公开(公告)号：EP3026713A1

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP15003390.0

申请日：2015-11-27

申请人： LG Electronics Inc.

发明人： Ha, Jungmin ,  Kim, Sungjin ,  Cheong, Juhwa ,  Ahn, Junyong ,  Choi, Hyungwook ,  Chang, Wonjae ,  Kim, Jaesung

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

摘要： Disclosed are a solar cell and a method for manufacturing the same. A solar cell includes a semiconductor substrate, a tunnel layer on the first surface of the semiconductor substrate, a first conductive type semiconductor region on the tunnel layer and includes impurities of a first conductive type, a second conductive type semiconductor region on a second surface and includes impurities of a second conductive type opposite the first conductive type, a first passivation film on the first conductive type semiconductor region, a first electrode formed on the first passivation film and connected to the first conductive type semiconductor region through an opening portion formed in the first passivation film, a second passivation film on the second conductive type semiconductor region, and a second electrode formed on the second passivation film and connected to the second conductive type semiconductor region through an opening portion formed in the second passivation film.

摘要翻译： 公开了一种太阳能电池及其制造方法。 一种太阳能电池，包括：半导体衬底;半导体衬底的第一表面上的隧道层;隧道层上的第一导电类型半导体区域，并且包括第一导电类型的杂质，第二表面上的第二导电类型半导体区域以及 包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，在第一导电类型半导体区域上的第一钝化膜，在第一钝化膜上形成并通过形成在第一导电类型半导体区域中的开口部分连接到第一导电类型半导体区域的第一电极 第一钝化膜，在第二导电类型半导体区域上的第二钝化膜以及在第二钝化膜上形成并通过形成在第二钝化膜中的开口部分连接到第二导电类型半导体区域的第二电极。

公开(公告)号：EP2903032A1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP13841155.8

申请日：2013-09-27

申请人： Kaneka Corporation

发明人： MEGURO, Tomomi ,  YAMAMOTO, Kenji

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1888 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： The thin-film photoelectric conversion device of the present invention includes: a transparent electroconductive film (4) having zinc oxide as a main component; a contact layer (5); a photoelectric conversion unit (6) having a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer in this order; and a back electrode layer (8), in this order, on one main surface of a substrate (2). The contact layer (5) has an intrinsic crystalline semiconductor layer (51) and a p-type crystalline semiconductor layer (52) in this order from the substrate (2) side, and the intrinsic crystalline semiconductor layer (51) of the contact layer (5) and the transparent electroconductive film (4) are in contact with each other. The p-type crystalline semiconductor layer (52) of the contact layer (5) is preferably a layer having as a main component a silicon alloy selected from the group consisting of a silicon oxide; a silicon nitride; and silicon carbide.

摘要翻译： 本发明的薄膜光电转换元件包括：以氧化锌为主要成分的透明导电膜（4） 接触层（5）; 具有p型半导体层，i型半导体层和n型半导体层的光电转换单元（6）。 和背面电极层（8），依次形成在基板（2）的一个主表面上。 接触层（5）从衬底（2）侧依次具有本征晶体半导体层（51）和p型晶体半导体层（52），并且接触层的本征结晶半导体层（51） （5）和透明导电膜（4）彼此接触。 接触层（5）的p型结晶半导体层（52）优选为主要成分为选自氧化硅的硅合金的层; 氮化硅; 和碳化硅。

公开(公告)号：EP2107619A3

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：EP09156721.4

申请日：2009-03-30

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Dubois, Sébastien ,  Enjalbert, Nicolas ,  Monna, Rémi

IPC分类号： H01L31/18 ,  C30B15/00 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0368

CPC分类号： H01L31/182 ,  C30B29/52 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3242 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： Procédé de traitement d'un substrat à base d'un semi-conducteur de type Si X A Y et comportant quatre types distincts d'éléments légers, comprenant les étapes suivantes :
- réalisation d'un premier recuit du substrat à une température T1 correspondant à une température d'activation thermique d'un premier des quatre types d'éléments légers,
- réalisation d'un second recuit à une température T2 correspondant à une température d'activation thermique d'un second des quatre types d'éléments légers,
- réalisation d'un troisième recuit à une température T3 correspondant à une température d'activation thermique d'un troisième des quatre types d'éléments légers,
- réalisation d'un quatrième recuit à une température T4 correspondant à une température d'activation thermique d'un quatrième des quatre types d'éléments légers,

chaque recuit comportant un maintien à la température T1, T2, T3 ou T4 et les températures étant telles que T1 > T2 > T3 > T4.

