Verfahren zur Ausbildung einer Oxidschicht auf einem Halbleiterbauelement
    72.
    发明公开

    公开(公告)号:EP2492954A2

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:EP12157216.8

    申请日:2012-02-28

    申请人: SCHOTT Solar AG

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/0216

    CPC分类号: H01L31/02167 Y02E10/50

    摘要: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbildung einer Oxidschicht auf scheibenförmigen Halbleiterbauelementen auf Siliziumbasis durch flächige Gasphasenbehandlung. Um den Durchsatz zur Ausbildung von Oxidschichten auf aus Silizium bestehenden Halbleiterbauelementen zu erhöhen, ohne dass sich Nachteile in Bezug auf die Oxidschicht ergeben, wird vorgeschlagen, dass die Hableiterbauelemente in einer Vielzahl berührend aufeinander liegend gestapelt und der Gasphasenbehandlung ausgesetzt werden, wobei zur Ausbildung der Oxidschicht die im Stapel angeordneten Halbleiterbauelemente einer Gasatmosphäre ausgesetzt werden, die zumindest ein Gas aus der Gruppe O 2 , Wasserdampf mit einem Anteil von zumindest 50 % enthält.

    摘要翻译: 半导体元件彼此层叠而成多层接触,进行中心开口处理。 将堆叠的半导体组件暴露于含有二氧化碳和水(50%以上)的气体气氛中以形成氧化物层。

    Verfahren zur Bestimmung der Kenngrössen einer photovoltaischen Einrichtung
    73.
    发明公开
    Verfahren zur Bestimmung der Kenngrössen einer photovoltaischen Einrichtung 审中-公开
    Verfahren zur Bestimmung derKenngrösseneiner photovoltaischen Einrichtung

    公开(公告)号:EP2458393A2

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:EP11005820.3

    申请日:2011-07-15

    申请人: SCHOTT Solar AG

    摘要: Zur Bestimmung der Kenngrößen einer zu prüfenden photovoltaischen Einrichtung, welche wenigstens eine Mehrfachsolarzelle aufweist, die aus wenigstens zwei übereinander geschichteten, elektrisch und optisch in Serie geschalteten Teilzellen (1, 2) besteht, die jeweils eine p-leitende Schicht (p1, p2), eine intrinsische Schicht (i1, i2) und eine n-leitende Schicht (n1, n2) aufweisen, wird für jede Teilzelle (1, 2) wenigstens eine Referenzzelle (Rb, Rt) hergestellt. Die eine Teilzelle (2, 1) jeder Referenzzelle (Rb, Rt) entspricht einer Teilzelle (2, 1) der wenigstens zwei Teilzellen (1, 2) der Mehrfachsolarzelle. Demgegenüber weist die wenigstens eine weitere Teilzelle (1, 2) jeder Referenzzelle (Rb, Rt) wenigstens eine Schicht (11, 12) auf, welche der intrinsischen Schicht (i1, i2) der wenigstens einen weiteren Teilzelle (1, 2) der Mehrfachsolarzelle entspricht, jedoch durch Dotierung in eine elektrisch leitfähige Schicht (11, 12) umgewandelt ist. Es wird die spektrale Empfindlichkeit der Referenzzellen (Rb, Rt) gemessen. Zur Bestimmung der Kenngrößen der Mehrfachsolarzelle werden die Kenngrößen der Referenzzellen (Rb, Rt) und die Kenngrößen der Mehrfachsolarzelle mit einem auf die Referenzzellen (Rb, Rt) kalibrierten Sonnensimulator unter den gleichen Bedingungen gemessen.

    摘要翻译: 该方法涉及制造用于部分顶部和底部细胞(1,2)的参考细胞。 通过掺杂工艺将多结太阳能电池的一部分电池的本征层(i1,i2)转换成导电层。 测量参考电池的光谱灵敏度,并且在用于确定多结太阳能电池的特性的相同条件下,用太阳模拟器即氙闪光灯测量参考电池和多结太阳能电池的特性。 太阳模拟器在参考单元中校准。 还包括用于执行包括本征层的用于确定光伏器件的特性的方法的参考模块的独立权利要求。

    Träger, Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Wafern sowie Verwendung der hergestelllten Wafer
    74.
    发明公开
    Träger, Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Wafern sowie Verwendung der hergestelllten Wafer 审中-公开
    用于制造晶片和使用晶片载体,方法和装置hergestelllten

