SUBSTRAT PRÉ-STRUCTURÉ POUR LA RÉALISATION DE COMPOSANTS PHOTONIQUES, CIRCUIT PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS
    3.
    发明公开
    SUBSTRAT PRÉ-STRUCTURÉ POUR LA RÉALISATION DE COMPOSANTS PHOTONIQUES, CIRCUIT PHOTONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉS 有权
    预结构化基材生产PHOTO AMERICAN组件,例如光子电路和相应的方法

    公开(公告)号:EP3015888A1

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:EP15190997.5

    申请日:2015-10-22

    IPC分类号: G02B6/30 G02B6/12 G02B6/124

    摘要: L'invention porte sur un substrat (S) localement pré-structuré pour la réalisation de composants photoniques (Cp1-Cp4), comportant :
    - une partie massive en silicium (10) ;
    - une première région localisée du substrat, comprenant :
    o une couche (11), dite de dissipation thermique, réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10) et formée en un matériau dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du silicium ;
    o un guide d'ondes (12) sur la couche de dissipation thermique (11) ;

    - une deuxième région localisée du substrat, comprenant :
    o une couche d'oxyde (13) réalisée de manière localisée en surface de la partie massive (10), l'oxyde présentant une conductivité thermique inférieure à celle du matériau de la couche de dissipation thermique (11) ;
    o un guide d'ondes (14) sur la couche d'oxyde.


    L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel substrat pré-structuré, ainsi que sur un circuit photonique (Cp) réalisé sur un tel substrat.

    摘要翻译: A底本地预构造用于生产包括由硅制成的固体部分光子组件的; 衬底的第一局部区域,包括散热层,在本地化的固体部分的表面上,且由其中的材料的折射率小于硅的的方式生产; 散热层上的波导; 的底物,包括固体部分的表面上以局部方式生成的氧化层上的第二局部区域,具有的热导率小于所述散热层的材料的氧化物; 所述氧化物层上的波导。

    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE PHOTONIQUE

    公开(公告)号:EP4198587A1

    公开(公告)日:2023-06-21

    申请号:EP22210320.2

    申请日:2022-11-29

    摘要: Ce procédé comporte la fabrication d'un premier guide d'onde en nitrure de silicium stoechiométrique, d'un second guide d'onde en matériau semi-conducteur cristallin et d'au moins un composant actif optiquement couplé au premier guide d'onde par l'intermédiaire du second guide d'onde. Ce procédé comporte :
    a) la formation (128) d'une ouverture qui traverse une couche d'encapsulation du premier guide d'onde et débouche dans ou sur un substrat en silicium monocristallin, puis
    b) le dépôt (132) par croissance épitaxiale d'un matériau de germination cristalline à l'intérieur de l'ouverture jusqu'à ce que ce matériau de germination cristalline forme un germe cristallin sur une face supérieure de la couche d'encapsulation, puis
    c) une épitaxie latérale (136), d'un matériau semi-conducteur cristallin à partir du germe cristallin formé pour former une couche en matériau semi-conducteur cristallin dans laquelle le second guide d'onde est ensuite réalisé.

    GUIDE A ONDE LENTE
    10.
    发明公开
    GUIDE A ONDE LENTE 有权
    慢波指南

    公开(公告)号:EP3220193A1

    公开(公告)日:2017-09-20

    申请号:EP17159806.3

    申请日:2017-03-08

    IPC分类号: G02F1/365 G02F1/025 G02B6/12

    摘要: Ce guide à onde lente comporte :
    - une région initiale (28) qui s'étend, le long d'un axe optique (10) depuis un début (33) à partir duquel la largeur d'un guide d'onde central (12) commence à diminuer continûment jusqu'à une fin (34) au-delà de laquelle la largeur du guide d'onde central ne diminue plus jusqu'à la fin d'une section (18) de ralentissement, cette région initiale chevauchant une région (56) d'élargissement où la longueur de dents latérales (40) augmente continûment,
    - une région finale (32) qui s'étend, le long de l'axe optique, depuis un début (36) à partir duquel la largeur du guide d'onde central commence à augmenter continûment jusqu'à une fin (37) au-delà de laquelle la largeur du guide d'onde central n'augmente plus, cette région finale chevauchant une région (60) de rétrécissement où la longueur des dents latérales (40) diminue continûment.

    摘要翻译: 该慢波导包括: - 从开始部分(33)沿光轴(10)延伸的初始区域(28),中央波导(12)的宽度从该初始部分(33) )开始连续减小到一个末端(34),超过该末端,中心波导的宽度不再减小,直到减速部分(18)的末端,该初始区域跨越一个区域 其中横向齿(40)的长度连续增加的放大(56) - 从开始(36)沿着光轴延伸的最终区域(32),从该开始 中央波导开始不断增加到一端(37),超过该端,中心波导的宽度不再增加,该最终区域与窄化区域(60)重叠,其中中心波导 侧齿(40)连续减小。