公开(公告)号：EP3332032B1

公开(公告)日：2023-12-27

申请号：EP16833794.7

申请日：2016-08-03

发明人： TURNER, Stephen ,  KORLACH, Jonas ,  WARREN, Steven

IPC分类号： C12Q1/68 ,  B01L3/00 ,  C12M1/34 ,  G01N27/22 ,  H01L31/109

公开(公告)号：EP4097766B1

公开(公告)日：2023-11-01

申请号：EP21732380.7

申请日：2021-04-02

发明人： LOBRE, Clément ,  ROCHETTE, Florent

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/103 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

公开(公告)号：EP4189750A1

公开(公告)日：2023-06-07

申请号：EP21759143.7

申请日：2021-07-29

申请人： Politecnico di Milano ,  Università Degli Studi Roma Tre

发明人： FRIGERIO, Jacopo ,  ISELLA, Giovanni ,  BALLABIO, Andrea ,  DE IACOVO, Andrea ,  COLACE, Lorenzo

IPC分类号： H01L31/11 ,  H01L31/103 ,  H01L31/109

公开(公告)号：EP3806167B1

公开(公告)日：2022-01-12

申请号：EP20200181.4

申请日：2020-10-06

发明人： ALIANE, Abdelkader ,  OUVRIER-BUFFET, Jean-Louis

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/109

公开(公告)号：EP3912196A1

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：EP20702519.8

申请日：2020-01-16

申请人： King Abdullah University of Science and Technology

发明人： ROQAN, Iman S. ,  MITRA, Somak ,  PAK, Yusin

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L33/00

公开(公告)号：EP3850676A1

公开(公告)日：2021-07-21

申请号：EP19769421.9

申请日：2019-09-10

申请人： Crayonano AS

发明人： MUNSHI, Mazid ,  WEMAN, Helge ,  FIMLAND, Bjørn-Ove

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01S5/343 ,  H01S5/183 ,  H01S5/042 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L31/0224

公开(公告)号：EP3570330A1

公开(公告)日：2019-11-20

申请号：EP19174270.9

申请日：2019-05-14

申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

发明人： EL ZAMMAR, Georgio ,  KHAZAKA, Rami ,  MENEZO, Sylvie

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L21/20 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/109

摘要： L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une photodiode latérale comprenant une couche 12 surmontée par un premier motif comprenant une zone d'absorption A intercalée entre deux zones de contact 1, 2. Après encapsulation du premier motif, une cavité est formée entre les zones de contact par gravure au travers d'ouvertures, puis remplie par un matériau 3 constitutif de la zone d'absorption A par épitaxie latérale de ce matériau 3 à partir des parois latérales de la cavité 42.
Selon une possibilité, une première épitaxie latérale est réalisée pour former une zone de multiplication M, puis une deuxième épitaxie latérale est réalisée pour former une zone de charge C avant l'épitaxie latérale du matériau 3 constitutif de la zone d'absorption A, de façon à obtenir une photodiode à avalanche latérale présentant un confinement optique amélioré.
L'invention a également pour objet une photodiode latérale présentant un confinement optique amélioré.

公开(公告)号：EP2865017B1

公开(公告)日：2019-11-13

申请号：EP13729748.7

申请日：2013-06-19

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BOULARD, François ,  ESPIAU DE LAMAESTRE, Roch ,  FOWLER, David ,  GRAVRAND, Olivier ,  ROTHMAN, Johan

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/103

公开(公告)号：EP3396721A1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：EP18168794.8

申请日：2018-04-23

申请人： Chang, Yu-Chen

发明人： Chang, Yu-Chen

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/074 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L29/227 ,  H01L21/02554 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/074 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： Various embodiments of a semiconductor device and related fabrication methods are disclosed. In one exemplary embodiment, the semiconductor device may include a substrate and a plurality of two-dimensional semiconductor films over the substrate, where a photogain of the two-dimensional films is above about 10 3 when measured at room temperature. In another exemplary embodiment, a semiconductor device may comprise a substrate comprising nanorods or nanodots and a plurality of two-dimensional films disposed on the substrate.

公开(公告)号：EP3332032A1

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：EP16833794

申请日：2016-08-03

申请人： PACIFIC BIOSCIENCES CALIFORNIA INC

发明人： TURNER STEPHEN ,  KORLACH JONAS ,  WARREN STEVEN

IPC分类号： C12Q1/68 ,  B01L3/00 ,  C12M1/34 ,  G01N27/22 ,  H01L31/109

CPC分类号： C12Q1/6869 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N27/4148 ,  G11C19/28 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606

摘要： A circuit comprising a substrate with sectors on the substrate is provided, each sector comprising clock and data lines, a controller in electrical communication with the clock and data lines, a counter bias line, an amplifier input line and nano-electronic measurement devices on the substrate. A source of each device is coupled to the counter bias line and a drain of each device is coupled to the amplifier input line to obtain an electrical signal on the drain, the identity of which is determined by electrical interaction between the device and a charge label. Each device drain is gated by a corresponding switch between an on state, in which the drain is connected to the amplifier input line, and an off state, in which the drain is isolated from the amplifier input line. The controller controls switch states responsive to clock signal line pulses and data input line data.