公开(公告)号：EP2962799B1

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：EP14175716.1

申请日：2014-07-04

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Hartmann, Samuel ,  Guillon, David ,  Hajas, David ,  Thut, Markus

IPC: B23K20/10 ,  B23K37/06 ,  H01R43/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  B23K26/12

CPC classification number: H05K5/0034 ,  B23K20/10 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/047 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01R43/0207 ,  H01R43/205 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/301 ,  H05K2203/0285 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：EP2962799A1

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：EP14175716.1

申请日：2014-07-04

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Hartmann, Samuel ,  Guillon, David ,  Hajas, David ,  Thut, Markus

IPC: B23K20/10 ,  B23K37/06 ,  H01R43/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  B23K26/12

CPC classification number: H05K5/0034 ,  B23K20/10 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/047 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01R43/0207 ,  H01R43/205 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/301 ,  H05K2203/0285 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: Ein Halbleitermodul (10) umfasst eine Basisplatte (12), ein Substrat (14) auf der Basisplatte (12), das eine Metallisierung (28) auf wenigstens einer Seite aufweist und das wenigstens einen Halbleiterchip (24) trägt, ein Gehäuse (16), das an der Basisplatte (12) befestigt ist und das Substrat (14) wenigstens teilweise umschließt, und wenigstens einen Anschluss (34), der an einem anderen Ende einen Anschlussfuß (36) aufweist, der mittels Ultraschallschweißen auf einer Anschlussstelle (38) der Metallisierung (28) befestigt ist. Das Gehäuse (16) weist eine Schutzwandung (42) auf, die den Anschluss (34) umgibt und einen Innenraum (22) des Gehäuses (16) in einen ungeschützten Bereich (46) und einen geschützten Bereich (44) unterteilt. Die Schutzwandung (42) ist derart ausgebildet, dass zwischen dem Substrat (14) und der Schutzwandung (42) ein Spalt (48) gebildet ist, der dazu ausgeführt ist, einen Fluidstrom (60) derart zu führen, dass beim Ultraschallschweißen des Anschlussfußes (36) auf die Anschlussstelle (38) entstehende Partikel davon abgehalten werden, von dem ungeschützten Bereich (46) in den geschützten Bereich (44) zu dringen.

Abstract translation: 一种半导体模块（10）包括在底板（12），其具有在至少一侧上的金属化（28）和所述至少一个半导体芯片（24），外壳的底板（12），基板（14）（16） 其被安装在基座板（12）和基片（14）至少部分地围绕，以及具有在另一端（36）的终端的基础上，通过超声波焊接的手段的一个连接点（38）的至少一个端子（34） 金属化（28）附连。 所述壳体（16）具有围绕所述连接器（34）和在一个非保护区（46）和划分一个保护区（44）的所述壳体（16）的内部（22）的保护壁（42）。 保护壁（42）被形成为使得所述基板（14）和所述保护壁（42）的间隙之间（48）形成，其被设计成引导流体的流动（60），使得（连接脚的超声波焊接过程中 36）（在所得结穿透防止38）颗粒（通过在保护区（44）的未被保护的区域46）。