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公开(公告)号：EP4195207A1
公开(公告)日：2023-06-14
申请号：EP22211794.7
申请日：2022-12-06
发明人： RUMMENS, François , MESQUIDA, Thomas , GRENOUILLET, Laurent , VALENTIAN, Alexandre , VIANELLO, Elisa
摘要： Un circuit de stockage de données comporte une matrice de cellules mémoire qui sont configurables et non volatiles (NVM), chacune cellule étant destinée à fonctionner selon l'une quelconque parmi deux configurations de fonctionnement, la première configuration de fonctionnement (CONF1) correspondant à une mémoire ferroélectrique à polarisation électrique variable et la seconde configuration de fonctionnement (CONF2) correspondant une mémoire résistive à filament conducteur variable. Chaque cellule mémoire comprend une première couche (C1) en un matériau électriquement conducteur formant une électrode inférieure (EL1), une seconde couche (C2) en un matériau diélectrique et ferroélectrique, et une troisième couche (C3) en matériau électriquement conducteur formant une électrode supérieure (EL2).
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公开(公告)号：EP2203939B1
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：EP08869350.2
申请日：2008-10-22
IPC分类号： H01L29/06 , H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/38 , B82B3/00 , H01S5/34 , H01S5/42 , B82Y10/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01S5/341 , H01S5/423 , H01L2924/00
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公开(公告)号：EP4117038A1
公开(公告)日：2023-01-11
申请号：EP22182994.8
申请日：2022-07-05
IPC分类号： H01L27/24
摘要： Un aspect de l'invention concerne un circuit mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire (200), chaque cellule mémoire comprenant un élément mémoire résistif (10) et un transistor de sélection (30) de type FDSOI connecté en série avec l'élément mémoire résistif (10). Le transistor de sélection comprend une région de canal (31), une couche isolante enterrée (39), une grille arrière (38') séparée de la région de canal (31) par la couche isolante enterrée (39). Le circuit mémoire comprend en outre un circuit de polarisation de la grille arrière (38') des transistors de sélection (30), le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe au transistor de sélection (30) d'au moins une cellule mémoire (200) lors d'une opération de programmation ou d'initialisation de ladite au moins une cellule mémoire.
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公开(公告)号：EP3965177A1
公开(公告)日：2022-03-09
申请号：EP21192810.6
申请日：2021-08-24
摘要： Cellule de mémoire (C 11 ) résistive dotée d'une première électrode (10, 10 1 ) et d'une deuxième électrode (30 1 ) agencées de part et d'autre d'une couche (20) diélectrique et en regard d'une interface (23 1 ) entre une première région (21 1 ) et une deuxième région (22 1 ), lesdites première et deuxième région (22 1 ) ayant des compositions différentes en termes de dopage et/ou constante diélectrique, de sorte à confiner la zone de création réversible de filament conducteur au niveau de ladite interface.
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公开(公告)号：EP3376545A1
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：EP18161268.0
申请日：2018-03-12
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02532 , H01L27/1203 , H01L29/04 , H01L29/0847 , H01L29/36 , H01L29/66628 , H01L29/66772 , H01L29/78 , H01L29/78618 , H01L29/78654
摘要： Transistor à effet de champ dont les régions de source (230a) et de drain (230b), sont formées d'une structure cristalline comprenant :
- une première couche (231a, 231b) comprenant deux faces principales parallèles entre elles et deux faces latérales parallèles entre elles, les faces principales étant perpendiculaires aux faces latérales,
- une seconde couche (232a, 232b) recouvrant la première couche (231a, 231b), la seconde couche (232a, 232b) comprenant une première face principale et une seconde face principale parallèles entre elles et deux faces latérales, la première face principale étant en contact avec la première couche (231a, 231b), les faces latérales formant un angle alpha allant de 50° à 59°, et de préférence de 53°, avec la première face principale.-
7.发明公开PROCEDE DE RECUIT LOCALISE D'ELEMENTS SEMI-CONDUCTEURS A L'AIDE D'UNE ZONE REFLECTRICE 审中-公开局部化退火半导体元件使用反射区
公开(公告)号：EP3002789A1
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：EP15187232.2
申请日：2015-09-28
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02675 , H01L21/2652 , H01L21/76224 , H01L23/552 , H01L27/1203 , H01L27/1248 , H01L27/1274 , H01L31/0547 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要： Procédé de réalisation d'éléments semi-conducteurs à base de matériau semi-conducteur cristallin, comprenant des étapes consistant à :
a) prévoir un support (10-11-12-15) comportant des éléments semi-conducteurs à base de matériau semi-conducteur amorphe, le support étant doté en outre d'un ou plusieurs composants (T 1 , T 2 ) et d'une zone de protection réfléchissante configurée de manière à réfléchir un rayonnement lumineux dans une gamme de longueur d'ondes donnée,
b) exposer le ou les éléments (2) à un rayonnement laser (5) émettant dans ladite gamme de longueurs d'ondes donnée de manière à recristalliser lesdits éléments, la zone de protection réfléchissante étant agencée sur le support par rapport aux éléments et aux composants de manière à réfléchir le rayonnement laser et protéger les composants de ce rayonnement (figure 1).-
公开(公告)号：EP3496168A1
公开(公告)日：2019-06-12
申请号：EP18208416.0
申请日：2018-11-26
IPC分类号： H01L45/00
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un point mémoire de type OxRAM, comprenant les étapes de :
-fournir un empilement (1) comprenant une superposition de :
-une première couche (102) incluant un premier matériau en Ti à plus de 30% en fraction molaire ;
-une deuxième couche (101) en HfO 2 disposée sous la première couche ;
-par une implantation ionique d'un deuxième matériau (2) choisi parmi le Xe, le Kr ou le Ar dans la première couche (102), réaliser une implantation du premier matériau dans la deuxième couche (101) par collision avec effet de recul dans la première couche (102).-
公开(公告)号：EP3163622B1
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：EP16196119.8
申请日：2016-10-27
IPC分类号： H01L27/144 , G02F3/02
CPC分类号： H01L27/1446 , G02F3/022
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10.发明授权PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COINTEGRANT UN TRANSISTOR FET ET UN POINT MEMOIRE OXRAM 有权制造集成电路制造晶体管FET和点记忆型OXRAM的工艺
公开(公告)号：EP3079178B1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：EP16163744.2
申请日：2016-04-04
发明人： GRENOUILLET, Laurent , MORAND, Yves , VINET, Maud
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L23/3107 , H01L27/2463 , H01L29/0649 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
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