公开(公告)号：EP2602833A1

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：EP13158302.3

申请日：2010-01-18

申请人： Oerlikon Solar AG, Trübbach

发明人： Bailat, Julien ,  Lucie, Castens

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A thin-film tandem photovoltaic cell comprises on a glass substrate a front TCO (3), an amorphous silicon cell as top cell (5), a semi-transparent reflector layer (7), a microcrystalline silicon bottom cell (9). Thereby, the semi-transparent reflector layer (7) is of n-doped silicon oxide with an index of refraction below 1.7. The thickness of the amorphous silicon top cell (5) is below 200 nm.

摘要翻译： 薄膜串联光伏电池在玻璃基板上包括前TCO（3），作为顶电池（5）的非晶硅电池，半透明反射器层（7），微晶硅底电池（9）。 因此，半透明反射层（7）是折射率低于1.7的n掺杂氧化硅。 非晶硅顶部电池（5）的厚度低于200nm。

公开(公告)号：EP2571055A1

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：EP11009530.4

申请日：2011-12-01

申请人： LG Electronics Inc.

发明人： You, Dongjoo ,  Lee, Byungkee ,  Lee, Heonmin ,  Hwang, Suntae ,  Lee, Sungeun

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0725

CPC分类号： H01L31/03765 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/046 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A thin film solar cell module (10) includes a substrate (100); a plurality of first cells (C1) positioned in a central region, where one or more first cell include at least one photovoltaic unit (PV); and a plurality of second cells (C2) positioned in edge regions of the substrate, where one or more second cell include at least one photovoltaic unit. Among the photovoltaic units positioned in the same layer the photovoltaic unit of the one or more second cells have higher band gap energy than that the photovoltaic unit of the one or more first cells.

摘要翻译： 薄膜太阳能电池模块（10）包括基板（100）; 位于中央区域中的多个第一单元（C1），其中一个或多个第一单元包括至少一个光伏单元（PV）; 以及位于衬底的边缘区域中的多个第二单元（C2），其中一个或多个第二单元包括至少一个光伏单元。 在位于同一层中的光伏单元中，一个或多个第二单元的光伏单元具有比一个或多个第一单元的光伏单元更高的带隙能量。

公开(公告)号：EP2332177A4

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：EP09817038

申请日：2009-09-29

申请人： THINSILICON CORP

发明人： COAKLEY KEVIN M

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：EP2386124A4

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：EP10813861

申请日：2010-01-11

申请人： LG ELECTRONICS INC

发明人： LEE HONGCHEOL ,  MOON SEYOUN ,  AHN SEHWON ,  YOU DONGJOO

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： A solar cell is discussed. The solar cell includes a substrate, a first electrode on the substrate, a second electrode, and at least one photoelectric transformation unit positioned between the first electrode and the second electrode. The at least one photoelectric transformation unit includes a p-type semiconductor layer, an intrinsic (i-type) semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a buffer layer positioned between the p-type semiconductor layer and the i-type semiconductor layer. A hydrogen content of the buffer layer is more than a hydrogen content of the i-type semiconductor layer.

公开(公告)号：EP2489046A1

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：EP10822957.6

申请日：2010-10-15

申请人： O'Brien, Paul Gregory ,  Puzzo, Daniel P. ,  Kherani, Nazir Pyarali ,  Ozin, Geoffrey Alan

发明人： CHUTINAN, Alongkarn ,  LU, Zheng-Hong ,  HELANDER, Michael, G.

