公开(公告)号：EP2638564A1

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：EP11785772.2

申请日：2011-11-07

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang Nang

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing a template material for growing semiconductor materials and / or devices, comprises the steps of: (a) providing a substrate with a dielectric layer on the substrate; and (b) forming a pixelated pattern on the dielectric layer, the pattern comprising a plurality of discrete groups of structures.

摘要翻译： 制备用于生长半导体材料和/或器件的模板材料的方法包括以下步骤：（a）在衬底上提供具有介电层的衬底; 以及（b）在所述电介质层上形成像素化图案，所述图案包括多个离散的结构组。

公开(公告)号：EP2118921A1

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：EP08702146.5

申请日：2008-01-31

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang Nang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02513 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/0265

摘要： A method of producing a layered semiconductor device comprises the steps of: (a) providing a base comprising a plurality of semiconductor nano-structures, (b) growing a semiconductor material onto the nano-structures using an epitaxial 5 growth process, and (c) growing a layer of the semiconductor device onto the semiconductor material using an epitaxial growth process.

公开(公告)号：EP1997125B1

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：EP07712941.9

申请日：2007-03-19

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang, Nang

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B25/005 ,  C30B23/007 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02653 ,  Y10T428/24612

公开(公告)号：EP2859578A1

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：EP13728803.1

申请日：2013-06-07

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang Nang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0243 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/308 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0095 ,  H01L2933/0033 ,  H01S5/02236

摘要： A method of producing a bulk semiconductor material comprises the steps of providing a base comprising a substantially planar substrate having a plurality of etched nano/micro-structures located thereon, each structure having an etched, substantially planar sidewall, wherein the plane of each said etched sidewall is arranged at an oblique angle to the substrate, and selectively growingthe bulk semiconductor material onto the etched sidewall of each nano/micro-structure using an epitaxial growth process. A layered semiconductor device may be grown onto the bulk semiconductor material.

摘要翻译： 一种制造体半导体材料的方法包括以下步骤：提供包括基本平坦的基底的基底，该基底具有位于其上的多个蚀刻的纳米/微结构，每个结构具有蚀刻的基本平坦的侧壁，其中每个所述蚀刻的 侧壁以与衬底倾斜的角度布置，并且使用外延生长工艺将体半导体材料选择性地生长到每个纳米/微结构的蚀刻侧壁上。 层状半导体器件可以生长到体半导体材料上。

公开(公告)号：EP2104754A1

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：EP08702115.0

申请日：2008-01-17

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang Nang

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/36 ,  C30B29/16 ,  C30B29/60

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A method of producing single-crystal semiconductor material comprises: providing a template material; creating a mask on top of the template material; using the mask to form a plurality of nanostructures in the template material; and growing the single-crystal semiconductor material onto the nanostructures.

公开(公告)号：EP2104754B1

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：EP08702115.0

申请日：2008-01-17

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang Nang

IPC分类号： H01L33/00 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/36 ,  C30B29/16 ,  C30B29/60

公开(公告)号：EP3214639A1

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：EP17163006.4

申请日：2011-11-07

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang Nang

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing a template material for growing semiconductor materials and / or devices, comprises the steps of:
(a) providing a substrate with a dielectric layer on the substrate; and
(b) forming a pixelated pattern on the dielectric layer, the pattern comprising a plurality of discrete groups of structures.

摘要翻译： 一种制造用于生长半导体材料和/或器件的模板材料的方法，包括以下步骤：（a）提供在衬底上具有介电层的衬底; 和（b）在所述介电层上形成像素化图案，所述图案包括多个离散的结构组。

公开(公告)号：EP2136390A3

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：EP09163286.9

申请日：2009-06-19

申请人： Nanogan Limited

发明人： Wang, Wang Nang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02505 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609

摘要： A method of producing a semiconductor material comprises the steps of:
(a) providing a base comprising a substrate having a plurality of semiconductor nano-structures located thereon, the nano-structures having respective major axes arranged at an oblique angle to the substrate, and
(b) growing a semiconductor material onto the oblique angle nano-structures using an epitaxial growth process.

公开(公告)号：EP2136390A2

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：EP09163286.9

申请日：2009-06-19

申请人： Nanogan Limited

发明人： Wang, Wang Nang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02505 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609

摘要： A method of producing a semiconductor material comprises the steps of:
(a) providing a base comprising a substrate having a plurality of semiconductor nano-structures located thereon, the nano-structures having respective major axes arranged at an oblique angle to the substrate, and
(b) growing a semiconductor material onto the oblique angle nano-structures using an epitaxial growth process.

摘要翻译： 制造半导体材料的方法包括下列步骤：（a）提供基极，其包括具有位于其上的半导体纳米结构的多个A基片，具有在以倾斜角度设置成使所述衬底respectivement长轴纳米结构，和 （b）中生长半导体材料到使用外延生长工艺的斜角纳米结构。

公开(公告)号：EP1997125A2

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：EP07712941.9

申请日：2007-03-19

申请人： Nanogan Limited

发明人： WANG, Wang, Nang

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00

CPC分类号： C30B25/005 ,  C30B23/007 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02653 ,  Y10T428/24612

摘要： A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers. Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapour deposition (CVD), metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) and hydride vapour phase epitaxy (HVPE). Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE.

摘要翻译： 一种方法，利用HVPE使用纳米结构柔顺层走上异质衬底（10）生长高质量平且厚的化合物半导体（15）。 半导体材料的汽车的纳米结构（12）通过分子束外延（MBE），化学气相沉积（CVD），金属有机化学气相沉积（MOCVD）和氢化物气相外延（HVPE）异质衬底（10）上生长。 连续的化合物半导体厚膜（15）或晶片的进一步的生长是通过外延横向过生长使用HVPE来实现。