    公开(公告)号:EP2153960A3

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:EP09010524.8

    申请日:2009-08-14

    申请人: SCHOTT Solar AG

    IPC分类号: B28D5/00

    CPC分类号: B28D5/0076 B28D5/0082

    摘要: Die vorliegende Anmeldung betrifft einen Träger (2) zur Herstellung von Wafern (5,-5x), die aus einem am Träger (2) angeklebten Materialblock (1) geschnitten sind, wobei der Träger (2) zumindest einen Durchlass (3) zum Zuführen von Reinigungsmittel zwischen die am Träger (2) hängenden Wafer (5,-5x) aufweist. Die vorliegende Anmeldung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen von Wafern (5,-5x), welches die folgenden Verfahrensschritte umfasst:
    - Ankleben eines Materialblocks (1) an einen Träger (2);
    - Schneiden des Materialblocks (1) in am Träger (2) hängende Wafer (5,-5x);
    - Reinigen der am Träger (2) hängenden Wafer (5,-5x) mit einem Reinigungsmittel;

    wobei das Reinigungsmittel zumindest zeitweise von oben zwischen die hängenden Wafer (5,-5x) geführt wird. Die vorliegende Anmeldung betrifft ferner eine Vorrichtung zum Herstellen von Wafern (5,-5x) mit dem oben genannten Verfahren. Weiterhin betrifft die vorliegende Anmeldung eine Verwendung der mit dem Träger (2) und/oder mit dem oben genannten Verfahren und/oder mit der oben genannten Vorrichtung hergestellten Wafer (5,-5x) als Solarzelle, als Halbleiterwafer oder als Quarzwafer.

    Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Lot auf ein Werkstück
    75.
    发明公开
    Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Lot auf ein Werkstück 审中-公开
    Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Lot auf einWerkstück

    公开(公告)号:EP2384843A2

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:EP11164087.6

    申请日:2011-04-28

    申请人: SCHOTT Solar AG

    IPC分类号: B23K1/00 B23K1/06 B23K3/06

    摘要: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Aufbringen von Lot auf eine Solarzelle (10), wobei unter Verwendung eines Lotdrahts dieser im geschmolzenen Zustand auf die Solarzelle unter Einwirkung von von einer Sonotrode (18) applizierten Ultraschallschwingungen aufgebracht wird. Um überaus präzise das Lot auf die Solarzelle aufbringen zu können, ohne dass die Solarzelle unerwünscht hohen Temperaturen ausgesetzt wird, ist vorgesehen, dass der Lotdraht einem zwischen einer Heizeinrichtung (16, 17) und der die Ultraschallschwingungen applizierenden Sonotrode (18) verlaufenden Spalt (24) zugeführt und geschmolzen wird und durch den Spalt auf die Solarzelle (10) fließt.

    摘要翻译: 该方法包括在加热单元(16)和超声波发生器之间的间隙中提供焊丝(12),并且通过间隙熔化和流动工件(10)上的焊丝。 超声波发生器和加热单元之间的间隙被调整到具有焊丝直径的一半的宽度(B)。 超声波发生器和加热单元被加热到高于焊料熔化温度的温度。 独立于超声波发生器的温度调节加热单元的温度。 加热单元是块体或立方形散热器(17)。 该方法包括在加热单元(16)和超声波发生器之间的间隙中提供焊丝(12),并且通过间隙熔化和流动工件(10)上的焊丝。 超声波发生器和加热单元之间的间隙被调整到具有焊丝直径的一半的宽度(B)。 超声波发生器和加热单元被加热到高于焊料熔化温度的温度。 独立于超声波发生器的温度调节加热单元的温度。 加热单元是块体或立方形散热器(17)。 超声波发生器的一侧包括具有圆柱形几何形状的间隙限制突起。 超声波发生器的加热单元或间隙限制突起被定向成使得间隙在其高度上扩展并且在工件的方向上具有相同的宽度。 在焊接一个工件并焊接其他工件之前,通过脉冲流动的液体或气体如空气,氮气,氩气或其他惰性气体来净化间隙。 包括用于将焊料施加到工件的设备的独立权利要求。

    Anschlusseinheit für Photovoltaische Module
    76.
    发明公开
    Anschlusseinheit für Photovoltaische Module 审中-公开
    安装光伏组件

    公开(公告)号:EP2346091A2

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:EP11151233.1

    申请日:2011-01-18

    申请人: SCHOTT Solar AG

    IPC分类号: H01L31/048 H01L31/02

    摘要: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Solarmodul zum Umwandeln von Strahlungsenergie, insbesondere Sonnenlicht, in elektrische Energie, umfassend eine Solarzelle (12) zum Umwandeln von Strahlungsenergie in elektrische Energie, einen elektrischen Leiter (24) zum Leiten der elektrischen Energie und eine die Solarzelle (12) umgebende Einkapselung (14) zum Schützen der Solarzelle (12), wobei die Einkapselung (14) eine oder mehrere Glasscheiben (16) zum Schützen und Stabilisieren der Solarzelle (12), eine Schicht (22) aus Einbettungsmaterial, in das die Solarzelle (12) einlaminiert oder eingegossen ist, sowie einen in die Glasscheibe (16) eingeschmolzenen Körper (26) zum Leiten der elektrischen Energie oder zum Durchführen des elektrischen Leiters (24) durch die Glasscheibe (16) umfasst. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Einschmelzen des Körpers (26) in eine Glasscheibe (16) eines Solarmoduls.