IPC分类号： H01B1/00 ,  B32B18/00 ,  C25B1/04 ,  C25B11/10 ,  H01L31/0216 ,  H01L33/44

CPC分类号： C25B1/003 ,  C03C17/006 ,  C03C2217/425 ,  H01B1/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/056 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L33/46 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5369 ,  H02S40/44 ,  H05B33/28 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02E10/60 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/249953

摘要： A nanocomposite material that is both transparent and electrically conductive is provided. The nanocomposite comprises a nanoporous matrix, preferably formed from nanoparticles, that is internally coated with a transparent conductive material to define an internal conductive path within the nanocomposite. The nanocomposite is substantially transparent over a defined spectral range that preferably includes at least a portion of the visible spectrum, and preferably comprises pores with a mean diameter of less than approximately 25 nm. A bilayer may be formed by depositing a layer of a transparent conductive material on top of a nanocomposite layer, or by depositing a second layer of a nanocomposite having different optical properties. The nanocomposites formed using a combination of sequential and/or concurrent deposition techniques are correspondingly discrete and/or continuously varying structures. Multilayer structures, such as photonic crystal reflectors, may be formed by depositing multiple bilayers, and integrated into devices such as tandem solar cells.

公开(公告)号：EP2251913A3

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：EP10173539.7

申请日：1998-10-28

申请人： Kaneka Corporation

发明人： Okamoto, Yoshifumi ,  Yoshimi, Masashi ,  Yamamoto, Kenji

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/935

摘要： In a method of manufacturing a silicon-based thin film photoelectric converter, a crystalline photoelectric conversion layer included in the photoelectric converter is deposited by plasma CVD under the following conditions: the temperature of the underlying film is at most 550°C; a gas introduced into a plasma reaction chamber has a silane-based gas and a hydrogen gas where the flow rate of the hydrogen gas relative to the silane-based gas is at least 50 times larger; the pressure in the plasma reaction chamber is set to 3Torr; and the deposition speed is 17nm/min in the thickness-wise direction.

摘要翻译： 在制造硅基薄膜光电转换装置的方法，包括在所述光电转换体的结晶的光电转换层是通过等离子体CVD在以下条件下沉积：底层电影的温度为至多550℃; 导入的气体成等离子体反应室具有硅烷系气体，并且其中相对于所述基于硅烷的气体的氢气的流速是至少大50倍的氢气; 在等离子体反应室中的压力被设置为3Torr; 和沉积速度是在厚度方向上为17nm /分钟。

公开(公告)号：EP2273564A2

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：EP10160303.3

申请日：2010-04-19

申请人： KISCO

发明人： MYONG, Seung-Yeop

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/075 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035245 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a photovoltaic device. The photovoltaic device includes:
a substrate (100);
a first electrode (210) disposed on the substrate;
at least one photoelectric transformation layer (230) disposed on the first electrode, the photoelectric transformation layer including a light absorbing layer (233); and
a second electrode (250) disposed on the photoelectric transformation layer;
wherein the light absorbing layer (233) includes a first sub-layer (233a) and a second sub-layer (233b), each of which includes a hydrogenated amorphous silicon based material respectively; and
wherein the first sub-layer and the second sub-layer include a non-silicon based element, and the second sub-layer includes a crystalline silicon grain surrounded by the hydrogenated amorphous silicon based element.

摘要翻译： 提供了一种光伏装置。 该光电器件包括：衬底（100）; 设置在所述基板上的第一电极（210） 设置在所述第一电极上的至少一个光电转换层（230），所述光电转换层包括光吸收层（233）; 和设置在光电转换层上的第二电极（250） 其中所述光吸收层包括分别包含氢化非晶硅基材料的第一子层和第二子层， 并且其中所述第一子层和所述第二子层包括非硅基元件，并且所述第二子层包括被所述氢化非晶硅基元件包围的晶体硅晶粒。