact with the outer surface (23) by way of a contact surface A, in or on which the connector (24) is soldered while maintaining a distance a from the outer surface (33) where a ≥ 10 µm, and/or that the distance b between the edge of the contact surface between the supporting surface and the outer surface and the entry of the connector into the supporting location or the beginning of contact between them is b ≥ 50 µm.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Dünnschichtsolarzelle sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, wobei der rückseitige Schichtaufbau der Dünnschichtsolarzelle einen mehrschichtigen Aufbau aufweist umfassend eine metallische Haftschicht, eine Übergangsschicht sowie eine Ag-haltige Reflektorschicht und durch einen hohen Reflektionsgrad sowie eine gute Haftung des Schichtsystems ausgezeichnet ist.
摘要:
The invention relates to a method for recovering and/or recycling starting silicon material by crushing the starting material. The recovered or recycled material is melted, and crystals, e.g. as a silicon block, tube, or strip, are grown from the obtained melt. In order to be able to use also starting materials that have a high aspect ratio so as to be able to convey the same without any problem, broken polycrystalline needle-shaped Si material (material I) which contains particles that have an aspect ratio A1, 5