    摘要翻译: 模块(10)具有用于将辐射能(即太阳光)转换成电能的太阳能电池(12)和导电的导电体。 封装单元(14)封装太阳能电池以保护太阳能电池并且包括玻璃板(16),以保护和稳定层压或铸造成嵌入材料层(22)的太阳能电池。 身体(26“') 圆柱形销被熔合到玻璃板中,用于通过玻璃板传导电能或使电导体穿过玻璃板。 主体被布置为导电销,其从圆柱形销,锥形定位销或具有头部的螺栓中选择。 还包括用于将身体熔合到太阳能模块的玻璃板中的方法的独立权利要求。

    LÖT-STÜTZSTELLE FÜR SOLARMODULE UND HALBLEITERBAUELEMENT
    78.
    发明公开
    LÖT-STÜTZSTELLE FÜR SOLARMODULE UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    LÖT-STÜTZSTELLEFÜRSOLARMODULE UND HALBLEITERBAUELEMENT

    公开(公告)号:EP2301076A2

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:EP09780742.4

    申请日:2009-07-16

    申请人: SCHOTT Solar AG

    IPC分类号: H01L31/02 H01L31/05 H01L31/18

    摘要: The invention relates to a soldered connection between an outer surface (23) of a semiconductor device (10), connected to a substrate (12) by means of an adhesive layer (14), and a connector (24) in the form of a strip. In order that tensile forces acting on the connector do not cause the semiconductor device to be detached from the substrate or the adhesive layer, it is proposed that from the outer surface (23) of the semiconductor device (10) there extends a supporting location (26, 28), which consists of solderable material and makes contact with the outer surface (23) by way of a contact surface A, in or on which the connector (24) is soldered while maintaining a distance a from the outer surface (33) where a ≥ 10 µm, and/or that the distance b between the edge of the contact surface between the supporting surface and the outer surface and the entry of the connector into the supporting location or the beginning of contact between them is b ≥ 50 µm.

    摘要翻译: 在半导体器件的外表面之间的焊接连接,通过粘合剂层连接到衬底,以及带状形式的连接器。 为了使作用在连接器上的拉伸力不会导致半导体器件从衬底或粘合剂层分离,因此提出支撑位置从半导体器件的外表面延伸,该支撑位置由可焊接的 材料,并且通过接触表面A与外表面接触,其中连接器被焊接在其中或其上,同时保持与外表面的距离a≥10μ; 和/或支撑表面和外表面之间的接触表面的边缘与连接器进入支撑位置或其间的接触开始处之间的距离b为b≥50μ。

    Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung
    79.
    发明公开
    Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung 审中-公开
    Dünnschichtsolarzelleund Verfahren zur Herstellung

    公开(公告)号:EP2264784A2

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:EP10005129.1

    申请日:2010-05-17

    申请人: SCHOTT Solar AG

    IPC分类号: H01L31/052

    摘要: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Dünnschichtsolarzelle sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, wobei der rückseitige Schichtaufbau der Dünnschichtsolarzelle einen mehrschichtigen Aufbau aufweist umfassend eine metallische Haftschicht, eine Übergangsschicht sowie eine Ag-haltige Reflektorschicht und durch einen hohen Reflektionsgrad sowie eine gute Haftung des Schichtsystems ausgezeichnet ist.

    摘要翻译: 薄膜太阳能电池具有透明基板,在该透明基板上布置有透明前电极层,光伏活性层系统,透明导电阻挡层(4)和背面层系统(5),所述背面层系统包括金属键合 层(6)和含银反射层(8)。 金属结合层和反射层之间存在组成仅包含金属结合层和反射层的组分的过渡层(7)。 包括用于生产薄膜太阳能电池的独立权利要求,包括在包括透明基板,透明前电极层,光伏活性层系统和透明导电阻挡层的预涂层基底上沉积金属粘合层 在第二涂布周期T2中,在涂布面中具有平面涂布区域B2的第二涂布工序中,在第一涂布期间的涂布面内具有平面涂布区域B1和含银反射层的涂布工序。 两个涂布周期在时间上至少部分重叠,并且涂覆过程的涂覆区域B1和B2在涂层平面中的区域B3中至少部分重叠。