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公开(公告)号：EP4418308A2
公开(公告)日：2024-08-21
申请号：EP24178820.7
申请日：2020-12-18
发明人： PERNEL, Carole , DUSSAIGNE, Amélie
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/44 , H01L21/30635 , H01L21/02203 , H01L33/12 , H01L21/306
摘要： Procédé comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un dispositif comprenant :
- une structure GaN/InGaN comprenant une couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) recouverte localement par des mésas d'InGaN (100) comprenant une couche d'InGaN dopée (101) et une couche d'InGaN non dopée ou faiblement dopée (102),
- une couche électriquement isolante (300) recouvrant la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) entre les mésas (100),
b) relier la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et une contre-électrode (500) à un générateur de tension ou de courant,
c) plonger le dispositif et la contre-électrode (500) dans une solution électrolytique,
d) appliquer une tension ou un courant entre la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et la seconde électrode (500) pour porosifier la couche d'InGaN dopée (101),
e) former une couche d'InGaN par épitaxie sur les mésas d'InGaN (100), moyennant quoi on obtient une couche d'InGaN épitaxiée relaxée (400).-
2.发明公开
公开(公告)号：EP3503222A1
公开(公告)日：2019-06-26
申请号：EP18213127.6
申请日：2018-12-17
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) réalisé à base de GaN, comprenant une structure d'émission (10) adaptée à émettre un premier rayonnement lumineux à une première longueur d'onde (λ1), le procédé comportant les étapes suivantes :
i. réalisation d'une structure de croissance comportant une couche de germination (23) en In x2 Ga 1-x2 N au moins partiellement relaxé ;
ii. réalisation d'une structure de conversion (30), comportant une couche d'émission (33) adaptée à émettre un rayonnement lumineux à une deuxième longueur d'onde (λ2), et une couche d'absorption (34) réalisée à base d'InGaN ;
iii. report de la structure de conversion (30) sur la structure d'émission (10) de sorte que la couche d'absorption (34) est située entre la structure d'émission (10) et la couche d'émission (33) de la structure de conversion.-
公开(公告)号：EP3144983B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：EP16189528.9
申请日：2016-09-19
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033
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公开(公告)号：EP4398317A1
公开(公告)日：2024-07-10
申请号：EP23218208.9
申请日：2023-12-19
发明人： ROL, Fabian , DUSSAIGNE, Amélie
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/306 , H01L27/15 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/306 , H01L27/156 , H01L21/30635
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat de croissance adapté à la réalisation par épitaxie d'une matrice de diodes (D1, D2, D3) à base d'InGaN, comportant les étapes suivantes :
o réalisation d'un empilement cristallin (10) comportant, à partir d'une couche tampon conductrice (11) : une couche inférieure (12) à base de GaN dopé ; puis une couche intercalaire de séparation (13), à base d'InGaN ; puis une couche supérieure (14) à base d'AIGaN ;
o réalisation de mésas de trois catégories M1, M2, M3, par gravure localisée de l'empilement cristallin (10) ;
o suppression, par gravure, de la portion supérieure (24) d'au moins les mésas M3, la portion supérieure (24) des mésas M1 étant préservées ; puis
o porosification électrochimique non photo-assistée des portions inférieures (22) des seules mésas M1 et M3, la portion inférieure (22) des mésas M2 étant non porosifiée.-
5.发明公开
公开(公告)号：EP4362101A1
公开(公告)日：2024-05-01
申请号：EP23205735.6
申请日：2023-10-25
发明人： DUPRE, Ludovic , DUSSAIGNE, Amélie , PERNEL, Carole , ROL, Fabian
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/16 , H01L33/00 , H01L27/146 , H01S5/42
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/423 , H01L31/00 , H01L27/14694
摘要： L'invention porte sur un substrat de croissance adapté à la réalisation par épitaxie d'une matrice de diodes à base d'InGaN, comportant des mésas M(i), réalisées en des matériaux cristallins à base de GaN, comportant chacune N couches dopées (13, 15), avec N≥2, séparées deux à deux par une couche intermédiaire d'isolation (14) réalisée en un matériau non poreux, et présentant chacune une face supérieure libre adaptée à la réalisation par épitaxie d'une diode de la matrice ; les mésas étant configurées selon au moins trois catégories différentes parmi lesquels : une catégorie de mésas dite M(N) où les N couches dopées (13, 15) sont poreuses; une catégorie de mésas dite M(0) où aucune des couches dopées (13, 15) n'est poreuse; et une catégorie de mésas dite M(n) où n couches dopées (13, 15) sont poreuses, avec 1≤n
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公开(公告)号：EP4356428A1
公开(公告)日：2024-04-24
申请号：EP22735216.8
申请日：2022-06-13
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/16
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公开(公告)号：EP2795685B1
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：EP12806047.2
申请日：2012-12-19
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/18 , H01L31/0735 , H01L33/12 , H01L33/40 , H01L33/08
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8.发明公开PROCEDE DE FABRICATION D'UN MICRO- OU NANO- FIL SEMICONDUCTEUR, STRUCTURE SEMICONDUCTRICE COMPORTANT UN TEL MICRO- OU NANO- FIL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMICONDUCTRICE 审中-公开用于生产这样的微米或纳米线和方法HALBLEITERMIKRO-或纳米线半导体制造用结构体的半导体结构
公开(公告)号：EP2795685A1
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：EP12806047.2
申请日：2012-12-19
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02642 , H01L31/03044 , H01L31/0352 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0735 , H01L31/1848 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for manufacturing at least one semiconductor micro- or nanowire for forming an optoelectronic structure (10). The method comprises the steps of providing a semiconductor substrate (100), and forming a crystalline so-called buffer layer (110) on the substrate (100), the buffer layer (110) having, on at least a portion of the thickness thereof, a first area (110) mainly consisting of magnesium nitride in the form of Mg
x N
y . The method further comprises the step of forming at least one semiconductor micro- or nanowire (150) on the buffer layer (110). The invention also relates to optoelectronic structures (10) comprising micro- or nanowires (150), and to the method for manufacturing such structures (10).-
公开(公告)号：EP3840065A1
公开(公告)日：2021-06-23
申请号：EP20215515.6
申请日：2020-12-18
发明人： PERNEL, Carole , DUSSAIGNE, Amélie
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L27/15 , H01L21/02 , H01L21/3063 , H01L33/22 , H01L33/44
摘要： Procédé comprenant les étapes suivantes :
a) fournir un dispositif comprenant :
- une structure GaN/InGaN comprenant une couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) recouverte localement par des mésas d'InGaN (100) comprenant une couche d'InGaN dopée (101) et une couche d'InGaN non dopée ou faiblement dopée (102),
- une couche électriquement isolante (300) recouvrant la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) entre les mésas (100),
b) relier la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et une contre-électrode (500) à un générateur de tension ou de courant,
c) plonger le dispositif et la contre-électrode (500) dans une solution électrolytique,
d) appliquer une tension ou un courant entre la couche électriquement conductrice en GaN dopée (204) et la seconde électrode (500) pour porosifier la couche d'InGaN dopée (101),
e) former une couche d'InGaN par épitaxie sur les mésas d'InGaN (100), moyennant quoi on obtient une couche d'InGaN épitaxiée relaxée (400).-
公开(公告)号：EP3503222B1
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：EP18213127.6
申请日：2018-12-17
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