公开(公告)号：EP0324555A2

公开(公告)日：1989-07-19

申请号：EP89300127.1

申请日：1989-01-06

申请人： HITACHI, LTD.

发明人： Fujii, Mituru ,  Asai, Tadamichi ,  Ogawa, Toshio ,  Ito, Osamu ,  Ikegami, Akira ,  Hasegawa, Mitsuru ,  Kobayashi, Takao ,  Tamura, Teizo

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01C7/00 ,  H01C1/148 ,  H01C17/06 ,  H01C17/28

CPC分类号： H01C7/003 ,  H01C1/142 ,  H01C17/065 ,  H01C17/281 ,  H01L23/49883 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19107 ,  Y10S257/904

摘要： A substrate for a hybrid IC comprises a substrate (1), a thick film resistor (3) containing glass, formed on the substrate (1), and a thick film conductor (2) at the terminal of the thick film resistor (3). A means for preventing diffusion of the glass from the thick film resistor (3) into the thick film conductor (2) is provided between the thick film resistor (3). This means may be a compound added to the paste used for forming the thick film resistor (3) or may be a paste of metallic powder applied to the terminal of the thick film conductor (2). The thick film conductor (2) has a stable resistance as a thick film microresistor and may be applied to various uses such as cellular radio communication system.

摘要翻译： 用于混合IC的衬底包括形成在衬底（1）上的衬底（1），含有玻璃的厚膜电阻（3）和厚膜电阻（3）的端子处的厚膜导体（2） 。 在厚膜电阻器（3）之间设置有用于防止玻璃从厚膜电阻器（3）扩散到厚膜​​导体（2）中的装置。 这种方法可以是添加到用于形成厚膜电阻器（3）的糊料中的化合物，或者可以是施加到厚膜导体（2）的端子上的金属粉末的糊料。 厚膜导体（2）作为厚膜微电阻器具有稳定的电阻，并且可以应用于诸如蜂窝无线电通信系统的各种用途。

公开(公告)号：EP0064264B1

公开(公告)日：1988-07-20

申请号：EP82103585.4

申请日：1982-04-27

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Ogihara, Satoru ,  Nakamura, Kosuke ,  Takeda, Yukio ,  Matsushita, Yasuo ,  Asai, Tadamichi ,  Okoshi, Tokio

IPC分类号： C04B35/56 ,  H01B3/12 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3731 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0324555A3

公开(公告)日：1991-05-02

申请号：EP89300127.1

申请日：1989-01-06

申请人： HITACHI, LTD.

发明人： Fujii, Mituru ,  Asai, Tadamichi ,  Ogawa, Toshio ,  Ito, Osamu ,  Ikegami, Akira ,  Hasegawa, Mitsuru ,  Kobayashi, Takao ,  Tamura, Teizo

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01C7/00 ,  H01C1/148 ,  H01C17/06 ,  H01C17/28

CPC分类号： H01C7/003 ,  H01C1/142 ,  H01C17/065 ,  H01C17/281 ,  H01L23/49883 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19107 ,  Y10S257/904

摘要： A substrate for a hybrid IC comprises a substrate (1), a thick film resistor (3) containing glass, formed on the substrate (1), and a thick film conductor (2) at the terminal of the thick film resistor (3). A means for preventing diffusion of the glass from the thick film resistor (3) into the thick film conductor (2) is provided between the thick film resistor (3). This means may be a compound added to the paste used for forming the thick film resistor (3) or may be a paste of metallic powder applied to the terminal of the thick film conductor (2). The thick film conductor (2) has a stable resistance as a thick film microresistor and may be applied to various uses such as cellular radio communication system.

摘要翻译： 用于混合IC的衬底包括形成在衬底（1）上的衬底（1），含有玻璃的厚膜电阻（3）和厚膜电阻（3）的端子处的厚膜导体（2） 。 在厚膜电阻器（3）之间设置有用于防止玻璃从厚膜电阻器（3）扩散到厚膜​​导体（2）中的装置。 这种方法可以是添加到用于形成厚膜电阻器（3）的糊料中的化合物，或者可以是施加到厚膜导体（2）的端子上的金属粉末的糊料。 厚膜导体（2）作为厚膜微电阻器具有稳定的电阻，并且可以应用于诸如蜂窝无线电通信系统的各种用途。

公开(公告)号：EP0064264A2

公开(公告)日：1982-11-10

申请号：EP82103585.4

申请日：1982-04-27

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Ogihara, Satoru ,  Nakamura, Kosuke ,  Takeda, Yukio ,  Matsushita, Yasuo ,  Asai, Tadamichi ,  Okoshi, Tokio

IPC分类号： C04B35/56 ,  H01B3/12 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3731 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Silicon carbide powder mixture and process for producing sintered bodies therefrom are provided so as to give silicon carbide sintered bodies having excellent heat conductivity and electrical resistivity with high density. Said silicon carbide powder mixture can be obtained by dry blending or solution mixing of silicon carbide powder with at least one beryllium compound which can be converted to beryllium, beryllium oxide, beryllium carbide or beryllium nitride by decomposition with heating.

摘要翻译： 提供碳化硅粉末混合物和由其制造烧结体的方法，以便得到具有优异导热性和高密度电阻率的碳化硅烧结体。 所述碳化硅粉末混合物可以通过碳化硅粉末与至少一种铍化合物的干混或溶液混合获得，其可通过加热分解而转化为铍，氧化铍，碳化铍或氮化铍。